公开(公告)号：TW201314886A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW101134759

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雪克 瑪力卡勒強斯瓦密 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR ,  弗蘭茨娃 赫爾伯特 ,  HÉBERT, FRANÇOIS

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8248

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7835

摘要： 本發明涉及一種帶有多個外延層的橫向PNP雙極電晶體，具體是指利用相同導電類型的多外延層，製備帶有深發射極和深集電極區的橫向雙極電晶體。無需使用溝槽，就能製備深發射極和深集電極區。在每個外延層中，製備垂直對準的擴散區，使擴散區在退火後，合併到連續的擴散區中，作為發射極或集電極或隔離結構。在另一個實施例中，利用溝槽發射極和溝槽集電極區，製備橫向溝槽PNP雙極電晶體。在另一個實施例中，製備合併了LDMOS電晶體的橫向PNP雙極電晶體，以獲得高性能。

简体摘要： 本发明涉及一种带有多个外延层的横向PNP双极晶体管，具体是指利用相同导电类型的多外延层，制备带有深发射极和深集电极区的横向双极晶体管。无需使用沟槽，就能制备深发射极和深集电极区。在每个外延层中，制备垂直对准的扩散区，使扩散区在退火后，合并到连续的扩散区中，作为发射极或集电极或隔离结构。在另一个实施例中，利用沟槽发射极和沟槽集电极区，制备横向沟槽PNP双极晶体管。在另一个实施例中，制备合并了LDMOS晶体管的横向PNP双极晶体管，以获得高性能。

公开(公告)号：TWI273704B

公开(公告)日：2007-02-11

申请号：TW095101559

申请日：2006-01-16

申请人： 三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 徐永大 SEO, YOUNG-DAE ,  梁奉吉 YANG, BONG-GIL

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/732

摘要： 本發明揭示一種雙載子電晶體，其包含具有高度大體上相同之一射極端子與一基極端子，且本發明還提供一種製造雙載子電晶體之製造方法。此雙載子電晶體包含一用作一基極且形成於一用作一集極之半導體層上之矽鍺層。此雙載子電晶體另外包含一具有用於一射極端子及一集極端子之多個接觸窗之絕緣層。藉由形成一填充接觸窗之多晶矽層且對多晶矽層執行一平坦化製程而形成射極與集極端子。執行一離子佈植製程以形成一多晶矽射極端子及一多晶矽基極端子。

简体摘要： 本发明揭示一种双载子晶体管，其包含具有高度大体上相同之一射极端子与一基极端子，且本发明还提供一种制造双载子晶体管之制造方法。此双载子晶体管包含一用作一基极且形成于一用作一集极之半导体层上之硅锗层。此双载子晶体管另外包含一具有用于一射极端子及一集极端子之多个接触窗之绝缘层。借由形成一填充接触窗之多晶硅层且对多晶硅层运行一平坦化制程而形成射极与集极端子。运行一离子布植制程以形成一多晶硅射极端子及一多晶硅基极端子。

公开(公告)号：TW200614504A

公开(公告)日：2006-05-01

申请号：TW094124197

申请日：2005-07-15

申请人： 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

发明人： 葛多夫萊德斯 安德瑞那斯 瑪莉亞 胡克斯 HURKX, GODEFRIDUS ADRIANUS MARIA ,  帕羅伯海特 阿卡沃 AGARWAL, PRABHAT ,  伊爾文 西傑詹 HIJZEN, ERWIN ,  雷蒙 喬瑟夫 安琪巴特 胡汀 HUETING, RAYMOND JOSEPHUS ENGELBART

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/0821 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7378

摘要： 本發明揭示一種具有一基板(11)與一半導體主體(12)之半導體裝置(10)，其包括一垂直雙極電晶體，該電晶體具有分別為一第一導電率類型、與該第一導電率類型相反之一第二導電率類型及該第一導電率類型之一射極區域、一基極區域及一集極區域(1、2、3)，其中該集極區域(3)包括與該基極區域(2)接界之一第一子區域(3A)以及與該第一子區域(3A)接界之一第二子區域(3B)，該第一子區域(3A)具有低於該第二子區域(3B)之一摻雜濃度，並且該電晶體具有一閘極電極(5)，該閘極電極(5)與該第一子區域(3A)橫向接界並且可以藉由該閘極電極而耗盡該第一子區域(3A)。依據本發明，該集極區域(3)與該半導體主體(12)之表面接界，而該射極區域(1)係凹入該半導體主體(12)中，並且該集極區域(3)形成該半導體主體(12)的表面所形成之一台面結構(6)之部分。此一裝置(10)在高頻率及高電壓情況下具有非常有利的特性而且容易製造。在一較佳具體實施例中，該集極(3)包括形成該台面結構(6)之一奈米導線(30)。

简体摘要： 本发明揭示一种具有一基板(11)与一半导体主体(12)之半导体设备(10)，其包括一垂直双极晶体管，该晶体管具有分别为一第一导电率类型、与该第一导电率类型相反之一第二导电率类型及该第一导电率类型之一射极区域、一基极区域及一集极区域(1、2、3)，其中该集极区域(3)包括与该基极区域(2)接界之一第一子区域(3A)以及与该第一子区域(3A)接界之一第二子区域(3B)，该第一子区域(3A)具有低于该第二子区域(3B)之一掺杂浓度，并且该晶体管具有一闸极电极(5)，该闸极电极(5)与该第一子区域(3A)横向接界并且可以借由该闸极电极而耗尽该第一子区域(3A)。依据本发明，该集极区域(3)与该半导体主体(12)之表面接界，而该射极区域(1)系凹入该半导体主体(12)中，并且该集极区域(3)形成该半导体主体(12)的表面所形成之一台面结构(6)之部分。此一设备(10)在高频率及高电压情况下具有非常有利的特性而且容易制造。在一较佳具体实施例中，该集极(3)包括形成该台面结构(6)之一奈米导线(30)。

公开(公告)号：TW379408B

公开(公告)日：2000-01-11

申请号：TW087108093

申请日：1998-05-25

申请人： 三星電子股份有限公司

发明人： 田喜錫

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L29/42304

摘要： 一種自動對齊雙重多晶矽雙極性電晶體，其包含有:一些"L"形之第一隔片，其可藉將第一多晶矽樣式之雜質側向地，亦即，自彼等各形成為一基極之第一多晶矽樣式的內側壁，擴散至一形成為一射極之第二多晶矽樣式;和一些第二隔片與第三隔片，彼等可使其第二多晶矽樣式與第一隔片形成隔離。

简体摘要： 一种自动对齐双重多晶硅双极性晶体管，其包含有:一些"L"形之第一隔片，其可藉将第一多晶硅样式之杂质侧向地，亦即，自彼等各形成为一基极之第一多晶硅样式的内侧壁，扩散至一形成为一射极之第二多晶硅样式;和一些第二隔片与第三隔片，彼等可使其第二多晶硅样式与第一隔片形成隔离。

公开(公告)号：TW201810610A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106113603

申请日：2017-04-24

申请人： 英特矽爾美國有限公司 ,  INTERSIL AMERICAS LLC

发明人： 卡比爾 阿布T ,  KABIR, ABU T.

IPC分类号： H01L27/02 ,  H02H9/04

CPC分类号： H01L27/0266 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/027 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42304

摘要： 一種多指ESD保護裝置的增強佈局具有若干實施例。在該等實施例中，用作基於多指NPN（或基於多指PNP）的多指ESD保護裝置中的電壓鉗位器的NPN（或PNP）電晶體的基極觸點設置在多指ESD保護裝置的相對邊緣處並且垂直於多指ESD保護裝置中的指狀物的方向定向。類似地，在基於多指NMOS（或基於多指PMOS）的多指ESD保護裝置中用作電壓鉗位器的NMOS（或PMOS）電晶體的主體觸點設置在多指ESD保護裝置的相對邊緣處並且垂直於多指ESD保護裝置中的指狀物的方向定向。

简体摘要： 一种多指ESD保护设备的增强布局具有若干实施例。在该等实施例中，用作基于多指NPN（或基于多指PNP）的多指ESD保护设备中的电压钳位器的NPN（或PNP）晶体管的基极触点设置在多指ESD保护设备的相对边缘处并且垂直于多指ESD保护设备中的指状物的方向定向。类似地，在基于多指NMOS（或基于多指PMOS）的多指ESD保护设备中用作电压钳位器的NMOS（或PMOS）晶体管的主体触点设置在多指ESD保护设备的相对边缘处并且垂直于多指ESD保护设备中的指状物的方向定向。

公开(公告)号：TW201613096A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104143552

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雪克瑪力卡勒強斯瓦密 ,  MALLIKARJUNASWAMY,SHEKAR ,  弗蘭茨娃赫爾伯特 ,  HEBERT,FRANCOIS

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8248

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7835

摘要： 本發明涉及一種帶有多個外延層的橫向PNP雙極電晶體，具體是指利用相同導電類型的多外延層，製備帶有深發射極和深集電極區的橫向雙極電晶體。無需使用溝槽，就能製備深發射極和深集電極區。在每個外延層中，製備垂直對準的擴散區，使擴散區在退火後，合併到連續的擴散區中，作為發射極或集電極或隔離結構。在另一個實施例中，利用溝槽發射極和溝槽集電極區，製備橫向溝槽PNP雙極電晶體。在另一個實施例中，製備合併了LDMOS電晶體的橫向PNP雙極電晶體，以獲得高性能。

简体摘要： 本发明涉及一种带有多个外延层的横向PNP双极晶体管，具体是指利用相同导电类型的多外延层，制备带有深发射极和深集电极区的横向双极晶体管。无需使用沟槽，就能制备深发射极和深集电极区。在每个外延层中，制备垂直对准的扩散区，使扩散区在退火后，合并到连续的扩散区中，作为发射极或集电极或隔离结构。在另一个实施例中，利用沟槽发射极和沟槽集电极区，制备横向沟槽PNP双极晶体管。在另一个实施例中，制备合并了LDMOS晶体管的横向PNP双极晶体管，以获得高性能。

公开(公告)号：TWI520329B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW101134759

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 雪克 瑪力卡勒強斯瓦密 ,  MALLIKARJUNASWAMY, SHEKAR ,  弗蘭茨娃 赫爾伯特 ,  HÉBERT, FRANÇOIS

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/8248

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：TWI389310B

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：TW095130660

申请日：2006-08-21

申请人： 半導體組件工業公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 高登M 葛利納 ,  GRIVNA, GORDON M.

IPC分类号： H01L29/73

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304

公开(公告)号：TW200301966A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：TW091132444

申请日：2002-11-01

申请人： M/A商業公司 M/A-COM, INC.

发明人： 安東尼 弗朗西斯 魁格賴塔 ANTHONY FRANCIS QUAGLIETTA ,  艾倫 威廉 韓森 ALLEN WILLIAM HANSON ,  托馬士 亞倫 溫斯洛 THOMAS AARON WINSLOW

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H03F3/607 ,  H01L23/4821 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/73 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體放大器，包含集極捷接，在一組電晶體之上形成空橋，並構成電晶體集極與集極接觸墊之間的電性並聯。基極捷接建立基極偏壓，並經電阻元件與電晶體之基極電性連接直流電流源。

简体摘要： 一种半导体放大器，包含集极捷接，在一组晶体管之上形成空桥，并构成晶体管集极与集极接触垫之间的电性并联。基极捷接创建基极偏压，并经电阻组件与晶体管之基极电性连接直流电流源。

公开(公告)号：TW373334B

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：TW086120049

申请日：1997-12-31

申请人： 西門斯股份有限公司

发明人： 邁可畢安寇 ,  魯道爾夫拉契納

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304

摘要： 垂直型pnp-電晶體之特徵為：最好由n-多晶矽層所構成之基極接觸區(10)是在由p-多晶矽層所構成之射極接觸區(6)之後才製成且因此至少有一部份是位於射極接觸區上方。在進行垂直型npn-電晶體之積體化過程時， pnp-電晶體之射極接觸區(6)和npn-電晶體之基極接觸區(61)是由相同之p-多晶矽層所製成。pnp-電晶體具有較小之空間需求，能以較簡單方式製成。

简体摘要： 垂直型pnp-晶体管之特征为：最好由n-多晶硅层所构成之基极接触区(10)是在由p-多晶硅层所构成之射极接触区(6)之后才制成且因此至少有一部份是位于射极接触区上方。在进行垂直型npn-晶体管之积体化过程时， pnp-晶体管之射极接触区(6)和npn-晶体管之基极接触区(61)是由相同之p-多晶硅层所制成。pnp-晶体管具有较小之空间需求，能以较简单方式制成。