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    太陽能電池
    3.
    发明专利
    太陽能電池 审中-公开
    太阳能电池

    公开(公告)号：TW201407805A

    公开(公告)日：2014-02-16

    申请号：TW102122329

    申请日：2013-06-21

    申请人： 挪威科技大學 ,  NORWEGIAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (NTNU)

    发明人： 威曼 海爾吉 ,  WEMAN, HELGE ,  費南 伯強恩 歐夫 ,  金東超 ,  KIM, DONG CHUL

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042

    CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184

    摘要： 本發明揭示一種物質組合物，特定而言一種光伏打電池，其包括：至少一個核心半導體奈米線，其在一石墨基板上，該至少一個核心奈米線已磊晶生長於該基板上，其中該奈米線包括至少一種III-V族化合物或至少一種II-VI族化合物或至少一種IV族元素；一半導體殼層，其環繞該核心奈米線，該殼層包括至少一種III-V族化合物或至少一種II-VI族化合物或至少一種IV族元素以使得該核心奈米線及該殼層分別形成一n型半導體及一p型半導體，或反之亦然；及一外部導電塗層，其環繞該殼層，該外部導電塗層形成一電極觸點。

    简体摘要： 本发明揭示一种物质组合物，特定而言一种光伏打电池，其包括：至少一个内核半导体奈米线，其在一石墨基板上，该至少一个内核奈米线已磊晶生长于该基板上，其中该奈米线包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物或至少一种IV族元素；一半导体壳层，其环绕该内核奈米线，该壳层包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物或至少一种IV族元素以使得该内核奈米线及该壳层分别形成一n型半导体及一p型半导体，或反之亦然；及一外部导电涂层，其环绕该壳层，该外部导电涂层形成一电极触点。

    用於光活性裝置及相關結構之稀釋氮化物材料的形成方法
    4.
    发明专利
    用於光活性裝置及相關結構之稀釋氮化物材料的形成方法 审中-公开
    用于光活性设备及相关结构之稀释氮化物材料的形成方法

    公开(公告)号：TW201331988A

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：TW101145318

    申请日：2012-12-03

    申请人： 梭意泰科公司 ,  SOITEC

    发明人： 珊圖 阿雷納 ,  CHANTAL, ARENA ,  羅賓 史考特 ,  ROBIN, SCOTT ,  克勞帝歐 坎尼塞斯 ,  CLAUDIO, CANIZARES

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L33/02

    CPC分类号： H01L31/184 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

    摘要： 使用原子層沈積(ALD)或類ALD沈積方法來製造稀釋氮化物III族-V族半導體材料。可致使第一加工氣體組合物流入沈積腔室中，且可使除氮以外之V族元素及一或多種III族元素吸附在基板上(以原子或分子形式)。之後，可致使第二加工氣體組合物流入沈積腔室中，且可使N及一或多種III族元素吸附在沈積腔室中之基板上。可在沈積腔室中在基板上由相繼吸附之元素形成稀釋氮化物III族-V族半導體材料之磊晶層。

    简体摘要： 使用原子层沉积(ALD)或类ALD沉积方法来制造稀释氮化物III族-V族半导体材料。可致使第一加工气体组合物流入沉积腔室中，且可使除氮以外之V族元素及一或多种III族元素吸附在基板上(以原子或分子形式)。之后，可致使第二加工气体组合物流入沉积腔室中，且可使N及一或多种III族元素吸附在沉积腔室中之基板上。可在沉积腔室中在基板上由相继吸附之元素形成稀释氮化物III族-V族半导体材料之磊晶层。

    具特定結構之金屬背反射物 TEXTURED METALLIC BACK REFLECTOR
    5.
    发明专利
    具特定結構之金屬背反射物 TEXTURED METALLIC BACK REFLECTOR 审中-公开
    具特定结构之金属背反射物 TEXTURED METALLIC BACK REFLECTOR

    公开(公告)号：TW201119047A

    公开(公告)日：2011-06-01

    申请号：TW099135011

    申请日：2010-10-14

    申请人： 奧塔裝置公司

    发明人： 艾華特 哈利 ,  卡葉斯 布登 ,  凱西亞里 伊斯克C ,  尼爾 惠

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L31/02327 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544

    摘要： 本發明之實施例大體上係關於使用為太陽能裝置或其他電子裝置之薄膜裝置之製造,以及包含使用於太陽能設備之具特定結構之背反射物。於一個實施例中,一種用來形成具特定結構之金屬背反射物之方法,該方法包含沉積金屬層於薄膜堆疊內之砷化鎵材料上;於退火製程期間從該金屬層形成金屬島之陣列;從該砷化鎵材料去除或蝕刻材料以在該等金屬島之間形成孔隙;以及,沉積金屬反射物層以填滿該等孔隙並且覆蓋該等金屬島。於另一個實施例中,一種具特定結構之金屬背反射物包含金屬島之陣列,係配置在砷化鎵材料上之;複數個孔隙,係配置在該等金屬島之間並且延伸入該砷化鎵材料;金屬反射物層,係配置在該等金屬島之上;以及,複數個反射物突起部,係形成於該等金屬島之間並且從該金屬反射物層延伸且進入形成在該砷化鎵材料中之該等孔隙。

    简体摘要： 本发明之实施例大体上系关于使用为太阳能设备或其他电子设备之薄膜设备之制造,以及包含使用于太阳能设备之具特定结构之背反射物。于一个实施例中,一种用来形成具特定结构之金属背反射物之方法,该方法包含沉积金属层于薄膜堆栈内之砷化镓材料上;于退火制程期间从该金属层形成金属岛之数组;从该砷化镓材料去除或蚀刻材料以在该等金属岛之间形成孔隙;以及,沉积金属反射物层以填满该等孔隙并且覆盖该等金属岛。于另一个实施例中,一种具特定结构之金属背反射物包含金属岛之数组,系配置在砷化镓材料上之;复数个孔隙,系配置在该等金属岛之间并且延伸入该砷化镓材料;金属反射物层,系配置在该等金属岛之上;以及,复数个反射物突起部,系形成于该等金属岛之间并且从该金属反射物层延伸且进入形成在该砷化镓材料中之该等孔隙。

    基於支撐帶之磊晶移植設備及方法 TAPE-BASED EPITAXIAL LIFT OFF APPARATUSES AND METHODS
    6.
    发明专利
    基於支撐帶之磊晶移植設備及方法 TAPE-BASED EPITAXIAL LIFT OFF APPARATUSES AND METHODS 审中-公开
    基于支撑带之磊晶移植设备及方法 TAPE-BASED EPITAXIAL LIFT OFF APPARATUSES AND METHODS

    公开(公告)号：TW201030802A

    公开(公告)日：2010-08-16

    申请号：TW098143360

    申请日：2009-12-17

    申请人： 奧塔裝置公司

    发明人： 吉密特湯瑪士J ,  何甘 ,  艾契爾美利莎 ,  海吉杜斯安德瑞斯

    IPC分类号： H01L ,  B65D

    CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L31/184 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/6839

    摘要： 本發明之實施例大體上是有關利用磊晶移植(ELO)製程製造磊晶薄膜和裝置的設備和方法。在一實施例中,提出在ELO製程期間形成薄膜裝置的方法,其包括耦接複數個基板和細長支撐帶,其中每一基板包含磊晶膜置於晶圓上的犧牲層上、在蝕刻製程期間使基板接觸蝕刻劑,同時移動細長支撐帶、以及蝕刻犧牲層及剝除晶圓上的磊晶膜,同時移動細長支撐帶。實施例還包括數種用以形成磊晶薄膜和裝置的設備、連續式和批式設備,包括移除支撐帶和晶圓上之磊晶膜的設備,其中磊晶膜生長在晶圓上。

    简体摘要： 本发明之实施例大体上是有关利用磊晶移植(ELO)制程制造磊晶薄膜和设备的设备和方法。在一实施例中,提出在ELO制程期间形成薄膜设备的方法,其包括耦接复数个基板和细长支撑带,其中每一基板包含磊晶膜置于晶圆上的牺牲层上、在蚀刻制程期间使基板接触蚀刻剂,同时移动细长支撑带、以及蚀刻牺牲层及剥除晶圆上的磊晶膜,同时移动细长支撑带。实施例还包括数种用以形成磊晶薄膜和设备的设备、连续式和批式设备,包括移除支撑带和晶圆上之磊晶膜的设备,其中磊晶膜生长在晶圆上。

    具有背側接點之光伏元件與其製造方法 PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH BACK SIDE CONTACTS
    7.
    发明专利
    具有背側接點之光伏元件與其製造方法 PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH BACK SIDE CONTACTS 审中-公开
    具有背侧接点之光伏组件与其制造方法 PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH BACK SIDE CONTACTS

    公开(公告)号：TW201029195A

    公开(公告)日：2010-08-01

    申请号：TW098135988

    申请日：2009-10-23

    申请人： 奧塔裝置公司

    发明人： 奇吉爾亞里伊西克C ,  艾契爾美利莎 ,  艾華特哈利 ,  吉密特湯瑪士J ,  何甘 ,  海吉杜斯安德瑞斯 ,  東克雷格

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L31/022458 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： 本發明提供用以將電磁輻射(例如太陽能)轉換成電能之方法與設備,其相較於傳統的太陽能電池具有提升的效率。一光伏(PV)元件大致上包括:一視窗層;一吸收層,其設置在該視窗層下方,使得在光子行進通過該視窗層且被該吸收層吸收時得以產生電子;以及複數個用於外部連接之接點,其耦接到該吸收層,該些用於外部連接之接點設置在該吸收層下方且不會阻隔任何光子經由該視窗層抵達該吸收層。將所有的接點設置在PV元件之背側上係可避免前側接點造成的太陽能暗部(一般發生在傳統的太陽能電池中)。因此,本文描述之具有背側接點的PV元件相較於傳統的太陽能電池可以增加效率。

    简体摘要： 本发明提供用以将电磁辐射(例如太阳能)转换成电能之方法与设备,其相较于传统的太阳能电池具有提升的效率。一光伏(PV)组件大致上包括:一窗口层;一吸收层,其设置在该窗口层下方,使得在光子行进通过该窗口层且被该吸收层吸收时得以产生电子;以及复数个用于外部连接之接点,其耦接到该吸收层,该些用于外部连接之接点设置在该吸收层下方且不会阻隔任何光子经由该窗口层抵达该吸收层。将所有的接点设置在PV组件之背侧上系可避免前侧接点造成的太阳能暗部(一般发生在传统的太阳能电池中)。因此,本文描述之具有背侧接点的PV组件相较于传统的太阳能电池可以增加效率。

    積層型薄膜太陽電池及其製造方法
    8.
    发明专利
    積層型薄膜太陽電池及其製造方法 审中-公开
    积层型薄膜太阳电池及其制造方法

    公开(公告)号：TW200539275A

    公开(公告)日：2005-12-01

    申请号：TW094110393

    申请日：2005-03-31

    申请人： 羅沐股份有限公司 ROHM CO., LTD.

    发明人： 齋寬展 SAI, HIRONOBU

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L31/1892 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/184 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

    摘要： 本發明係用於提供可有效變換太陽光，不受半導體材料之選擇限制而可多段地積層，且變換效率優異之積層型薄膜太陽電池及其製造方法。在基板(4)上設置具備具有第1帶隙能量之半導體構成之第1半導體積層部(1a)及一對第1電極(13、14)之第1光電變換單元，在其上貼附具備具有第2帶隙能量之半導體構成之第2半導體積層部(2a)及一對第2電極(23、24)之第2光電變換單元。另外，亦可在其上貼附具備具有第3帶隙能量之半導體構成之第3半導體積層部(3a)及一對第3電極(33、34)之第3光電變換單元，可貼附所希望之數。

    简体摘要： 本发明系用于提供可有效变换太阳光，不受半导体材料之选择限制而可多段地积层，且变换效率优异之积层型薄膜太阳电池及其制造方法。在基板(4)上设置具备具有第1带隙能量之半导体构成之第1半导体积层部(1a)及一对第1电极(13、14)之第1光电变换单元，在其上贴附具备具有第2带隙能量之半导体构成之第2半导体积层部(2a)及一对第2电极(23、24)之第2光电变换单元。另外，亦可在其上贴附具备具有第3带隙能量之半导体构成之第3半导体积层部(3a)及一对第3电极(33、34)之第3光电变换单元，可贴附所希望之数。

    紫外光檢測器及製程方法
    9.
    发明专利
    紫外光檢測器及製程方法 失效
    紫外光检测器及制程方法

    公开(公告)号：TW200421628A

    公开(公告)日：2004-10-16

    申请号：TW092107536

    申请日：2003-04-02

    申请人： 國立中央大學 NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY

    发明人： 紀國鐘 CHI, GOU CHUNG ,  許進恭 SHEU, JINN KONG ,  陳孟炬 CHEN, MENG CHE ,  李明倫 LEE, MIN LUM

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： G01J1/429 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    摘要： 本發明係關於一種紫外光檢測器及製程方法，其主要係在一基板上形成一緩衝層，利用磊晶法在緩衝層上形成一P型氮化鎵系層，並接著以離子佈植技術將Si＋離子適當地佈植於該P型氮化鎵系層中，形成一N型氮化鎵系層及包覆在此N型氮化鎵系層中且佈植濃度更高的另一N型氮化鎵系層，最後在該P型氮化鎵系層及第二N型氮化鎵系層上分別鍍上一環狀金屬層及另一金屬層，以作為歐姆接觸層。本發明特別是在於，藉由離子佈植技術，得以在元件之頂面形成一P型–N型氮化鎵系層排列之平面結構，使得入射光可直接接觸其空乏層，而增進其光量子效率，因此可簡化製程步驟且提高產品良率，而達到降低成本及增進該光電元件之效能者。

    简体摘要： 本发明系关于一种紫外光检测器及制程方法，其主要系在一基板上形成一缓冲层，利用磊晶法在缓冲层上形成一P型氮化镓系层，并接着以离子布植技术将Si＋离子适当地布植于该P型氮化镓系层中，形成一N型氮化镓系层及包覆在此N型氮化镓系层中且布植浓度更高的另一N型氮化镓系层，最后在该P型氮化镓系层及第二N型氮化镓系层上分别镀上一环状金属层及另一金属层，以作为欧姆接触层。本发明特别是在于，借由离子布植技术，得以在组件之顶面形成一P型–N型氮化镓系层排列之平面结构，使得入射光可直接接触其空乏层，而增进其光量子效率，因此可简化制程步骤且提高产品良率，而达到降低成本及增进该光电组件之性能者。