公开(公告)号：TWI505940B

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW100135751

申请日：2011-10-03

申请人： 東京應化工業股份有限公司 ,  TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.

发明人： 稻尾吉浩 ,  INAO, YOSHIHIRO ,  藤井恭 ,  FUJII, YASUSHI ,  松下淳 ,  MATSUSHITA, ATSUSHI ,  田村弘毅 ,  TAMURA, KOKI ,  久保安通史 ,  KUBO, ATSUSHI

IPC分类号： B32B7/06 ,  C23C16/32 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B32B7/06 ,  C03C17/3452 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1158 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201413833A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102127230

申请日：2013-07-30

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 山本武繼 ,  YAMAMOTO, TAKETSUGU ,  青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  前田辰郎 ,  MAEDA, TATSURO ,  三枝榮子 ,  MIEDA, EIKO ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI ,  小川有人 ,  OGAWA, ARITO

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/12

摘要： 本發明係提供一種複合基板的製造方法，為使用具有單晶層之半導體結晶層形成基板之複合基板的製造方法，其係具有：(a)於半導體結晶層形成基板的單晶層上，依序形成犧牲層及半導體結晶層之步驟；(b)使成為半導體結晶層形成基板側的表面之第1表面、與成為轉貼目的基板側的表面且將接觸於第1表面之第2表面相對向，來貼合半導體結晶層形成基板與轉貼目的基板之步驟；以及(c)對犧牲層進行蝕刻，在使半導體結晶層殘留於轉貼目的基板之狀態下，分離半導體結晶層形成基板與轉貼目的基板之步驟；使用(c)步驟中被分離之半導體結晶層形成基板，重複進行(a)至(c)的各步驟。

简体摘要： 本发明系提供一种复合基板的制造方法，为使用具有单晶层之半导体结晶层形成基板之复合基板的制造方法，其系具有：(a)于半导体结晶层形成基板的单晶层上，依序形成牺牲层及半导体结晶层之步骤；(b)使成为半导体结晶层形成基板侧的表面之第1表面、与成为转贴目的基板侧的表面且将接触于第1表面之第2表面相对向，来贴合半导体结晶层形成基板与转贴目的基板之步骤；以及(c)对牺牲层进行蚀刻，在使半导体结晶层残留于转贴目的基板之状态下，分离半导体结晶层形成基板与转贴目的基板之步骤；使用(c)步骤中被分离之半导体结晶层形成基板，重复进行(a)至(c)的各步骤。

公开(公告)号：TW201030802A

公开(公告)日：2010-08-16

申请号：TW098143360

申请日：2009-12-17

申请人： 奧塔裝置公司

发明人： 吉密特湯瑪士J ,  何甘 ,  艾契爾美利莎 ,  海吉杜斯安德瑞斯

IPC分类号： H01L ,  B65D

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L31/184 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/6839

摘要： 本發明之實施例大體上是有關利用磊晶移植(ELO)製程製造磊晶薄膜和裝置的設備和方法。在一實施例中,提出在ELO製程期間形成薄膜裝置的方法,其包括耦接複數個基板和細長支撐帶,其中每一基板包含磊晶膜置於晶圓上的犧牲層上、在蝕刻製程期間使基板接觸蝕刻劑,同時移動細長支撐帶、以及蝕刻犧牲層及剝除晶圓上的磊晶膜,同時移動細長支撐帶。實施例還包括數種用以形成磊晶薄膜和裝置的設備、連續式和批式設備,包括移除支撐帶和晶圓上之磊晶膜的設備,其中磊晶膜生長在晶圓上。

简体摘要： 本发明之实施例大体上是有关利用磊晶移植(ELO)制程制造磊晶薄膜和设备的设备和方法。在一实施例中,提出在ELO制程期间形成薄膜设备的方法,其包括耦接复数个基板和细长支撑带,其中每一基板包含磊晶膜置于晶圆上的牺牲层上、在蚀刻制程期间使基板接触蚀刻剂,同时移动细长支撑带、以及蚀刻牺牲层及剥除晶圆上的磊晶膜,同时移动细长支撑带。实施例还包括数种用以形成磊晶薄膜和设备的设备、连续式和批式设备,包括移除支撑带和晶圆上之磊晶膜的设备,其中磊晶膜生长在晶圆上。

公开(公告)号：TW201806083A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106106565

申请日：2017-02-24

申请人： 美國密西根州立大學 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN

发明人： 李圭相 ,  LEE, KYUSANG ,  佛瑞特 史堤芬 R ,  FORREST, STEPHEN R.

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/7813 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15

摘要： 本發明係關於用於磊晶移起之複合基材。在一個實施方案中，複合基材可包括由複數個晶圓片形成之經切割晶圓層及具有表面之晶圓接收層。該晶圓層可具有底表面及頂表面，且該晶圓層之該底表面可與該晶圓接收層之該表面連接。

简体摘要： 本发明系关于用于磊晶移起之复合基材。在一个实施方案中，复合基材可包括由复数个晶圆片形成之经切割晶圆层及具有表面之晶圆接收层。该晶圆层可具有底表面及顶表面，且该晶圆层之该底表面可与该晶圆接收层之该表面连接。

公开(公告)号：TWI600080B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW102134915

申请日：2013-09-27

申请人： 帕斯馬舍門有限責任公司 ,  PLASMA-THERM, LLC

发明人： 法爾沃 彼得 ,  FALVO, PETER ,  馬丁內斯 林內爾 ,  MARTINEZ, LINNELL ,  培 伏樂得 大衛 ,  PAYS-VOLARD, DAVID ,  高德林 理查 ,  GAULDIN, RICH ,  威斯特曼 羅素 ,  WESTERMAN, RUSSELL

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7813

公开(公告)号：TWI550895B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW099130822

申请日：2010-09-10

申请人： 美國密西根州立大學 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN

发明人： 福瑞司特 史蒂芬R ,  FORREST, STEPHEN R. ,  李摩曼 傑若米 ,  ZIMMERMAN, JERAMY ,  李圭相 ,  LEE, KYUSANG ,  徐崑庭 ,  SHIU, KUEN TING

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L31/1892 ,  H01L21/7813 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/544

公开(公告)号：TW201601222A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104109477

申请日：2015-03-25

申请人： 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

发明人： 賀莫 馬瑞卡 ,  HIRMER, MARIKA ,  赫特柯恩 喬琴 ,  HERTKORN, JOACHIM ,  富瑞 亞歷山大 ,  FREY, ALEXANDER ,  威馬 安德烈斯 ,  WEIMAR, ANDREAS ,  勞克斯 哈拉德 ,  LAUX, HARALD ,  包爾 亞當 ,  BAUER, ADAM ,  瓦特 亞歷山大 ,  WALTER, ALEXANDER

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01S5/02 ,  H01L33/00 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0095

摘要： 本發明提出一種將半導體層序列(2)自基板(1)分離的方法，這種方法是先在基板上準備好半導體層序列(2)，其中半導體層序列具有一個分離層(4)，且在基板及分離層之間有一個熱絕緣層(3)，同時熱絕緣層的熱導率小於與熱絕緣層相鄰的材料在面對基板的那一個面上的熱導率。接著以相干輻射照射分離層，其中熱絕緣層可讓輻射通過，而且分離層的材料至少有部分區域被在分離層內吸收的能量分解。

简体摘要： 本发明提出一种将半导体层串行(2)自基板(1)分离的方法，这种方法是先在基板上准备好半导体层串行(2)，其中半导体层串行具有一个分离层(4)，且在基板及分离层之间有一个热绝缘层(3)，同时热绝缘层的热导率小于与热绝缘层相邻的材料在面对基板的那一个面上的热导率。接着以相干辐射照射分离层，其中热绝缘层可让辐射通过，而且分离层的材料至少有部分区域被在分离层内吸收的能量分解。

公开(公告)号：TW201231290A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：TW100135751

申请日：2011-10-03

申请人： 東京應化工業股份有限公司

发明人： 稻尾吉浩 ,  藤井恭 ,  松下淳 ,  田村弘毅 ,  久保安通史

IPC分类号： B32B ,  C23C ,  H01L

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B32B7/06 ,  C03C17/3452 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1158 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明之層積體，係具備有：光透過性的支承體；被支承基板，係藉由上述支承體所支承；黏著層，係設置於上述被支承基板之藉由上述支承體所支承之側的面；以及分離層，係設置於上述支承體與上述被支承基板之間，且由氟碳化合物所構成；且上述分離層，係藉由吸收隔著上述支承體所照射的光而產生變質。

简体摘要： 本发明之层积体，系具备有：光透过性的支承体；被支承基板，系借由上述支承体所支承；黏着层，系设置于上述被支承基板之借由上述支承体所支承之侧的面；以及分离层，系设置于上述支承体与上述被支承基板之间，且由氟碳化合物所构成；且上述分离层，系借由吸收隔着上述支承体所照射的光而产生变质。

公开(公告)号：TW200832513A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096135244

申请日：2007-09-20

申请人： 美國伊利諾大學理事會 THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS

发明人： 約翰A 羅傑斯 ROGERS, JOHN A. ,  勞弗 努茲若 NUZZO, RALPH ,  馬修 梅特 MEITL, MATTHEW ,  高興助 KO, HEUNG CHO ,  尹鍾勝 YOON, JONGSEUNG ,  倚天恩 梅納德 MENARD, ETIENNE ,  亞弗萊德J 貝卡 BACA, ALFRED J.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L31/0735 ,  B81C1/0046 ,  B81C2201/0191 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T156/1195 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種用於製造一裝置或裝置元件的方法,其係藉由提供具有複數個功能層與複數個脫離層之一多層結構並藉由分離該等脫離層之一或多個層來使該等功能層脫離該多層結構以產生複數個可印刷結構。將該等可印刷結構印刷於一裝置基板或藉由一裝置基板支撐的裝置元件上。該等方法及系統提供用於製造高品質與低成本的光電裝置、可印刷半導體結構、(光)電子裝置及裝置元件的方法。

简体摘要： 本发明揭示一种用于制造一设备或设备组件的方法,其系借由提供具有复数个功能层与复数个脱离层之一多层结构并借由分离该等脱离层之一或多个层来使该等功能层脱离该多层结构以产生复数个可印刷结构。将该等可印刷结构印刷于一设备基板或借由一设备基板支撑的设备组件上。该等方法及系统提供用于制造高品质与低成本的光电设备、可印刷半导体结构、(光)电子设备及设备组件的方法。

公开(公告)号：TW201735141A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105134574

申请日：2016-10-26

申请人： 大族激光科技產業集團股份有限公司 ,  HAN'S LASER TECHNOLOGY INDUSTRY GROUP CO., LTD.

发明人： 王焱華 ,  WANG, YAN-HUA ,  莊昌輝 ,  ZHUANG, CHANG-HUI ,  李福海 ,  LI, FU-HAI ,  曾威 ,  ZENG, WEI ,  朱煒 ,  ZHU, WEI ,  尹建剛 ,  YIN, JIAN-GANG ,  高雲峰 ,  GAO, YUN-FENG

IPC分类号： H01L21/302 ,  B23K26/36

CPC分类号： H01L21/7813 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/02 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K26/53 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50

摘要： 本發明關於一種晶圓之鐳射剝離方法。該方法包括：將鐳射聚焦於晶圓內部以形成複數炸裂點，該複數炸裂點位於一分離面上；以及於-400K至0K之溫度下，對該晶圓之相對二端分別施加方向相反之力，使該晶圓沿該分離面分離成二片。由於在低溫條件下，晶圓可更好地按照複數炸裂點形成之分離面方向分離，不易於其他方向上產生新裂紋，最終達成了晶圓之無縫分離。

简体摘要： 本发明关于一种晶圆之激光剥离方法。该方法包括：将激光聚焦于晶圆内部以形成复数炸裂点，该复数炸裂点位于一分离面上；以及于-400K至0K之温度下，对该晶圆之相对二端分别施加方向相反之力，使该晶圆沿该分离面分离成二片。由于在低温条件下，晶圆可更好地按照复数炸裂点形成之分离面方向分离，不易于其他方向上产生新裂纹，最终达成了晶圆之无缝分离。