公开(公告)号：TWI615978B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW104137339

申请日：2013-08-08

Applicant: 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 費拉候史奇 史帝芬 ,  FLACHOWSKY, STEFAN ,  喀斯勒 梅堤亞斯 ,  KESSLER, MATTHIAS ,  候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/945

公开(公告)号：TWI590298B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104107391

申请日：2015-03-09

Applicant: 信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

Inventor： 若林大士 ,  WAKABAYASHI, TAISHI ,  目黑賢二 ,  MEGURO, KENJI ,  中野正剛 ,  NAKANO, MASATAKE ,  八木真一郎 ,  YAGI, SHINICHIRO ,  吉田知佐 ,  YOSHIDA, TOMOSUKE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12

公开(公告)号：TWI559372B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW100111755

申请日：2011-04-06

Applicant: 薄膜電子ASA公司 ,  THIN FILM ELECTRONICS ASA

Inventor： 洛肯博格 約格 ,  ROCKENBERGER, JOERG ,  祖爾伽 法比歐 ,  ZURCHER, FABIO ,  高島 真央 ,  TAKASHIMA, MAO

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TWI531081B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW103110982

申请日：2014-03-25

Applicant: 三菱電機股份有限公司 ,  MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

Inventor： 山本高裕 ,  YAMAMOTO, TAKAHIRO

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

公开(公告)号：TWI525664B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW100104729

申请日：2011-02-14

Applicant: 並木精密寶石股份有限公司 ,  NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKI KAISHA ,  迪斯科股份有限公司 ,  DISCO CORPORATION

Inventor： 會田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  濱元友三郎 ,  本庄慶司

IPC: H01L21/205 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  C30B33/04 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

公开(公告)号：TWI389180B

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：TW098105176

申请日：2009-02-18

Applicant: 漢陽大學校產學協力團 ,  INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION, HANYANG UNIVERSITY

Inventor： 吳在應 ,  OH, JAE-EUNG

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02538 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02513 ,  Y10S438/962

公开(公告)号：TW201306092A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101103079

申请日：2012-01-31

Applicant: 新東工業股份有限公司 ,  SINTOKOGIO, LTD.

Inventor： 井上巧一 ,  INOUE, KOUICHI ,  澀谷紀仁 ,  SHIBUYA, NORIHITO

IPC: H01L21/08 ,  B24C1/08 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/04

Abstract: 本發明之半導體元件用基板之處理方法係對於具有第1面、及與上述第1面相反之第2面之基板實施噴射處理者。該半導體元件用基板之處理方法係包含對與形成有化合物半導體成膜或應形成上述化合物半導體成膜之上述第1面相反之上述第2面實施噴射處理之步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之半导体组件用基板之处理方法系对于具有第1面、及与上述第1面相反之第2面之基板实施喷射处理者。该半导体组件用基板之处理方法系包含对与形成有化合物半导体成膜或应形成上述化合物半导体成膜之上述第1面相反之上述第2面实施喷射处理之步骤。

公开(公告)号：TWI595548B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW104127441

申请日：2015-08-24

Applicant: 信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

Inventor： 宮澤祐毅 ,  MIYAZAWA, YUKI ,  木田隆廣 ,  KIDA, TAKAHIRO ,  高野智史 ,  TAKANO, TOMOFUMI

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/30 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/26 ,  H01L27/12

公开(公告)号：TWI552354B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104131788

申请日：2013-08-08

Applicant: 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 費拉候史奇 史帝芬 ,  FLACHOWSKY, STEFAN ,  喀斯勒 梅堤亞斯 ,  KESSLER, MATTHIAS ,  候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/945

公开(公告)号：TW201634393A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105102874

申请日：2016-01-29

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: C01G15/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3457 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14612 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明的目的之一是提供一種具有新穎的結晶結構的氧化物。或者，提供一種結晶性高的氧化物。或者，提供一種雜質濃度低的氧化物。本發明的一個實施方式是一種氧化物，包括：單晶的情況下的六角形的原子排列；銦、元素M(鋁、鎵、釔或錫)及鋅的同系結構；以及藉由對氧化物的頂面的穿透式電子顯微鏡影像中的第一區域進行分析而觀察到的晶格點群，其中，在藉由對晶格點群進行沃羅諾伊分析而得到的具有多個沃羅諾伊區域的沃羅諾伊圖中，在所有沃羅諾伊區域中六角形的沃羅諾伊區域所占的比率為78%以上且100%以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一是提供一种具有新颖的结晶结构的氧化物。或者，提供一种结晶性高的氧化物。或者，提供一种杂质浓度低的氧化物。本发明的一个实施方式是一种氧化物，包括：单晶的情况下的六角形的原子排列；铟、元素M(铝、镓、钇或锡)及锌的同系结构；以及借由对氧化物的顶面的穿透式电子显微镜影像中的第一区域进行分析而观察到的晶格点群，其中，在借由对晶格点群进行沃罗诺伊分析而得到的具有多个沃罗诺伊区域的沃罗诺伊图中，在所有沃罗诺伊区域中六角形的沃罗诺伊区域所占的比率为78%以上且100%以下。