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公开(公告)号：TWI598236B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW101142333
申请日：2012-11-14
发明人： 吳晶錫 , OH, JEONG-SEOK , 金倫湖 , KIM, YUN-HO
CPC分类号： B32B3/266 , B32B7/12 , B32B2457/20 , C09J7/20 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , G02F1/133308 , G02F1/1336 , G02F2001/133314 , G02F2201/50 , G02F2201/503 , G02F2202/28 , G06F1/1601 , G06F1/1626 , G06F1/1637 , G06F2200/1612 , H01L51/52 , H04M1/0266 , H04M1/185 , Y10T428/24273 , Y10T428/24298 , Y10T428/24314 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/28
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公开(公告)号：TW201722386A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105135361
申请日：2010-11-17
IPC分类号： A61F13/537 , A61F13/534
CPC分类号： A61F13/53708 , A61F13/53704 , A61F13/53713 , A61F13/53743 , A61F2013/53721 , A61F2013/53726 , A61F2013/5373 , A61F2013/53782 , B32B3/263 , B32B3/266 , B32B3/30 , B32B5/022 , B32B5/18 , B32B27/12 , B32B2255/00 , B32B2307/724 , B32B2307/7265 , B32B2535/00 , Y10T428/24174 , Y10T428/24182 , Y10T428/24273 , Y10T428/24281 , Y10T428/24322
摘要： 一種特別適於在一吸收性物件中使用作一轉移層的複合物具有一第一層及一第二層，該第一層包含一具有複數個毛細管尺寸開孔之凸起及複數個二維排液管的成形膜，且該第二層與該等毛細管尺寸凸起的一開孔端緊密接觸且與該第一層在一z方向相間隔，該第二層是一三維多孔成形膜或一不織布。在第二層是一三維成形膜的實施例中，該膜包含複數個直徑比第一層之凸起小的毛細管尺寸凸起，且選擇性地也包含複數個排液管，該等排液管可以是二維或三維的，或二維與三維之組合。
简体摘要： 一种特别适于在一吸收性对象中使用作一转移层的复合物具有一第一层及一第二层，该第一层包含一具有复数个毛细管尺寸开孔之凸起及复数个二维排液管的成形膜，且该第二层与该等毛细管尺寸凸起的一开孔端紧密接触且与该第一层在一z方向相间隔，该第二层是一三维多孔成形膜或一不织布。在第二层是一三维成形膜的实施例中，该膜包含复数个直径比第一层之凸起小的毛细管尺寸凸起，且选择性地也包含复数个排液管，该等排液管可以是二维或三维的，或二维与三维之组合。
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公开(公告)号：TWI584906B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW103126067
申请日：2014-07-30
发明人： 荷西尼 阿巴斯 , HOSSEINI, S. ABBAS
IPC分类号： B23K26/38
CPC分类号： B23K26/0648 , B23K26/0069 , B23K26/0624 , B23K26/18 , B23K26/382 , B23K2203/50 , Y10T428/24273
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公开(公告)号：TWI574354B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW103144379
申请日：2014-12-18
申请人： 晟碟半導體(上海)有限公司 , SANDISK SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) CO., LTD. , 晟碟信息科技(上海)有限公司 , SANDISK INFORMATION TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD.
发明人： 嚴俊榮 , YAN, JUNRONG , 王偉利 , WANG, WEILI , 王麗 , WANG, LI , 萊 普拉迪波 , RAI, PRADEEP , 路昕 , LU, XIN , 顧劍斌 , GU, JIANBIN , 魯鵬 , LU, PENG
IPC分类号： H01L23/02 , H01L23/043 , H01L23/053
CPC分类号： H05K1/181 , H01L25/065 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/181 , H05K2201/10159 , H05K2201/10515 , H05K2201/2018 , Y02P70/611 , Y10T428/24273 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI572760B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW101102562
申请日：2012-01-20
发明人： 韓森 羅伯特A , HANSEN, ROBERT A. , 雷迪恩 伯瓊 , RYDIN, BJORN
CPC分类号： D21F1/0063 , B32B3/266 , B32B5/022 , B32B5/26 , B32B2255/02 , B32B2255/26 , B32B2262/0276 , B32B2262/0292 , B32B2262/04 , B32B2307/51 , B32B2413/00 , D21F7/083 , Y10T428/24132 , Y10T428/24273 , Y10T428/24298 , Y10T428/24331 , Y10T428/249942 , Y10T442/601 , Y10T442/643
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公开(公告)号：TWI529275B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW099102413
申请日：2010-01-28
发明人： 莫雷德 沙布里 , MOURAD, SABRI , 卡爾森 喬奈斯 , KARLSSON, JONAS
CPC分类号： D21G9/00 , B23K26/384 , B32B3/266 , B32B5/022 , B32B5/08 , B32B5/22 , B32B5/26 , B32B2255/02 , B32B2255/26 , B32B2262/02 , B32B2262/0253 , B32B2262/0261 , B32B2262/0269 , B32B2262/0276 , B32B2262/12 , B32B2262/14 , B32B2307/50 , B32B2307/726 , B32B2413/00 , D04H1/44 , D04H1/46 , D04H5/02 , D21F1/0036 , D21F1/0063 , D21F11/14 , Y10T83/0481 , Y10T428/24273 , Y10T428/24281
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公开(公告)号：TWI521119B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW099102405
申请日：2010-01-28
发明人： 莫雷德 沙布里 , MOURAD, SABRI , 卡爾森 喬奈斯 , KARLSSON, JONAS
CPC分类号： D21G9/00 , B23K26/384 , B32B3/266 , B32B5/022 , B32B5/08 , B32B5/22 , B32B5/26 , B32B2255/02 , B32B2255/26 , B32B2262/02 , B32B2262/0253 , B32B2262/0261 , B32B2262/0269 , B32B2262/0276 , B32B2262/12 , B32B2262/14 , B32B2307/50 , B32B2307/726 , B32B2413/00 , D04H1/44 , D04H1/46 , D04H5/02 , D21F1/0036 , D21F1/0063 , D21F11/14 , Y10T83/0481 , Y10T428/24273 , Y10T428/24281
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公开(公告)号：TW201546019A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104106175
申请日：2015-02-26
申请人： 日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人： 高垣達朗 , TAKAGAKI, TATSURO , 岩崎康範 , IWASAKI, YASUNORI , 宮澤杉夫 , MIYAZAWA, SUGIO , 井出晃啓 , IDE, AKIYOSHI , 中西宏和 , NAKANISHI, HIROKAZU
IPC分类号： C04B35/111 , H05K1/03 , H05K3/00
CPC分类号： H05K1/115 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/634 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , H01B3/12 , H01B17/56 , H05K1/03 , H05K1/0306 , H05K3/00 , H05K3/0014 , H05K3/0029 , H05K2201/09009 , Y10T428/24273
摘要： 本發明係提供導體用貫通孔2排列的絕緣基板1。絕緣基板1的厚度係25~300μm，貫通孔2的直徑W係20μm~100μm，絕緣基板1係由氧化鋁燒結體構成。氧化鋁燒結體的相對密度係99.5%以上，平均粒徑係2~50μm。
简体摘要： 本发明系提供导体用贯通孔2排列的绝缘基板1。绝缘基板1的厚度系25~300μm，贯通孔2的直径W系20μm~100μm，绝缘基板1系由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度系99.5%以上，平均粒径系2~50μm。
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公开(公告)号：TW201538417A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103113104
申请日：2014-04-09
发明人： 馬赫 , MA, HE , 魏洋 , WEI, YANG , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： B82B1/00
CPC分类号： C01F7/02 , C01B32/158 , C01P2004/13 , Y10T428/24273 , Y10T428/249921
摘要： 本發明涉及一種奈米管膜，包括複數個奈米管。所述複數個奈米管有序排列且相互連接形成一自支撐結構，部分相鄰的兩個奈米管的連接處通過離子鍵結合。
简体摘要： 本发明涉及一种奈米管膜，包括复数个奈米管。所述复数个奈米管有序排列且相互连接形成一自支撑结构，部分相邻的两个奈米管的连接处通过离子键结合。
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公开(公告)号：TW201536463A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103144133
申请日：2014-12-17
申请人： 康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人： 瑪加諾維克莎夏 , MARJANOVIC, SASHA , 皮耶希卡列特安卓 , PIECH, GARRETT ANDREW , 茲達瑟吉歐 , TSUDA, SERGIO , 華格納羅伯特史帝芬 , WAGNER, ROBERT STEPHEN
IPC分类号： B23K26/382 , B23K26/386 , C03B33/09
CPC分类号： C03B33/082 , B23K26/0057 , B23K26/0087 , B23K26/0608 , B23K26/0622 , B23K26/382 , B23K26/389 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2203/54 , C03B33/0222 , C03B33/04 , C03B33/091 , Y02P40/57 , Y10T428/15 , Y10T428/24273
摘要： 本發明係關於切割及分離薄透明材料基板內部輪廓的製程，特別係玻璃。方法涉及採用超短脈衝雷射在基板中形成穿孔或孔，然後使用CO2雷射光束促使在打孔線附近完全分離。
简体摘要： 本发明系关于切割及分离薄透明材料基板内部轮廓的制程，特别系玻璃。方法涉及采用超短脉冲激光在基板中形成穿孔或孔，然后使用CO2激光光束促使在打孔线附近完全分离。
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