公开(公告)号：TWI553134B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW100106273

申请日：2011-02-24

申请人： 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： 糸瀨將之 ,  ITOSE, MASAYUKI ,  西村麻美 ,  NISHIMURA, MAMI ,  笠見雅司 ,  KASAMI, MASASHI ,  矢野公規 ,  YANO, KOKI

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  H01L29/786

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：TWI535680B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW100103484

申请日：2011-01-28

申请人： 聖高拜歐洲實驗及研究中心 ,  SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN

发明人： 卡波迪 伊莎貝拉 ,  CABODI, ISABELLE ,  甘比爾 米契爾 ,  GAUBIL, MICHEL

IPC分类号： C04B35/484 ,  C04B35/49 ,  C03B5/43

CPC分类号： C03B5/43 ,  C04B35/481 ,  C04B35/484 ,  C04B35/486 ,  C04B35/657 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/95

公开(公告)号：TW201547334A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104105989

申请日：2015-02-25

申请人： 日本碍子股份有限公司 ,  NGK INSULATORS, LTD.

发明人： 高垣達朗 ,  TAKAGAKI, TATSURO ,  岩崎康範 ,  IWASAKI, YASUNORI ,  宮澤杉夫 ,  MIYAZAWA, SUGIO ,  井出晃啓 ,  IDE, AKIYOSHI ,  中西宏和 ,  NAKANISHI, HIROKAZU

IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  C04B35/111

CPC分类号： H05K1/115 ,  C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/634 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  H01B3/12 ,  H01B17/56 ,  H05K1/03 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/00 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/09009 ,  Y10T428/24273

摘要： 本發明係提供導體用貫通孔排列的絕緣基板。絕緣基板厚度係25~100μm，貫通孔直徑係20μm~100μm。絕緣基板係具備有：本體部分、以及露出於上述貫通孔中的露出區域。絕緣基板係由氧化鋁燒結體構成。氧化鋁燒結體的相對密度係99.5%以上，氧化鋁燒結體的純度係99.9%以上，本體部分的氧化鋁燒結體之平均粒徑係3~10μm，構成露出區域中之氧化鋁燒結體的氧化鋁粒子係呈板狀，構成板狀氧化鋁粒子的平均長度係8~25μm。

简体摘要： 本发明系提供导体用贯通孔排列的绝缘基板。绝缘基板厚度系25~100μm，贯通孔直径系20μm~100μm。绝缘基板系具备有：本体部分、以及露出于上述贯通孔中的露出区域。绝缘基板系由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度系99.5%以上，氧化铝烧结体的纯度系99.9%以上，本体部分的氧化铝烧结体之平均粒径系3~10μm，构成露出区域中之氧化铝烧结体的氧化铝粒子系呈板状，构成板状氧化铝粒子的平均长度系8~25μm。

公开(公告)号：TWI491570B

公开(公告)日：2015-07-11

申请号：TW100124477

申请日：2011-07-11

申请人： 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

发明人： 德奈卡馬修約翰 ,  DEJNEKA, MATTHEW JOHN ,  漢森班傑明傑恩 ,  HANSON, BENJAMIN ZAIN ,  凱撤湯瑪斯戴爾 ,  KETCHAM, THOMAS DALE

IPC分类号： C03B17/06 ,  C03B5/43 ,  C04B35/107

CPC分类号： C03B17/064 ,  C03B5/43 ,  C03C3/091 ,  C04B35/10 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/95 ,  Y02P40/57

公开(公告)号：TWI474991B

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW099127732

申请日：2010-08-19

申请人： 方衛良品股份有限公司 ,  EARTHGEN CORPORATION

发明人： 朱耿德 ,  CHU, KENG TE ,  邱彥鴻 ,  CHIU, YEN HUNG

IPC分类号： C04B35/5835 ,  C01B21/064 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/583 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95

公开(公告)号：TWI472496B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：TW102128859

申请日：2008-08-26

申请人： 康寧公司 ,  CORNING INCORPORATED

发明人： 喬治荷希比耳 ,  GEORGE HALSEY BEALL

IPC分类号： C03C10/00 ,  C03B32/02

CPC分类号： C03C10/0036 ,  C03B32/02 ,  C04B35/195 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

公开(公告)号：TWI469836B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：TW100143728

申请日：2011-11-29

申请人： 黑崎播磨股份有限公司 ,  KROSAKIHARIMA CORPORATION

发明人： 古川兼士 ,  FURUKAWA, KENTO ,  中元雄司 ,  NAKAMOTO, YUJI ,  規工川昭二 ,  KIKUKAWA, SHOJI ,  王丸善太 ,  OOMARU, ZENTA

IPC分类号： B22D41/32

CPC分类号： C04B35/103 ,  B22D41/32 ,  C04B35/013 ,  C04B35/043 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C22C1/051 ,  C22C29/12 ,  Y10T428/24488

公开(公告)号：TW201245510A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW101103242

申请日：2012-02-01

申请人： 東洋炭素股份有限公司

发明人： 岡田修 ,  廣瀨芳明 ,  橫井智光 ,  荻田泰久

IPC分类号： C30B

CPC分类号： C30B15/10 ,  C04B35/521 ,  C04B35/522 ,  C04B35/6269 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/85 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1032 ,  C04B41/4535 ,  C04B41/4554 ,  C04B41/457 ,  C04B41/4572

摘要： [課題]提供一種成為能夠長壽命化之單晶提拉裝置用石墨坩堝及其製造方法。[解決手段]將石英坩堝(1)作保持之石墨坩堝(2)，係由作為石墨坩堝成形體之石墨坩堝基材(3)、和被形成在石墨坩堝基材(3)之表面全體上的由酚樹脂之碳化物所成之被膜(4)，而構成之。酚樹脂，係一直被含浸至存在於石墨坩堝基材(3)表面上之開氣孔(5)的內部處。被膜(4)之形成，係並不被限定於石墨坩堝之表面的全體，而亦可僅被形成在容易進行SiC化之部分處。例如，亦可僅在坩堝之內面而全體性地作析出，亦可僅在內面中之彎曲部(小R部)處作析出，又或是，亦可僅在彎曲部和軀幹部處作析出。

简体摘要： [课题]提供一种成为能够长寿命化之单晶提拉设备用石墨坩埚及其制造方法。[解决手段]将石英坩埚(1)作保持之石墨坩埚(2)，系由作为石墨坩埚成形体之石墨坩埚基材(3)、和被形成在石墨坩埚基材(3)之表面全体上的由酚树脂之碳化物所成之被膜(4)，而构成之。酚树脂，系一直被含浸至存在于石墨坩埚基材(3)表面上之开气孔(5)的内部处。被膜(4)之形成，系并不被限定于石墨坩埚之表面的全体，而亦可仅被形成在容易进行SiC化之部分处。例如，亦可仅在坩埚之内面而全体性地作析出，亦可仅在内面中之弯曲部(小R部)处作析出，又或是，亦可仅在弯曲部和躯干部处作析出。

公开(公告)号：TW201237004A

公开(公告)日：2012-09-16

申请号：TW100139182

申请日：2011-10-27

申请人： 康寧公司

发明人： 藍哲思潘拉夫艾爾弗雷德 ,  麥英特西喬瑟夫詹姆士 ,  堤蒙斯翠西L

IPC分类号： C04B

CPC分类号： C04B35/505 ,  C03B17/064 ,  C04B35/447 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615

摘要： 本發明提供一種基本上由大體均質(Y2O3)x‧P2O5組成之陶瓷塊及製造該陶瓷塊之方法，其中0.95≦x≦1.05，該陶瓷塊具有長度LL、寬度WW及高度HH，以及至少8x10 -3 m 3 之體積VV，該體積各處基本上無裂縫，該陶瓷塊具有標準條件下Y2O3‧P2O5之理論最大密度之至少85%的密度，及在1250℃及6.89 MPa下的蠕變速率CR，其中CR≦8.0x10 -6 小時 -1 。該方法利用幹法製程，其中藉由使無水的P2O5與乾燥的Y2O3粉末反應來合成基於YPO4之起始陶瓷材料。

简体摘要： 本发明提供一种基本上由大体均质(Y2O3)x‧P2O5组成之陶瓷块及制造该陶瓷块之方法，其中0.95≦x≦1.05，该陶瓷块具有长度LL、宽度WW及高度HH，以及至少8x10 -3 m 3 之体积VV，该体积各处基本上无裂缝，该陶瓷块具有标准条件下Y2O3‧P2O5之理论最大密度之至少85%的密度，及在1250℃及6.89 MPa下的蠕变速率CR，其中CR≦8.0x10 -6 小时 -1 。该方法利用干法制程，其中借由使无水的P2O5与干燥的Y2O3粉末反应来合成基于YPO4之起始陶瓷材料。

公开(公告)号：TW201139331A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：TW100106253

申请日：2011-02-24

申请人： 康寧公司

发明人： 羅達斯蘭迪里 ,  史可莫宏恩保羅梅納德

IPC分类号： C04B

CPC分类号： C04B35/08 ,  B28B15/002 ,  B30B11/001 ,  C03B17/064 ,  C04B35/053 ,  C04B35/111 ,  C04B35/46 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95

摘要： 茲揭示一種製造大塊材料的方法，包含在深海中等靜力加壓生坏的一步驟。此方法可以相對低的成本製造非常大塊的材料。深海提供了等壓力加壓過程所需的高壓。

简体摘要： 兹揭示一种制造大块材料的方法，包含在深海中等静力加压生坏的一步骤。此方法可以相对低的成本制造非常大块的材料。深海提供了等压力加压过程所需的高压。