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公开(公告)号：TW201739965A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106103306
申请日：2017-01-26
申请人： 德國艾托特克公司 , ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人： 史派林 詹 , SPERLING, JAN , 派皮爾 史黛芬 , PIEPER, STEFAN , 瓦茲寧 葛瑞高瑞 , VAZHENIN, GRIGORY , 凱斯特蘭妮 毛羅 , CASTELLANI, MAURO , 克柏斯 安卓亞斯 , KIRBS, ANDREAS , 羅德 迪爾克 , ROHDE, DIRK
IPC分类号： C25D3/54 , C25D3/56 , C25D5/00 , C25D7/12 , H01L23/373
摘要： 一種水性銦或銦合金電鍍浴，其包含 - 銦離子源， - 酸， - 鹵素離子源， - 根據式(I)之界面活性劑其中A選自分支鏈或未分支鏈C10-C15烷基； B選自由氫及烷基組成之群； m為5至25範圍內之整數； 各R彼此獨立地選自氫及甲基；以及 - 根據式(II)之二羥基苯衍生物其中各X獨立地選自氟、氯、溴、碘、烷氧基及硝基； n為1至4範圍內之整數， 及一種用於沉積銦或銦合金之方法，在該方法中使用該浴。
简体摘要： 一种水性铟或铟合金电镀浴，其包含 - 铟离子源， - 酸， - 卤素离子源， - 根据式(I)之界面活性剂其中A选自分支链或未分支链C10-C15烷基； B选自由氢及烷基组成之群； m为5至25范围内之整数； 各R彼此独立地选自氢及甲基；以及 - 根据式(II)之二羟基苯衍生物其中各X独立地选自氟、氯、溴、碘、烷氧基及硝基； n为1至4范围内之整数， 及一种用于沉积铟或铟合金之方法，在该方法中使用该浴。
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公开(公告)号：TWI602484B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW103109392
申请日：2014-03-14
发明人： 賈亞拉珠 那葛拉賈恩 , JAYARAJU, NAGARAJAN , 納賈 艾里H , NAJJAR, ELIE H. , 巴斯塔 利昂R , BARSTAD, LEON R.
IPC分类号： H05K3/42
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公开(公告)号：TWI601457B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW103125255
申请日：2014-07-24
发明人： 石井雅史 , ISHII, MASAFUMI , 本多美里 , HONDA, MISATO , 宮本宜明 , MIYAMOTO, NOBUAKI
CPC分类号： H05K3/025 , B32B3/26 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B2457/08 , C23C18/1653 , C23C18/405 , C25D1/04 , C25D3/38 , C25D3/562 , C25D3/58 , C25D5/022 , C25D5/10 , C25D5/18 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D7/0614 , C25D7/0671 , H05K1/09 , H05K3/205 , H05K3/384 , H05K3/388 , H05K3/389 , H05K3/427 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/072 , H05K2203/0726 , H05K2203/1152
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公开(公告)号：TW201733063A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105135242
申请日：2016-10-31
申请人： 英特爾IP公司 , INTEL IP CORPORATION
发明人： 倫格魯伯 克勞斯 J. , REINGRUBER, KLAUS JURGEN , 亞伯斯 史文 , ALBERS, SVEN , 吉瑟勒 克里斯坦 G. , GEISSLER, CHRISTIAN GEORG , 賽德曼 格奧爾格 , SEIDEMANN, GEORG , 韋德哈斯 伯納德 , WAIDHAS, BERND , 華格納 湯瑪斯 , WAGNER, THOMAS , 迪特斯 馬克 , DITTES, MARC
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/525 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/528 , C25D5/022 , C25D5/10 , C25D5/48 , C25D5/54 , C25D7/123 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H05K1/0296 , H05K1/111 , H05K1/115
摘要： 在此說明具有可變的重分佈層厚度之半導體封裝體。在一例子中，一半導體封裝體包括在一介電層上之一重分佈層，且該重分佈層包括具有一第一厚度之多數第一傳導跡線及具有一第二厚度之多數第二傳導跡線。該第一厚度可與該第二厚度不同，例如，該第一厚度可小於該第二厚度。
简体摘要： 在此说明具有可变的重分布层厚度之半导体封装体。在一例子中，一半导体封装体包括在一介电层上之一重分布层，且该重分布层包括具有一第一厚度之多数第一传导迹线及具有一第二厚度之多数第二传导迹线。该第一厚度可与该第二厚度不同，例如，该第一厚度可小于该第二厚度。
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公开(公告)号：TW201732085A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105132024
申请日：2016-10-04
申请人： 德國艾托特克公司 , ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人： 瓦茲寧 葛瑞高瑞 , VAZHENIN, GRIGORY , 史派林 詹 , SPERLING, JAN , 派皮爾 史黛芬 , PIEPER, STEFAN , 凱斯特蘭妮 毛羅 , CASTELLANI, MAURO , 克柏斯 安卓亞斯 , KIRBS, ANDREAS , 羅德 迪爾克 , ROHDE, DIRK
CPC分类号： C25D5/10 , C23C18/1653 , C23C28/021 , C25D5/12 , C25D5/40 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25F5/00
摘要： 本發明係關於用於沉積銦或銦合金之方法及藉由該方法所獲得之物件，其中該方法包含以下步驟： i. 提供具有至少一個金屬或金屬合金表面之基板； ii. 將第一銦或銦合金層沉積於該表面之至少一部分上，由此由該金屬或金屬合金表面之一部分及該第一銦或銦合金層之一部分形成組成相層； iii. 部分地或完全移除未形成該組成相層之該第一銦或銦合金層之部分； iv. 將第二銦或銦合金層沉積於步驟iii.中所獲得之該表面之至少一部分上。
简体摘要： 本发明系关于用于沉积铟或铟合金之方法及借由该方法所获得之对象，其中该方法包含以下步骤： i. 提供具有至少一个金属或金属合金表面之基板； ii. 将第一铟或铟合金层沉积于该表面之至少一部分上，由此由该金属或金属合金表面之一部分及该第一铟或铟合金层之一部分形成组成相层； iii. 部分地或完全移除未形成该组成相层之该第一铟或铟合金层之部分； iv. 将第二铟或铟合金层沉积于步骤iii.中所获得之该表面之至少一部分上。
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公开(公告)号：TWI566647B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW102120499
申请日：2013-06-10
发明人： 新井英太 , ARAI, HIDETA , 三木敦史 , MIKI, ATSUSHI
IPC分类号： H05K1/09
CPC分类号： B32B15/08 , B32B2457/08 , C25D3/562 , C25D3/58 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/14 , C25D5/16 , C25D7/0614 , C25D7/0692 , H05K1/09 , H05K3/384 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355
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公开(公告)号：TWI560047B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW100142784
申请日：2011-11-22
发明人： 小畠真一 , OBATA, SHINICHI , 平岡慎哉 , HIRAOKA, SHINYA , 細越文彰 , HOSOKOSHI, FUMIAKI , 立岡步 , TATEOKA, AYUMU , 松嶋英明 , MATSUSHIMA, HIDEAKI , 三宅行一 , MIYAKE, KOICHI , 朝長咲子 , TOMONAGA, SAKIKO , 前田知志 , MAEDA, TOMOYUKI
CPC分类号： B32B15/01 , C23C2/02 , C23C28/00 , C23C28/30 , C23C28/321 , C23C28/324 , C23C28/3455 , C25D1/04 , C25D3/565 , C25D5/10 , C25D5/48 , C25D7/0614 , C25D11/38 , H01B1/026 , H05K1/09 , H05K2201/0355 , Y10T428/12438 , Y10T428/12472 , Y10T428/12792
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公开(公告)号：TWI526582B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW101147026
申请日：2012-12-12
申请人： 德國艾托特克公司 , ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人： 克瑞史莫 史帝芬 , KRETSCHMER, STEFAN , 哈特曼 菲利普 , HARTMANN, PHILIP , 羅福斯 柏德 , ROELFS, BERND
IPC分类号： C25D3/38
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公开(公告)号：TWI519683B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103110918
申请日：2014-03-24
申请人： 德國艾托特克公司 , ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH
发明人： 丁威爾斯 布喬恩 , DINGWERTH, BJOERN , 克魯吉爾 麥克 , KRUEGER, MIKE
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公开(公告)号：TW201538806A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104107417
申请日：2015-03-09
发明人： 林約翰W , LAM, JOHN W. , 艾密許伊斯梅爾 , EMESH, ISMAIL , 夏維羅伊 , SHAVIV, ROEY
CPC分类号： H01L21/2885 , C23C18/1653 , C25D3/12 , C25D5/10 , C25D5/14 , C25D5/50 , C25D7/00 , C25D7/123 , H01L21/3247 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 用於施用導電膜至具晶種層的基板上的電化學製程包括把基板放入接觸含鈷或鎳鹽的電化學電鍍浴，且電鍍浴的pH為4.0至9.0。電流經引導通過浴而至基板。浴中的鈷或鎳離子沉積至晶種層上。電鍍浴可含氯化鈷和甘氨酸。電流可為1-50毫安/平方公分。完成電化學製程後，將基板移出電鍍浴、潤洗及乾燥，接著以200℃至400℃的溫度退火，以改善材料性質及減少接縫線缺陷。可多次循環進行電鍍及退火製程。
简体摘要： 用于施用导电膜至具晶种层的基板上的电化学制程包括把基板放入接触含钴或镍盐的电化学电镀浴，且电镀浴的pH为4.0至9.0。电流经引导通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至晶种层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1-50毫安/平方公分。完成电化学制程后，将基板移出电镀浴、润洗及干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可多次循环进行电镀及退火制程。
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