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    接合體及彈性波元件
    1.
    发明专利
    接合體及彈性波元件 审中-公开
    接合体及弹性波组件

    公开(公告)号：TW202027414A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108134155

    申请日：2019-09-23

    申请人： 日商日本碍子股份有限公司 ,  NGK INSULATORS, LTD.

    发明人： 鵜野雄大 ,  UNO, YUDAI ,  後藤萬佐司 ,  GOTO, MASASHI ,  多井知義 ,  TAI, TOMOYOSHI

    IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H01L41/22 ,  H01L41/18 ,  H05H3/02 ,  G21K1/00

    摘要： 本發明提供一種接合體及彈性波元件，經由由氧比率低之矽氧化物構成的接合層，將壓電性材料基板牢固而穩定地接合至由金屬氧化物構成的支持基板上。接合體5、5A，具備：支持基板1，由金屬氧化物構成；壓電性材料基板4、4A；接合層2B，設置於支持基板與壓電性材料基板之間，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）的組成；以及非晶質層10，設置於接合層與支持基板之間。非晶質層10之氧比率，較支持基板1之氧比率更高。

    简体摘要： 本发明提供一种接合体及弹性波组件，经由由氧比率低之硅氧化物构成的接合层，将压电性材料基板牢固而稳定地接合至由金属氧化物构成的支持基板上。接合体5、5A，具备：支持基板1，由金属氧化物构成；压电性材料基板4、4A；接合层2B，设置于支持基板与压电性材料基板之间，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）的组成；以及非晶质层10，设置于接合层与支持基板之间。非晶质层10之氧比率，较支持基板1之氧比率更高。

    晶圓級超聲波晶片模組及其製造方法
    2.
    发明专利
    晶圓級超聲波晶片模組及其製造方法 审中-公开
    晶圆级超声波芯片模块及其制造方法

    公开(公告)号：TW202023075A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW107144242

    申请日：2018-12-07

    申请人： 茂丞科技股份有限公司 ,  J-METRICS TECHNOLOGY CO., LTD. ,  北京大學深圳研究生院 ,  PEKING UNIVERSITY SHENZHEN GRADUATE SCHOOL

    发明人： 金玉豐 ,  JIN, YU-FENG ,  馬盛林 ,  MA, SHENG-LIN ,  趙前程 ,  ZHAO, QIAN-CHENG ,  邱奕翔 ,  CHIU, YI-HSIANG ,  劉歡 ,  LIU, HUAN ,  李宏斌 ,  LEE, HUNG-PING ,  龔丹 ,  GONG, DAN

    IPC分类号： H01L41/02 ,  H01L41/22 ,  G06K9/00

    摘要： 一種晶圓級超聲波晶片模組，包含基板、複合層、傳導材料以及底材。基板具有貫通槽，貫通槽連通基板的上表面及基板的下表面。複合層位於基板上。複合層包括超聲波體及保護層。超聲波體位於基板的上表面且貫通槽暴露出超聲波體的下表面。保護層覆蓋超聲波體及部分的基板的上表面。保護層具有開口，開口暴露出部分的超聲波體的上表面。傳導材料位於開口內且接觸超聲波體的上表面。底材位於基板的下表面且覆蓋貫通槽，以使貫通槽、超聲波體的下表面與底材的上表面之間形成空間。

    简体摘要： 一种晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、传导材料以及底材。基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面。复合层位于基板上。复合层包括超声波体及保护层。超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面。保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面。保护层具有开口，开口暴露出部分的超声波体的上表面。传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面。底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。

    壓電裝置、形成壓電裝置的方法及形成壓電結構的方法
    3.
    发明专利
    壓電裝置、形成壓電裝置的方法及形成壓電結構的方法 审中-公开
    压电设备、形成压电设备的方法及形成压电结构的方法

    公开(公告)号：TW202018983A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW108109373

    申请日：2019-03-19

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 陳亭蓉 ,  CHEN, TING-JUNG ,  劉銘棋 ,  LIU, MING-CHYI

    IPC分类号： H01L41/22 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522

    摘要： 本發明的各種實施例關於一種形成包括壓電隔膜及多個導電層的壓電裝置的方法。所述方法包括在壓電隔膜中形成所述多個導電層，所述多個導電層彼此在縱向上偏移。在壓電隔膜之上形成罩幕層。根據罩幕層執行蝕刻製程以同時暴露出所述多個導電層中的每一導電層的上表面。在所述多個導電層中的上表面之上形成多個導通孔。

    简体摘要： 本发明的各种实施例关于一种形成包括压电隔膜及多个导电层的压电设备的方法。所述方法包括在压电隔膜中形成所述多个导电层，所述多个导电层彼此在纵向上偏移。在压电隔膜之上形成罩幕层。根据罩幕层运行蚀刻制程以同时暴露出所述多个导电层中的每一导电层的上表面。在所述多个导电层中的上表面之上形成多个导通孔。

    複合基板、壓電元件及複合基板的製造方法
    4.
    发明专利
    複合基板、壓電元件及複合基板的製造方法 审中-公开
    复合基板、压电组件及复合基板的制造方法

    公开(公告)号：TW202018981A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW108134633

    申请日：2019-09-25

    申请人： 日商京瓷股份有限公司 ,  KYOCERA CORPORATION

    发明人： 梅原幹裕 ,  UMEHARA, MOTOHIRO ,  光田国文 ,  MITSUDA, KUNIAKI ,  藤本和良 ,  FUJIMOTO, KAZUYOSHI

    IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/22

    摘要： 本發明之複合基板係具備：壓電基板，係具有作為元件形成面之第一面及其背面之第二面；藍寶石基板，係具有與第二面相對向而配置之第三面及其背面之第四面；以及氧化鋁層，係具有與第二面相對向之第五面及與第三面相對向之第六面，且接合第二面與第三面；第三面之算術平均粗糙度Ra係0.1μm以上0.5μm以下。第五面之算術平均粗糙度Ra係0.1μm以下，且比前述第三面之算術平均粗糙度Ra更小。

    简体摘要： 本发明之复合基板系具备：压电基板，系具有作为组件形成面之第一面及其背面之第二面；蓝宝石基板，系具有与第二面相对向而配置之第三面及其背面之第四面；以及氧化铝层，系具有与第二面相对向之第五面及与第三面相对向之第六面，且接合第二面与第三面；第三面之算术平均粗糙度Ra系0.1μm以上0.5μm以下。第五面之算术平均粗糙度Ra系0.1μm以下，且比前述第三面之算术平均粗糙度Ra更小。

    複合基板及複合基板的製造方法
    5.
    发明专利
    複合基板及複合基板的製造方法 审中-公开
    复合基板及复合基板的制造方法

    公开(公告)号：TW201832391A

    公开(公告)日：2018-09-01

    申请号：TW107101622

    申请日：2018-01-17

    申请人： 日商信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： 秋山昌次 ,  AKIYAMA, SHOJI ,  白井省三 ,  SHIRAI, SHOZO ,  丹野雅行 ,  TANNO, MASAYUKI

    IPC分类号： H01L41/16 ,  H01L41/22

    摘要： 本發明之課題為，提供可在300℃之製程後保持高電阻的複合基板及複合基板的製造方法。 　　本發明之解決手段為，本發明之複合基板，其特徵為，藉由於壓電材料基板，貼合晶格間氧濃度為2至10 ppma的矽(Si)晶圓作為支撐基板，並在貼合後，將壓電材料基板進行薄化而製作。壓電材料基板，特佳係設為鉭酸鋰晶圓(LT)基板或是鈮酸鋰(LN)基板。

    简体摘要： 本发明之课题为，提供可在300℃之制程后保持高电阻的复合基板及复合基板的制造方法。 　　本发明之解决手段为，本发明之复合基板，其特征为，借由于压电材料基板，贴合晶格间氧浓度为2至10 ppma的硅(Si)晶圆作为支撑基板，并在贴合后，将压电材料基板进行薄化而制作。压电材料基板，特佳系设为钽酸锂晶圆(LT)基板或是铌酸锂(LN)基板。

    水晶振動元件及具備該水晶振動元件之水晶振動子
    6.
    发明专利
    水晶振動元件及具備該水晶振動元件之水晶振動子 审中-公开
    水晶振动组件及具备该水晶振动组件之水晶振动子

    公开(公告)号：TW201830741A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW107114045

    申请日：2016-10-07

    申请人： 日商村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

    发明人： 木津徹 ,  KIDU, TORU ,  長谷貴志 ,  HASE, TAKASHI ,  鎌田威 ,  KAMADA, TAKESHI ,  開田弘明 ,  KAIDA, HIROAKI ,  杉村茂昭 ,  SUGIMURA, SHIGEAKI

    IPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H9/125

    摘要： 本發明之水晶振動元件具備：水晶片11，其具有既定之結晶方位且於俯視下具有第1方向及第2方向；及激勵電極14a、14b，其等以於施加交變電場時對水晶片11激勵厚度切變振動之方式分別設置於水晶片11之正背面；且水晶片11中之以厚度切變振動為主要振動之振動分佈具有於水晶片11之第2方向上呈帶狀延伸之振動區域40、及於水晶片11之第1方向上分別鄰接於振動區域40之兩側之非振動區域50。

    简体摘要： 本发明之水晶振动组件具备：水芯片11，其具有既定之结晶方位且于俯视下具有第1方向及第2方向；及激励电极14a、14b，其等以于施加交变电场时对水芯片11激励厚度切变振动之方式分别设置于水芯片11之正背面；且水芯片11中之以厚度切变振动为主要振动之振动分布具有于水芯片11之第2方向上呈带状延伸之振动区域40、及于水芯片11之第1方向上分别邻接于振动区域40之两侧之非振动区域50。

    複合基板及複合基板之製造方法
    9.
    发明专利
    複合基板及複合基板之製造方法 审中-公开
    复合基板及复合基板之制造方法

    公开(公告)号：TW201733175A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW106102981

    申请日：2017-01-25

    申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

    发明人： 秋山昌次 ,  AKIYAMA, SHOJI ,  丹野雅行 ,  TANNO, MASAYUKI

    IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

    摘要： 本發明係一種複合基板及複合基板之製造方法，其課題為提供可在壓電材料層與支持基板之貼合中得到充分之接合強度的複合基板及複合基板之製造方法。解決手段為本發明係具備：將第1元素作為主成分之單結晶支持基板，和加以設置於單結晶支持基板上，將第2元素(除了氧以外)作為主成分之氧化物單結晶層，和加以設置於單結晶支持基板與氧化物單結晶層之間，包含第1元素，第2元素及Ar之非晶質層的複合基板，其特徵為非晶質層係具有：第1元素的比例則成為較第2元素的比例為高之第1非晶質範圍，和第2元素的比例則成為較第1元素的比例為高之第2非晶質範圍，而含於第1非晶質範圍之Ar的濃度係較含於第2非晶質範圍之Ar的濃度為高，且為3原子%以上者。

    简体摘要： 本发明系一种复合基板及复合基板之制造方法，其课题为提供可在压电材料层与支持基板之贴合中得到充分之接合强度的复合基板及复合基板之制造方法。解决手段为本发明系具备：将第1元素作为主成分之单结晶支持基板，和加以设置於单结晶支持基板上，将第2元素(除了氧以外)作为主成分之氧化物单结晶层，和加以设置於单结晶支持基板与氧化物单结晶层之间，包含第1元素，第2元素及Ar之非晶质层的复合基板，其特征为非晶质层系具有：第1元素的比例则成为较第2元素的比例为高之第1非晶质范围，和第2元素的比例则成为较第1元素的比例为高之第2非晶质范围，而含于第1非晶质范围之Ar的浓度系较含于第2非晶质范围之Ar的浓度为高，且为3原子%以上者。