公开(公告)号：US20110182115A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12871375

申请日：2010-08-30

Applicant: Soon-Gil Yoon ,  Jun-Ku Ahn

Inventor： Soon-Gil Yoon ,  Jun-Ku Ahn

IPC: G11C11/00 ,  B05D5/12

CPC classification number: H01L45/1616 ,  C30B25/005 ,  C30B29/46 ,  C30B29/605 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144 ,  Y10S977/891

Abstract: Disclosed herein is a method for manufacturing (In)—(Sb)—(Te) (IST) nanowires and a phase-change memory device comprising the nanowires. The method comprises providing a substrate and vapors of In, Sb and Te precursors in a chamber and allowing the vapors to react with each other on the substrate in the chamber at a temperature of 230-300° C. and a pressure of 7-15 Torr. With the method, IST nanowires can be fabricated cost-effectively.

Abstract translation: 本文公开了用于制造（In） - （Sb） - （Te）（IST）纳米线的方法和包括纳米线的相变存储器件。 该方法包括在室中提供衬底和In，Sb和Te前体的蒸气，并允许蒸气在室中的基底上彼此反应，温度为230-300℃，压力为7-15 托尔 通过该方法，可以经济有效地制造IST纳米线。

公开(公告)号：US20150325787A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：US14599848

申请日：2015-01-19

Applicant: Jun-Ku AHN ,  Jeong-Hee PARK

Inventor： Jun-Ku AHN ,  Jeong-Hee PARK

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1683 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1666

Abstract: Example methods of filling an opening and of manufacturing a phase change memory device are disclosed. In an example method, an insulation layer having an opening is formed on a substrate. A material layer is formed on the insulation layer. The material layer fills the opening, and has a void. A first laser beam is irradiated onto the material layer, thereby removing the void or reducing a size of the void. The first laser beam is generated from a solid state laser medium.

Abstract translation: 公开了填充开口和制造相变存储器件的示例性方法。 在示例性方法中，在基板上形成具有开口的绝缘层。 在绝缘层上形成材料层。 材料层填充开口，并具有空隙。 将第一激光束照射到材料层上，从而去除空隙或减小空隙的尺寸。 第一激光束由固态激光介质产生。

公开(公告)号：US08154907B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12871375

申请日：2010-08-30

Applicant: Soon-Gil Yoon ,  Jun-Ku Ahn

Inventor： Soon-Gil Yoon ,  Jun-Ku Ahn

IPC: G11C11/00

CPC classification number: H01L45/1616 ,  C30B25/005 ,  C30B29/46 ,  C30B29/605 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144 ,  Y10S977/891

Abstract: Disclosed herein is a method for manufacturing (In)—(Sb)—(Te) (IST) nanowires and a phase-change memory device comprising the nanowires. The method comprises providing a substrate and vapors of In, Sb and Te precursors in a chamber and allowing the vapors to react with each other on the substrate in the chamber at a temperature of 230-300° C. and a pressure of 7-15 Torr. With the method, IST nanowires can be fabricated cost-effectively.

Abstract translation: 本文公开了用于制造（In） - （Sb） - （Te）（IST）纳米线的方法和包括纳米线的相变存储器件。 该方法包括在室中提供衬底和In，Sb和Te前体的蒸气，并允许蒸气在室中的基底上彼此反应，温度为230-300℃，压力为7-15 托尔 通过该方法，可以经济有效地制造IST纳米线。