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1.发明授权Methods of forming CMOS transistors using tensile stress layers and hydrogen plasma treatment 有权使用拉伸应力层和氢等离子体处理形成CMOS晶体管的方法公开(公告)号：US08790972B2
公开(公告)日：2014-07-29
申请号：US12859644
申请日：2010-08-19
申请人： Yong-Kuk Jeong , Laegu Kang , Kim Nam Sung , Dae-won Yang
发明人： Yong-Kuk Jeong , Laegu Kang , Kim Nam Sung , Dae-won Yang
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/8238 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/28255 , H01L29/045 , H01L29/1054 , H01L29/6659 , H01L29/66651 , H01L29/7833 , H01L29/7843
摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming a PMOS transistor having a SiGe channel region therein and then exposing at least a portion of the PMOS transistor to a hydrogen plasma. A tensile stress layer may be formed on the PMOS transistor. The exposing step may include exposing source and drain regions of the PMOS transistor to the hydrogen plasma.
摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括形成其中具有SiGe沟道区的PMOS晶体管，然后将至少一部分PMOS晶体管暴露于氢等离子体。 可以在PMOS晶体管上形成拉伸应力层。 曝光步骤可以包括将PMOS晶体管的源极和漏极区域暴露于氢等离子体。
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2.发明申请Methods of Forming CMOS Transistors Using Tensile Stress Layers and Hydrogen Plasma Treatment 有权使用拉伸应力层和氢等离子体处理形成CMOS晶体管的方法公开(公告)号：US20120045873A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：US12859644
申请日：2010-08-19
申请人： Yong-Kuk Jeong , Laegu Kang , Kim Nam Sung , Dae-won Yang
发明人： Yong-Kuk Jeong , Laegu Kang , Kim Nam Sung , Dae-won Yang
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/28255 , H01L29/045 , H01L29/1054 , H01L29/6659 , H01L29/66651 , H01L29/7833 , H01L29/7843
摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming a PMOS transistor having a SiGe channel region therein and then exposing at least a portion of the PMOS transistor to a hydrogen plasma. A tensile stress layer may be formed on the PMOS transistor. The exposing step may include exposing source and drain regions of the PMOS transistor to the hydrogen plasma.
摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括形成其中具有SiGe沟道区的PMOS晶体管，然后将至少一部分PMOS晶体管暴露于氢等离子体。 可以在PMOS晶体管上形成拉伸应力层。 曝光步骤可以包括将PMOS晶体管的源极和漏极区域暴露于氢等离子体。
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