公开(公告)号：US08790972B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US12859644

申请日：2010-08-19

申请人： Yong-Kuk Jeong ,  Laegu Kang ,  Kim Nam Sung ,  Dae-won Yang

发明人： Yong-Kuk Jeong ,  Laegu Kang ,  Kim Nam Sung ,  Dae-won Yang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming a PMOS transistor having a SiGe channel region therein and then exposing at least a portion of the PMOS transistor to a hydrogen plasma. A tensile stress layer may be formed on the PMOS transistor. The exposing step may include exposing source and drain regions of the PMOS transistor to the hydrogen plasma.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括形成其中具有SiGe沟道区的PMOS晶体管，然后将至少一部分PMOS晶体管暴露于氢等离子体。 可以在PMOS晶体管上形成拉伸应力层。 曝光步骤可以包括将PMOS晶体管的源极和漏极区域暴露于氢等离子体。

公开(公告)号：US20120045873A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US12859644

申请日：2010-08-19

申请人： Yong-Kuk Jeong ,  Laegu Kang ,  Kim Nam Sung ,  Dae-won Yang

发明人： Yong-Kuk Jeong ,  Laegu Kang ,  Kim Nam Sung ,  Dae-won Yang

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming a PMOS transistor having a SiGe channel region therein and then exposing at least a portion of the PMOS transistor to a hydrogen plasma. A tensile stress layer may be formed on the PMOS transistor. The exposing step may include exposing source and drain regions of the PMOS transistor to the hydrogen plasma.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括形成其中具有SiGe沟道区的PMOS晶体管，然后将至少一部分PMOS晶体管暴露于氢等离子体。 可以在PMOS晶体管上形成拉伸应力层。 曝光步骤可以包括将PMOS晶体管的源极和漏极区域暴露于氢等离子体。

公开(公告)号：US20080220584A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US11683590

申请日：2007-03-08

申请人： Jun-jung Kim ,  Ja-hum Ku ,  Jae-eon Park ,  Sunfei Fang ,  Alois Gutmann ,  O-sung Kwon ,  Johnny Widodo ,  Dae-won Yang

发明人： Jun-jung Kim ,  Ja-hum Ku ,  Jae-eon Park ,  Sunfei Fang ,  Alois Gutmann ,  O-sung Kwon ,  Johnny Widodo ,  Dae-won Yang

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823425

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include depositing an electrically insulating layer onto an integrated circuit substrate having integrated circuit structures thereon. This deposition step results in the formation of an electrically insulating layer having an undulating surface profile, which includes at least one peak and at least on valley adjacent to the at least one peak. A non-uniform thickening step is then performed. This non-uniform thickening step includes thickening a portion of the electrically insulating layer by redepositing portions of the electrically insulating layer from the least one peak to the at least one valley. This redeposition occurs using a sputter deposition technique that utilizes the electrically insulating layer as a sputter target.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括在其上具有集成电路结构的集成电路衬底上沉积电绝缘层。 该沉积步骤导致形成具有起伏表面轮廓的电绝缘层，该电绝缘层包括至少一个峰和至少与至少一个峰相邻的峰。 然后进行非均匀的增稠步骤。 这种不均匀的增厚步骤包括通过将电绝缘层的部分从至少一个峰重新沉积到至少一个谷部来增厚电绝缘层的一部分。 使用利用电绝缘层作为溅射靶的溅射沉积技术发生这种再沉积。

公开(公告)号：US07541288B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US11683590

申请日：2007-03-08

申请人： Jun-jung Kim ,  Ja-hum Ku ,  Jae-eon Park ,  Sunfei Fang ,  Alois Gutmann ,  O-sung Kwon ,  Johnny Widodo ,  Dae-won Yang

发明人： Jun-jung Kim ,  Ja-hum Ku ,  Jae-eon Park ,  Sunfei Fang ,  Alois Gutmann ,  O-sung Kwon ,  Johnny Widodo ,  Dae-won Yang

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823425

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include depositing an electrically insulating layer onto an integrated circuit substrate having integrated circuit structures thereon. This deposition step results in the formation of an electrically insulating layer having an undulating surface profile, which includes at least one peak and at least one valley adjacent to the at least one peak. A non-uniform thickening step is then performed. This non-uniform thickening step includes thickening a portion of the electrically insulating layer by redepositing portions of the electrically insulating layer from the least one peak to the at least one valley. This redeposition occurs using a sputter deposition technique that utilizes the electrically insulating layer as a sputter target.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括在其上具有集成电路结构的集成电路衬底上沉积电绝缘层。 该沉积步骤导致形成具有起伏表面轮廓的电绝缘层，其包括至少一个峰和至少一个与该至少一个峰相邻的谷。 然后进行非均匀的增稠步骤。 这种不均匀的增厚步骤包括通过将电绝缘层的部分从至少一个峰重新沉积到至少一个谷部来增厚电绝缘层的一部分。 使用利用电绝缘层作为溅射靶的溅射沉积技术发生这种再沉积。