公开(公告)号：US20120319299A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13580646

申请日：2011-02-10

申请人： Tony Albrecht ,  Markus Maute ,  Martin Reufer ,  Heribert Zull

发明人： Tony Albrecht ,  Markus Maute ,  Martin Reufer ,  Heribert Zull

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor diode has a first semiconductor layer (102) of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type having a doping. The second semiconductor layer has a vertical electrical via region (106) which is connected to the first semiconductor layer and in which the doping is modified in such a way that the electrical via region (106) has the first conductivity type. A method for producing such a semiconductor diode is described.

摘要翻译： 半导体二极管具有第一导电类型的第一半导体层（102）和具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层。 第二半导体层具有连接到第一半导体层的垂直电通孔区域（106），并且其中掺杂被修改为使得电通孔区域（106）具有第一导电类型。 描述了制造这种半导体二极管的方法。

公开(公告)号：US20080187017A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12011437

申请日：2008-01-25

申请人： Norbert Linder ,  Martin Reufer

发明人： Norbert Linder ,  Martin Reufer

IPC分类号： H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S3/168 ,  H01S3/0635 ,  H01S3/0933

摘要： An organic semiconductor laser, which is produced integrally with an electrically operable inorganic LED (1), and also the method for producing said laser.

摘要翻译： 与电气可操作的无机LED（1）一体制造的有机半导体激光器以及用于制造所述激光器的方法。

公开(公告)号：US20140138730A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US14126033

申请日：2012-06-01

申请人： Martin Reufer ,  Markus Maute ,  Tony Albrecht

发明人： Martin Reufer ,  Markus Maute ,  Tony Albrecht

IPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

摘要： A method of producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips is provided. At least one trench is incorporated into the semiconductor body by means of at least one structuring process. The trench breaks through the active zone in a vertical direction. At least one cleaning process is performed at least on exposed locations of the semiconductor body in the region of the trench. The cleaning process includes at least one plasma cleaning process, and the plasma cleaning process at least reduces a number and/or a spatial expansion of structuring residues at exposed locations of the semiconductor body at least in the region of the trench. At least one passivation layer is applied at least to exposed locations of the semiconductor body in the region of the trench.

摘要翻译： 提供了一种制造多个光电子半导体芯片的方法。 通过至少一个结构化工艺将至少一个沟槽结合到半导体本体中。 沟槽在垂直方向穿过活动区域。 至少在沟槽区域中至少在半导体本体的暴露位置上进行至少一次清洁处理。 清洁过程包括至少一个等离子体清洁过程，并且等离子体清洁过程至少在沟槽的区域中减少半导体本体的暴露位置处的构造残余物的数量和/或空间扩展。 至少一个钝化层至少施加到沟槽区域中的半导体本体的暴露位置。

公开(公告)号：US07970036B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12011437

申请日：2008-01-25

申请人： Norbert Linder ,  Martin Reufer

发明人： Norbert Linder ,  Martin Reufer

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S3/168 ,  H01S3/0635 ,  H01S3/0933

摘要： An organic semiconductor laser, which is produced integrally with an electrically operable inorganic LED (1), and also the method for producing said laser.

摘要翻译： 与电气可操作的无机LED（1）一体制造的有机半导体激光器以及用于制造所述激光器的方法。

公开(公告)号：US08772911B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13580646

申请日：2011-02-10

申请人： Tony Albrecht ,  Markus Maute ,  Martin Reufer ,  Heribert Zull

发明人： Tony Albrecht ,  Markus Maute ,  Martin Reufer ,  Heribert Zull

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor diode has a first semiconductor layer (102) of a first conductivity type and a second semiconductor layer of a second conductivity type having a doping. The second semiconductor layer has a vertical electrical via region (106) which is connected to the first semiconductor layer and in which the doping is modified in such a way that the electrical via region (106) has the first conductivity type. A method for producing such a semiconductor diode is described.

摘要翻译： 半导体二极管具有第一导电类型的第一半导体层（102）和具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层。 第二半导体层具有连接到第一半导体层的垂直电通孔区域（106），并且其中掺杂被修改为使得电通孔区域（106）具有第一导电类型。 描述了制造这种半导体二极管的方法。

公开(公告)号：US20100284434A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12810644

申请日：2008-12-15

申请人： Harald Koenig ,  Christian Lauer ,  Martin Mueller ,  Martin Reufer ,  Bernd Mayer

发明人： Harald Koenig ,  Christian Lauer ,  Martin Mueller ,  Martin Reufer ,  Bernd Mayer

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/0425 ,  H01S3/08072 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4081 ,  H01S2301/18

摘要： An edge emitting semiconductor laser chip includes at least one contact strip, wherein the contact strip has a width B, an active zone, in which electromagnetic radiation is generated during the operation of the semiconductor laser chip, and at least two current barriers, arranged on different sides of the contact strip and extending along the contact strip, wherein the largest distance V between at least one of the current barriers and the contact strip is chosen in such a way that the ratio of the largest distance V to the width B is V/B>1.

摘要翻译： 边缘发射半导体激光器芯片包括至少一个接触条，其中接触带具有宽度B，活动区域，其中在半导体激光器芯片的操作期间产生电磁辐射，以及至少两个电流屏障，布置在 接触片的不同侧面并沿着接触片延伸，其中至少一个电流屏障和接触片之间的最大距离V选择为使得最大距离V与宽度B之比为V / B> 1。