公开(公告)号：US20080063798A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11847158

申请日：2007-08-29

申请人： Shreyas Kher ,  Son Nguyen ,  Pravin Narwankar ,  Sanjeev Tandon ,  Steve Jumper ,  Vincent Sermona

发明人： Shreyas Kher ,  Son Nguyen ,  Pravin Narwankar ,  Sanjeev Tandon ,  Steve Jumper ,  Vincent Sermona

IPC分类号： C23C16/22

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582

摘要： The present invention generally comprises an apparatus for depositing high k dielectric or metal gate materials in which toxic, flammable, or pyrophoric precursors may be used. Exhaust conduits may be placed on the liquid precursor or solid precursor delivery cabinet, the gas panel, and the water vapor generator area. The exhaust conduits permit a technician to access the apparatus without undue exposure to toxic, pyrophoric, or flammable gases that may collect within the liquid deliver cabinet, gas panel, and water vapor generator area.

摘要翻译： 本发明通常包括用于沉积高k电介质或金属栅极材料的装置，其中可以使用有毒的，易燃的或发火的前体。 排气管可以放置在液体前体或固体前体输送柜，气体面板和水蒸气发生器区域上。 排气管道允许技术人员访问设备，而不会过度暴露于可能在液体输送柜，气体面板和水蒸汽发生器区域内收集的有毒，自燃或可燃气体。