公开(公告)号：US09099423B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US14143719

申请日：2013-12-30

Applicant: ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： Keith Doran Weeks ,  John Tolle ,  Matthew G. Goodman ,  Sandeep Mehta

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135

Abstract: A method of forming a semiconductor material incorporating an electrical dopant is disclosed. In one aspect, a method of incorporating dopant in a semiconductor film comprises forming a first semiconductor material incorporating the dopant at a first dopant concentration and preferentially etching a portion of the first semiconductor material, wherein etching leaves a first etched semiconductor material incorporating the dopant at a second dopant concentration higher than the first dopant concentration.

Abstract translation: 公开了一种形成掺有电掺杂剂的半导体材料的方法。 在一个方面，一种在半导体膜中掺入掺杂剂的方法包括以第一掺杂剂浓度形成掺入掺杂剂的第一半导体材料，并优先蚀刻第一半导体材料的一部分，其中蚀刻留下掺入掺杂剂的第一蚀刻半导体材料 第二掺杂剂浓度高于第一掺杂剂浓度。

公开(公告)号：US20150014816A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：US14143719

申请日：2013-12-30

Applicant: ASM IP Holding B.V.

Inventor： Keith Doran Weeks ,  John Tolle ,  Matthew G. Goodman ,  Sandeep Mehta

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135

Abstract: A method of forming a semiconductor material incorporating an electrical dopant is disclosed. In one aspect, a method of incorporating dopant in a semiconductor film comprises forming a first semiconductor material incorporating the dopant at a first dopant concentration and preferentially etching a portion of the first semiconductor material, wherein etching leaves a first etched semiconductor material incorporating the dopant at a second dopant concentration higher than the first dopant concentration.

Abstract translation: 公开了一种形成掺有电掺杂剂的半导体材料的方法。 在一个方面，一种在半导体膜中掺入掺杂剂的方法包括以第一掺杂剂浓度形成掺入掺杂剂的第一半导体材料，并优先蚀刻第一半导体材料的一部分，其中蚀刻留下掺入掺杂剂的第一蚀刻半导体材料 第二掺杂剂浓度高于第一掺杂剂浓度。