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1.发明申请METHODS OF FABRICATING NANOSTRUCTURED ZnO ELECTRODES FOR EFFICIENT DYE SENSITIZED SOLAR CELLS 有权制备高效透明太阳能电池的纳米结构ZnO电极的方法公开(公告)号：US20100203674A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：US12761884
申请日：2010-04-16
申请人： Ashutosh Tiwari , Michael R. Snure
发明人： Ashutosh Tiwari , Michael R. Snure
IPC分类号： H01L21/36
CPC分类号： H01G9/204 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y10S977/723 , Y10S977/782 , Y10S977/811
摘要： The present invention provides methods of forming metal oxide semiconductor nanostructures and, in particular, zinc oxide (ZnO) semiconductor nanostructures, possessing high surface area, plant-like morphologies on a variety of substrates. Optoelectronic devices, such as photovoltaic cells, incorporating the nanostructures are also provided.
摘要翻译： 本发明提供形成金属氧化物半导体纳米结构的方法，特别是在各种基底上具有高表面积，植物样形态的氧化锌（ZnO）半导体纳米结构。 还提供了纳入纳米结构的光电器件，例如光伏电池。
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2.发明授权Methods of fabricating nanostructured ZnO electrodes for efficient dye sensitized solar cells 有权制造用于高效染料敏化太阳能电池的纳米结构ZnO电极的方法公开(公告)号：US07972900B2
公开(公告)日：2011-07-05
申请号：US12761884
申请日：2010-04-16
申请人： Ashutosh Tiwari , Michael R. Snure
发明人： Ashutosh Tiwari , Michael R. Snure
CPC分类号： H01G9/204 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y10S977/723 , Y10S977/782 , Y10S977/811
摘要： The present invention provides methods of forming metal oxide semiconductor nanostructures and, in particular, zinc oxide (ZnO) semiconductor nanostructures, possessing high surface area, plant-like morphologies on a variety of substrates. Optoelectronic devices, such as photovoltaic cells, incorporating the nanostructures are also provided.
摘要翻译： 本发明提供形成金属氧化物半导体纳米结构的方法，特别是在各种基底上具有高表面积，植物样形态的氧化锌（ZnO）半导体纳米结构。 还提供了纳入纳米结构的光电器件，例如光伏电池。
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3.发明授权公开(公告)号：US07804149B2
公开(公告)日：2010-09-28
申请号：US11695393
申请日：2007-04-02
申请人： Ashutosh Tiwari , Michael R. Snure
发明人： Ashutosh Tiwari , Michael R. Snure
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0296 , H01L29/41
CPC分类号： H01G9/204 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y10S977/723 , Y10S977/782 , Y10S977/811
摘要： The present invention provides methods of forming metal oxide semiconductor nanostructures and, in particular, zinc oxide (ZnO) semiconductor nanostructures, possessing high surface area, plant-like morphologies on a variety of substrates. Optoelectronic devices, such as photovoltaic cells, incorporating the nanostructures are also provided.
摘要翻译： 本发明提供形成金属氧化物半导体纳米结构的方法，特别是在各种基底上具有高表面积，植物样形态的氧化锌（ZnO）半导体纳米结构。 还提供了纳入纳米结构的光电器件，例如光伏电池。
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4.发明申请METHODS OF FABRICATING NANOSTRUCTURED ZnO ELECTRODES FOR EFFICIENT DYE SENSITIZED SOLAR CELLS 有权制备高效透明太阳能电池的纳米结构ZnO电极的方法公开(公告)号：US20090008637A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：US11695393
申请日：2007-04-02
申请人： Ashutosh Tiwari , Michael R. Snure
发明人： Ashutosh Tiwari , Michael R. Snure
IPC分类号： H01L29/22 , H01L21/34 , H01L31/0296
CPC分类号： H01G9/204 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y10S977/723 , Y10S977/782 , Y10S977/811
摘要： The present invention provides methods of forming metal oxide semiconductor nanostructures and, in particular, zinc oxide (ZnO) semiconductor nanostructures, possessing high surface area, plant-like morphologies on a variety of substrates. Optoelectronic devices, such as photovoltaic cells, incorporating the nanostructures are also provided.
摘要翻译： 本发明提供形成金属氧化物半导体纳米结构的方法，特别是在各种基底上具有高表面积，植物样形态的氧化锌（ZnO）半导体纳米结构。 还提供了纳入纳米结构的光电器件，例如光伏电池。
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