公开(公告)号：US20160307994A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：US14902270

申请日：2014-10-22

Applicant: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.

Inventor： Genyi Wang ,  Xiaoshe Deng ,  Shengrong Zong ,  Dongfei Zhou

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266 ,  H01L29/10 ,  H01L21/311 ,  H01L21/324 ,  H01L21/027 ,  H01L29/66 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: A method for preparing a power diode, including: providing a substrate (10), growing a N type layer (20) on the front surface of the substrate (10); forming a terminal protecting ring; forming an oxide layer (30), knot-pushing to the terminal protecting ring; forming a gate oxide layer (60), depositing a poly-silicon layer (70) on the gate oxide layer (60); depositing a SiO2 layer (80) on the surface of the poly-silicon layer (70) and a oxide layer (50); forming a N type heavy doped region (92); forming a P+ region; removing a photoresist, implanting P type ions using the SiO2 layer (80) as a mask layer, and forming a P type body region; heat annealing; forming a side wall structure in the opening of the poly-silicon layer (70), the gate oxide layer (60) being etched, and removing the SiO2 layer (80); and processing a front surface metallization and a back surface metallization treatment. According to the method for preparing the power diode, by adjusting the isotropy etching level of the SiO2 layer and the ion implanting dose and energy, the threshold voltage of a DMOS structure can be adjusted, and the adjustment of the forward voltage drop for the device can be achieved.

Abstract translation: 一种制备功率二极管的方法，包括：提供衬底（10），在衬底（10）的前表面上生长N型层（20）; 形成端保护环; 形成氧化物层（30），向所述端子保护环打结; 形成栅极氧化物层（60），在所述栅极氧化物层（60）上沉积多晶硅层（70）。 在所述多晶硅层（70）的表面和氧化物层（50）上沉积SiO 2层（80）; 形成N型重掺杂区域（92）; 形成P +区; 去除光致抗蚀剂，使用SiO 2层（80）作为掩模层注入P型离子，形成P型体区; 热退火; 在所述多晶硅层（70）的开口部形成侧壁结构，蚀刻所述栅极氧化物层（60），除去所述SiO 2层（80）。 以及处理前表面金属化和背面金属化处理。 根据制备功率二极管的方法，通过调整SiO2层的各向同性蚀刻水平和离子注入剂量和能量，可以调整DMOS结构的阈值电压，并调整器件的正向压降 可以实现。