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    Domain wall assisted spin torque transfer magnetresistive random access memory structure
    3.
    发明授权
    Domain wall assisted spin torque transfer magnetresistive random access memory structure 有权
    域壁辅助自旋转矩传递磁阻随机存取存储器结构

    公开(公告)号：US08648401B2

    公开(公告)日：2014-02-11

    申请号：US12884351

    申请日：2010-09-17

    申请人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuo-Feng Huang ,  Ming-Te Liu ,  Chun-Jung Lin ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen

    发明人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuo-Feng Huang ,  Ming-Te Liu ,  Chun-Jung Lin ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： A semiconductor memory device includes a first ferromagnetic layer magnetically pinned and positioned within a first region of a substrate; a second ferromagnetic layer approximate the first ferromagnetic layer; and a barrier layer interposed between the first ferromagnetic layer and the first portion of the second ferromagnetic layer. The second ferromagnetic layer includes a first portion being magnetically free and positioned within the first region; a second portion magnetically pinned to a first direction and positioned within a second region of the substrate, the second region contacting the first region from a first side; and a third portion magnetically pinned to a second direction and positioned within a third region of the substrate, the third region contacting the first region from a second side.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括磁性固定并位于衬底的第一区域内的第一铁磁层; 第二铁磁层近似第一铁磁层; 以及介于所述第一铁磁层与所述第二铁磁层的所述第一部分之间的阻挡层。 第二铁磁层包括无磁性的第一部分，并且位于第一区域内; 第二部分，磁性地固定在第一方向上并且位于所述基板的第二区域内，所述第二区域从第一侧接触所述第一区域; 以及第三部分，其磁性地固定到第二方向并且位于所述基板的第三区域内，所述第三区域从所述第二侧面接触所述第一区域。

    REVERSE CONNECTION MTJ CELL FOR STT MRAM
    4.
    发明申请
    REVERSE CONNECTION MTJ CELL FOR STT MRAM 有权
    反向连接用于STT MRAM的MTJ单元

    公开(公告)号：US20110122674A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US12626092

    申请日：2009-11-25

    申请人： CHUN-JUNG LIN ,  Yu-Jen Wang ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen ,  Ming-Te Liu

    发明人： CHUN-JUNG LIN ,  Yu-Jen Wang ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen ,  Ming-Te Liu

    IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L29/82 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

    摘要： Apparatus and methods are disclosed herein for a reverse-connection STT MTJ element of a MRAM to overcome the source degeneration effect when switching the magnetization of the MTJ element from the parallel to the anti-parallel direction. A memory cell of a MRAM having a reverse-connection MTJ element includes a switching device having a source, a gate, and a drain, and a reverse-connection MTJ device having a free layer, a fixed layer, and an insulator layer interposed between the free layer and the fixed layer. The free layer of the reverse-connection MTJ device is connected to the drain of the switching device and the fixed layer is connected to a bit line (BL). The reverse-connection MTJ device applies the lower IMTJ capability of the memory cell caused by the source degeneration effect to the less stringent IMTJ(AP->P) while preserving the higher IMTJ capability for the more demanding IMTJ(P->AP).

    摘要翻译： 本文公开了用于MRAM的反向连接STT MTJ元件的装置和方法，以在将MTJ元件的磁化从平行方向切换到反平行方向时克服源退化效应。 具有反向连接MTJ元件的MRAM的存储单元包括具有源极，栅极和漏极的开关器件和具有自由层，固定层和绝缘体层的反向连接MTJ器件， 自由层和固定层。 反连接MTJ器件的自由层连接到开关器件的漏极，固定层连接到位线（BL）。 反向连接MTJ设备将由源退化效应引起的存储器单元的较低IMTJ能力应用于较不严格的IMTJ（AP-> P），同时为更苛刻的IMTJ（P-> AP）保持较高的IMTJ能力。

    Reverse connection MTJ cell for STT MRAM
    5.
    发明授权
    Reverse connection MTJ cell for STT MRAM 有权
    用于STT MRAM的反向连接MTJ单元

    公开(公告)号：US08416600B2

    公开(公告)日：2013-04-09

    申请号：US12626092

    申请日：2009-11-25

    申请人： Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen ,  Ming-Te Liu

    发明人： Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen ,  Ming-Te Liu

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

    摘要： Apparatus and methods are disclosed herein for a reverse-connection STT MTJ element of a MRAM to overcome the source degeneration effect when switching the magnetization of the MTJ element from the parallel to the anti-parallel direction. A memory cell of a MRAM having a reverse-connection MTJ element includes a switching device having a source, a gate, and a drain, and a reverse-connection MTJ device having a free layer, a fixed layer, and an insulator layer interposed between the free layer and the fixed layer. The free layer of the reverse-connection MTJ device is connected to the drain of the switching device and the fixed layer is connected to a bit line (BL). The reverse-connection MTJ device applies the lower IMTJ capability of the memory cell caused by the source degeneration effect to the less stringent IMTJ(AP->P) while preserving the higher IMTJ capability for the more demanding IMTJ(P->AP).

    摘要翻译： 本文公开了用于MRAM的反向连接STT MTJ元件的装置和方法，以在将MTJ元件的磁化从平行方向切换到反平行方向时克服源退化效应。 具有反向连接MTJ元件的MRAM的存储单元包括具有源极，栅极和漏极的开关器件和具有自由层，固定层和绝缘体层的反向连接MTJ器件， 自由层和固定层。 反连接MTJ器件的自由层连接到开关器件的漏极，固定层连接到位线（BL）。 反向连接MTJ设备将由源退化效应引起的存储器单元的较低IMTJ能力应用于较不严格的IMTJ（AP-> P），同时为更苛刻的IMTJ（P-> AP）保持较高的IMTJ能力。

    DOMAIN WALL ASSISTED SPIN TORQUE TRANSFER MAGNETRESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURE
    6.
    发明申请
    DOMAIN WALL ASSISTED SPIN TORQUE TRANSFER MAGNETRESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURE 有权
    域壁辅助转子扭矩传递磁阻随机访问存储器结构

    公开(公告)号：US20120068279A1

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：US12884351

    申请日：2010-09-17

    申请人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuo-Feng Huang ,  Ming-Te Liu ,  Chun-Jung Lin ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen

    发明人： Chih-Huang Lai ,  Sheng-Huang Huang ,  Kuo-Feng Huang ,  Ming-Te Liu ,  Chun-Jung Lin ,  Ya-Chen Kao ,  Wen-Cheng Chen

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

    摘要： A semiconductor memory device includes a first ferromagnetic layer magnetically pinned and positioned within a first region of a substrate; a second ferromagnetic layer approximate the first ferromagnetic layer; and a barrier layer interposed between the first ferromagnetic layer and the first portion of the second ferromagnetic layer. The second ferromagnetic layer includes a first portion being magnetically free and positioned within the first region; a second portion magnetically pinned to a first direction and positioned within a second region of the substrate, the second region contacting the first region from a first side; and a third portion magnetically pinned to a second direction and positioned within a third region of the substrate, the third region contacting the first region from a second side.

    摘要翻译： 半导体存储器件包括磁性固定并位于衬底的第一区域内的第一铁磁层; 第二铁磁层近似第一铁磁层; 以及介于所述第一铁磁层与所述第二铁磁层的所述第一部分之间的阻挡层。 第二铁磁层包括无磁性的第一部分，并且位于第一区域内; 第二部分，磁性地固定在第一方向上并且位于所述基板的第二区域内，所述第二区域从所述第一侧面接触所述第一区域; 以及第三部分，其磁性地固定到第二方向并且位于所述基板的第三区域内，所述第三区域从所述第二侧面接触所述第一区域。

    Method for displaying a resized window
    8.
    发明授权
    Method for displaying a resized window 有权
    显示调整窗口的方法

    公开(公告)号：US07853892B2

    公开(公告)日：2010-12-14

    申请号：US11425124

    申请日：2006-06-19

    申请人： Ming-Te Liu

    发明人： Ming-Te Liu

    IPC分类号： G06F3/048

    CPC分类号： G06F3/0481

    摘要： A method for displaying a resized window includes receiving a resizing message, generating a window having a second size according to the resizing message and a window having a first size and located at a position corresponding to a first reference point, and displaying the window having the second size at a position different from the position corresponding to the first reference point. After generating the windows, the window having the second size is not displayed at the position corresponding to the first reference point.

    摘要翻译： 用于显示调整大小的窗口的方法包括接收调整大小消息，根据调整大小消息产生具有第二大小的窗口和具有第一大小并且位于与第一参考点相对应的位置的窗口，并且显示具有 在与第一参考点对应的位置不同的位置处的第二尺寸。 在生成窗口之后，具有第二尺寸的窗口不显示在与第一参考点相对应的位置处。

    Graphic user interface and establishing method thereof
    9.
    发明申请
    Graphic user interface and establishing method thereof 审中-公开
    图形用户界面及其建立方法

    公开(公告)号：US20070250790A1

    公开(公告)日：2007-10-25

    申请号：US11729857

    申请日：2007-03-30

    申请人： Ming-Te Liu

    发明人： Ming-Te Liu

    IPC分类号： G06F3/048

    CPC分类号： G06F9/451

    摘要： A graphic user interface and an establishing method thereof are provided. Firstly, a first window is established. The first window has a window pattern and the first window is established by merging the window pattern with a desktop pattern of a desktop. Next, a second window is established. The second window is shown on the first window, and has a linking connection with the first window. The linking connection includes a relative position connection and a relative size connection. Then, a plurality of third windows are established. The third windows are shown on the second window, and have a plurality of implied connections with the second window respectively. The implied connections are established by an operation system. When the first window performs an action, the second window performs the action according to the linking connection, and the third windows are shown on the second window according to the implied connections.

    摘要翻译： 提供图形用户界面及其建立方法。 首先建立第一个窗口。 第一个窗口有一个窗口模式，第一个窗口通过将窗口模式与桌面的桌面模式合并而建立。 接下来，建立第二窗口。 第二个窗口显示在第一个窗口上，并且与第一个窗口具有链接连接。 链接连接包括相对位置连接和相对大小连接。 然后，建立多个第三窗口。 第三窗口显示在第二窗口上，并且分别具有与第二窗口的多个隐含连接。 隐含连接由操作系统建立。 当第一窗口执行动作时，第二窗口根据链接连接来执行动作，并且根据隐含连接在第二窗口上显示第三窗口。

    METHOD FOR DISPLAYING A RESIZED WINDOW
    10.
    发明申请
    METHOD FOR DISPLAYING A RESIZED WINDOW 有权
    显示固定窗口的方法

    公开(公告)号：US20060288305A1

    公开(公告)日：2006-12-21

    申请号：US11425124

    申请日：2006-06-19

    申请人： Ming-Te Liu

    发明人： Ming-Te Liu

    IPC分类号： G06F3/00

    CPC分类号： G06F3/0481

    摘要： A method for displaying a resized window includes receiving a resizing message, generating a window having a second size according to the resizing message and a window having a first size and located at a position corresponding to a first reference point, and displaying the window having the second size at a position different from the position corresponding to the first reference point. After generating the windows, the window having the second size is not displayed at the position corresponding to the first reference point.

    摘要翻译： 用于显示调整大小的窗口的方法包括接收调整大小消息，根据调整大小消息产生具有第二大小的窗口和具有第一大小并且位于与第一参考点相对应的位置的窗口，并且显示具有 在与第一参考点对应的位置不同的位置处的第二尺寸。 在生成窗口之后，具有第二尺寸的窗口不显示在与第一参考点相对应的位置处。