公开(公告)号：US20060234441A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11222966

申请日：2005-09-12

申请人： Jung Wu Chien ,  Tsai Nieh ,  Ju Cheng Chen ,  Chao Hsi Chung

发明人： Jung Wu Chien ,  Tsai Nieh ,  Ju Cheng Chen ,  Chao Hsi Chung

IPC分类号： H01L21/465 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31625 ,  H01L27/10861 ,  H01L28/84 ,  H01L29/66181

摘要： A method for preparing a deep trench first forms a trench in a semiconductor substrate and a stacked structure in the trench, wherein the stacked structure includes at least one nitrogen-containing layer. A phosphorous oxide layer is then formed on the surface of the nitrogen-containing layer. The phosphorous oxide is then transformed into an etchant in a steam atmosphere to remove the nitrogen-containing layer in the trench. The phosphorous oxide layer in the trench is then removed, and the nitrogen-containing layer can be effectively removed. The method further comprises forming a plurality of crystallites on a portion of the nitrogen-containing layer before the phosphorous oxide layer is formed on the surface of the nitrogen-containing layer, which allows the formation of a deep trench with a rough inner sidewall.

摘要翻译： 用于制备深沟槽的方法首先在半导体衬底中形成沟槽，并在沟槽中形成堆叠结构，其中堆叠结构包括至少一个含氮层。 然后在含氮层的表面上形成磷氧化物层。 然后将氧化磷在蒸汽气氛中转化成蚀刻剂以除去沟槽中的含氮层。 然后去除沟槽中的磷氧化物层，并且可以有效地去除含氮层。 该方法还包括在含氮层的表面上形成含氮层的一部分之前形成多个微晶，这允许形成具有粗糙内侧壁的深沟槽。

公开(公告)号：US07098100B1

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US11114152

申请日：2005-04-26

申请人： Hui Min Li ,  Jung Wu Chien ,  Chao Hsi Chung ,  Ming Hung Lin

发明人： Hui Min Li ,  Jung Wu Chien ,  Chao Hsi Chung ,  Ming Hung Lin

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66181 ,  H01L27/10861

摘要： The present invention discloses a trench capacitor formed in a trench in a semiconductor substrate. The trench capacitor comprises a bottom electrode positioned on a lower outer surface of the trench, a dielectric layer positioned on an inner surface of the bottom electrode, a top electrode positioned on the dielectric layer, a collar oxide layer positioned on an upper inner surface of the trench, a buried conductive strap positioned on the top electrode, and an interface layer made of silicon nitride positioned at the side of the buried conductive strap. The bottom electrode, the dielectric layer and the top electrode form a capacitive structure. The collar oxide layer includes a first block and a second block, and the height of the first block is larger than the height of the second block. The interface layer is positioned on a portion of the inner surface of the trench above the second block.

摘要翻译： 本发明公开了一种在半导体衬底的沟槽中形成的沟槽电容器。 所述沟槽电容器包括位于所述沟槽的下外表面上的底电极，位于所述底电极的内表面上的电介质层，位于所述电介质层上的顶电极，位于所述电介质层的上内表面上的环状氧化物层 沟槽，位于顶部电极上的埋入导电带，以及位于掩埋导电带侧面的由氮化硅制成的界面层。 底部电极，电介质层和顶部电极形成电容结构。 环状氧化物层包括第一块和第二块，并且第一块的高度大于第二块的高度。 界面层位于第二块上方的沟槽的内表面的一部分上。