公开(公告)号：US06177360B1

公开(公告)日：2001-01-23

申请号：US08965384

申请日：1997-11-06

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Robert Frances Cook ,  Martha Alyne Harbison ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Victor Yee-Way Lee ,  Eric Gerhard Liniger ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Robert Frances Cook ,  Martha Alyne Harbison ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Victor Yee-Way Lee ,  Eric Gerhard Liniger ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801

摘要： The invention relates to a process for making an integrated circuit device comprising (i) a substrate, (ii) metallic circuit lines positioned on the substrate, and (iii) a dielectric material positioned on the circuit lines. The dielectric material comprises the condensation product of silsesquioxane in the presence of a photosensitive or thermally sensitive base generator.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造集成电路器件的方法，该集成电路器件包括（i）衬底，（ii）位于衬底上的金属电路线，以及（iii）位于电路线上的电介质材料。 电介质材料包括在感光或热敏基​​底发生器存在下倍半硅氧烷的缩合产物。

公开(公告)号：US5953627A

公开(公告)日：1999-09-14

申请号：US965541

申请日：1997-11-06

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Robert Francis Cook ,  Martha Alyne Harbison ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Sung-Mog Kim ,  Eric Gerhard Liniger ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Robert Francis Cook ,  Martha Alyne Harbison ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Sung-Mog Kim ,  Eric Gerhard Liniger ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801

摘要： The invention relates to a process for making an integrated circuit device comprising (I) a substrate, (ii) metallic circuit lines positioned on the substrate, and (iii) a dielectric material positioned on the circuit lines. The dielectric material comprises the condensation product of silsesquioxane precursor in the presence of an organic amine having a boiling point greater than 150.degree. C.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造集成电路器件的方法，包括（I）衬底，（ii）位于衬底上的金属电路线，以及（iii）位于电路线上的电介质材料。 电介质材料包括在沸点大于150℃的有机胺存在下倍半硅氧烷前体的缩合产物。