公开(公告)号：US06773986B2

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10186662

申请日：2002-07-01

申请人： Rainer Bruchhaus ,  Gerhard Enders ,  Walter Hartner ,  Matthias Krönke ,  Thomas Mikolajick ,  Nicolas Nagel ,  Michael Röhner

发明人： Rainer Bruchhaus ,  Gerhard Enders ,  Walter Hartner ,  Matthias Krönke ,  Thomas Mikolajick ,  Nicolas Nagel ,  Michael Röhner

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： To achieve a highest possible integration density in a semiconductor memory device having storage capacitors as storage elements, the method according to the invention forms the capacitor devices in substantially vertically extending fashion, to, as a result, achieve a substantially three-dimensional configuration and an configuration extending into the third dimension for the capacitor devices, a contact connection of the storage capacitors being formed after the production of the storage capacitors.

摘要翻译： 为了在具有存储电容器作为存储元件的半导体存储器件中实现最高可能的积分密度，根据本发明的方法以基本上垂直延伸的方式形成电容器器件，结果实现基本上三维配置和 配置延伸到用于电容器器件的第三维度中，在存储电容器的生产之后形成存储电容器的接触连接。

公开(公告)号：US06704219B2

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：US10186645

申请日：2002-07-01

申请人： Rainer Bruchhaus ,  Gerhard Enders ,  Walter Hartner ,  Matthias Krönke ,  Thomas Mikolajick ,  Nicolas Nagel ,  Michael Röhner

发明人： Rainer Bruchhaus ,  Gerhard Enders ,  Walter Hartner ,  Matthias Krönke ,  Thomas Mikolajick ,  Nicolas Nagel ,  Michael Röhner

IPC分类号： G11C1122

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L28/86

摘要： To manufacture FeRAM memories in a particularly space-saving fashion and, thus, increase the storage density, a manufacturing method forms at least some of the multiplicity of capacitor devices used as storage elements with a multiplicity of individual capacitors that are connected in parallel with one another. The individual capacitors have ferroelectric or paraelectric dielectric regions with different coercitive voltages such that there is a resulting multiplicity of storage states for each of the individual capacitors.

摘要翻译： 为了以特别节省空间的方式制造FeRAM存储器，因此增加存储密度，制造方法形成用作存储元件的多个电容器器件中的至少一些，其中多个单独的电容器与一个并联连接 另一个。 各个电容器具有不同强制电压的铁电或对称电介质区域，使得每个单独的电容器存在多个存储状态。

公开(公告)号：US06858492B2

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：US10186597

申请日：2002-07-01

申请人： Rainer Bruchhaus ,  Gerhard Enders ,  Walter Hartner ,  Matthias Krönke ,  Thomas Mikolajick ,  Nicolas Nagel ,  Michael Röhner

发明人： Rainer Bruchhaus ,  Gerhard Enders ,  Walter Hartner ,  Matthias Krönke ,  Thomas Mikolajick ,  Nicolas Nagel ,  Michael Röhner

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/91

摘要： Capacitor devices are formed in an essentially vertically extending fashion in order to achieve an essentially three-dimensional configuration or a configuration extending into the third dimension. A contacting of plug regions is performed after producing the capacitor devices. Such capacitor devices provide an increased integration density in a semiconductor memory device.

摘要翻译： 电容器器件以基本上垂直延伸的方式形成，以便实现基本上三维配置或延伸到第三维度的配置。 在制造电容器装置之后，进行插塞区域的接触。 这种电容器器件在半导体存储器件中提供增加的集成密度。

公开(公告)号：US06818503B2

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：US10186607

申请日：2002-07-01

申请人： Rainer Bruchhaus ,  Gerhard Enders ,  Walter Hartner ,  Igor Kasko ,  Matthias Krönke ,  Thomas Mikolajick ,  Nicolas Nagel ,  Michael Röhner ,  Volker Weinrich

发明人： Rainer Bruchhaus ,  Gerhard Enders ,  Walter Hartner ,  Igor Kasko ,  Matthias Krönke ,  Thomas Mikolajick ,  Nicolas Nagel ,  Michael Röhner ,  Volker Weinrich

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L27/10855 ,  H01L28/60

摘要： A method of fabricating semiconductor memory devices is simplified by providing at least some plug regions, which are provided for contacting storage capacitor devices of a capacitor configuration, such that the plug regions have in each case a region that is elevated above the surface region of a passivation region.

摘要翻译： 通过提供至少一些插塞区域来简化制造半导体存储器件的方法，这些插塞区域被提供用于接触电容器配置的存储电容器器件，使得插塞区域在每种情况下都具有在 钝化区。