公开(公告)号：US20160314970A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：US15092263

申请日：2016-04-06

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： SU-MIN PARK ,  SU-MIN KIM ,  HYO-JIN YUN ,  HYUN-WOO KIM ,  KYOUNG-SEON KIM ,  HAI-SUB NA ,  MIN-JU PARK ,  SO-RA HAN

IPC分类号： H01L21/033

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/425 ,  H01L21/426 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device, a mask layer and a first layer may be sequentially formed on a substrate. The first layer may be patterned by a photolithography process to form a first pattern. A silicon oxide layer may be formed on the first pattern. A coating pattern including silicon may be formed on the silicon oxide layer. The mask layer may be etched using a second pattern as an etching mask to form a mask pattern, and the second pattern may includes the first pattern, the silicon oxide layer and the coating pattern. The mask pattern may have a uniform size.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，掩模层和第一层可以顺序形成在衬底上。 可以通过光刻工艺来构图第一层以形成第一图案。 可以在第一图案上形成氧化硅层。 可以在氧化硅层上形成包括硅的涂层图案。 可以使用第二图案作为蚀刻掩模蚀刻掩模层以形成掩模图案，并且第二图案可以包括第一图案，氧化硅层和涂层图案。 掩模图案可以具有均匀的尺寸。