公开(公告)号：US20110171478A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12718516

申请日：2010-03-05

申请人： Tingji Tang ,  Gu Xu ,  Xing-Fu Zhong ,  Wenbin Hong ,  Tony D. Flaim ,  Kimberly Yess ,  Ramachandran K. Trichur

发明人： Tingji Tang ,  Gu Xu ,  Xing-Fu Zhong ,  Wenbin Hong ,  Tony D. Flaim ,  Kimberly Yess ,  Ramachandran K. Trichur

IPC分类号： C09D145/00 ,  B32B13/12 ,  B32B15/08 ,  B32B27/00 ,  B32B27/08 ,  B32B17/10 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  H05K13/00

CPC分类号： B81C1/00801 ,  B81C2201/053 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  G03F7/033 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  Y10T428/31645 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31909

摘要： New compositions and methods of using those compositions as protective layers during the production of semiconductor and MEMS devices are provided. The compositions comprise a cycloolefin copolymer dispersed or dissolved in a solvent system, and can be used to form layers that protect a substrate during acid etching and other processing and handling. The protective layer can be photosensitive or non-photosensitive, and can be used with or without a primer layer beneath the protective layer. Preferred primer layers comprise a basic polymer in a solvent system.

摘要翻译： 提供了在制造半导体和MEMS器件期间使用这些组合物作为保护层的新组合物和方法。 组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，并且可以用于在酸蚀刻和其它加工和处理期间形成保护基材的层。 保护层可以是光敏的或非感光的，并且可以在保护层下面使用或不使用底漆层。 优选的底漆层在溶剂体系中包含碱性聚合物。

公开(公告)号：US08771927B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US12718516

申请日：2010-03-05

申请人： Tingji Tang ,  Gu Xu ,  Xing-Fu Zhong ,  Wenbin Hong ,  Tony D. Flaim ,  Kimberly Yess ,  Ramachandran K. Trichur

发明人： Tingji Tang ,  Gu Xu ,  Xing-Fu Zhong ,  Wenbin Hong ,  Tony D. Flaim ,  Kimberly Yess ,  Ramachandran K. Trichur

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： B81C1/00801 ,  B81C2201/053 ,  C08G61/08 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  G03F7/033 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  Y10T428/31645 ,  Y10T428/31667 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31909

摘要： New compositions and methods of using those compositions as protective layers during the production of semiconductor and MEMS devices are provided. The compositions comprise a cycloolefin copolymer dispersed or dissolved in a solvent system, and can be used to form layers that protect a substrate during acid etching and other processing and handling. The protective layer can be photosensitive or non-photosensitive, and can be used with or without a primer layer beneath the protective layer. Preferred primer layers comprise a basic polymer in a solvent system.

摘要翻译： 提供了在制造半导体和MEMS器件期间使用这些组合物作为保护层的新组合物和方法。 组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，并且可以用于在酸蚀刻和其它加工和处理期间形成保护基材的层。 保护层可以是光敏的或非感光的，并且可以在保护层下面使用或不使用底漆层。 优选的底漆层在溶剂体系中包含碱性聚合物。

公开(公告)号：US20080041815A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11856552

申请日：2007-09-17

申请人： Chenghong Li ,  Kimberly Ruben ,  Tony Flaim ,  Kimberly Yess

发明人： Chenghong Li ,  Kimberly Ruben ,  Tony Flaim ,  Kimberly Yess

IPC分类号： H01B13/00

CPC分类号： B81C1/00539 ,  C03C15/00 ,  C03C2218/355 ,  C09D125/12 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31935

摘要： New protective coating layers for use in wet etch processes during the production of semiconductor and MEMS devices are provided. The layers include a primer layer, a first protective layer, and an optional second protective layer. The primer layer preferably comprises an organo silane compound in a solvent system. The first protective layer includes thermoplastic copolymers prepared from styrene, acrylonitrile, and optionally other addition-polymerizable monomers such as (meth)acrylate monomers, vinylbenzyl chloride, and diesters of maleic acid or fumaric acid. The second protective layer comprises a highly halogenated polymer such as a chlorinated polymer which may or may not be crosslinked upon heating.

摘要翻译： 提供了在制造半导体和MEMS器件期间用于湿蚀刻工艺的新的保护涂层。 这些层包括底漆层，第一保护层和任选的第二保护层。 底漆层优选在溶剂体系中包含有机硅烷化合物。 第一保护层包括由苯乙烯，丙烯腈和任选的其它加成聚合单体如（甲基）丙烯酸酯单体，乙烯基苄基氯和马来酸或富马酸的二酯制备的热塑性共聚物。 第二保护层包括高度卤化的聚合物，例如氯化聚合物，其在加热时可以或不会交联。