公开(公告)号：US08580076B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US10249962

申请日：2003-05-22

申请人： Alan Frederick Becknell ,  Thomas James Buckley ,  David Ferris ,  Richard E. Pingree, Jr. ,  Palanikumaran Sakthivel ,  Aseem Kumar Srivastava ,  Carlo Waldfried

发明人： Alan Frederick Becknell ,  Thomas James Buckley ,  David Ferris ,  Richard E. Pingree, Jr. ,  Palanikumaran Sakthivel ,  Aseem Kumar Srivastava ,  Carlo Waldfried

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/00 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511

CPC分类号： H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30

摘要： A plasma apparatus, various components of the plasma apparatus, and an oxygen free and nitrogen free processes for effectively removing photoresist material and post etch residues from a substrate with a carbon and/or hydrogen containing low k dielectric layer(s).

摘要翻译： 等离子体装置，等离子体装置的各种部件，以及无氧和无氮的方法，用于有效地去除光致抗蚀剂材料，并且用含有低k电介质层的碳和/或氢的底物后蚀刻残留物。