公开(公告)号：US20080230144A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US12012948

申请日：2008-02-05

申请人： Brent Anderson

发明人： Brent Anderson

IPC分类号： F04B33/00 ,  B65B31/04

CPC分类号： F04B33/00 ,  B65D77/225 ,  B65D2205/00

摘要： A hand operated pump for evacuating air from a vacuum container having: (1) a barrel defining a conduit therethrough; (2) a plunger having a hand at one end and a piston at the opposite end, the plunger mounted within the barrel and capable of moving reciprocatingly within the plunger; (3) a cap closing a first end of the barrel and having an opening to receive and guide the plunger; and (4) an adapter connected to a second end of the barrel for engaging a valve on a vacuum container.

摘要翻译： 一种用于从真空容器排空空气的手动泵，其具有：（1）限定穿过其中的导管的筒体; （2）柱塞，其一端具有手，另一端具有活塞，所述柱塞安装在所述筒体内并且能够在所述柱塞内往复运动; （3）盖，其封闭所述筒的第一端并具有用于接收和引导所述柱塞的开口; 和（4）连接到筒的第二端的适配器，用于接合真空容器上的阀。

公开(公告)号：US20080215366A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US12038828

申请日：2008-02-28

申请人： Peter Robson ,  Bruce Gilmore ,  Brent Anderson ,  Scott Ellingboe ,  Rajeev Tandon ,  Jami Schupp ,  Gary Long ,  Martin Oiumet ,  Daniel Schwarz

发明人： Peter Robson ,  Bruce Gilmore ,  Brent Anderson ,  Scott Ellingboe ,  Rajeev Tandon ,  Jami Schupp ,  Gary Long ,  Martin Oiumet ,  Daniel Schwarz

IPC分类号： G06Q10/00

CPC分类号： G06Q50/22 ,  G06Q10/087 ,  G06Q30/06

摘要： An asset management system and method is disclosed, useful for managing any asset or collection of assets that need to be identified by unique characteristics. The system comprises three basic modules: a data input module for inputting information about an asset; a “gateway” module that checks the accuracy of the incoming data and corrects it as necessary; and a trading module that allows users to list their assets in various ways and perform various actions, such as selling the assets to other users or otherwise disposing of them, purchasing additional assets, etc.

摘要翻译： 披露资产管理系统和方法，用于管理需要通过独特特征识别的资产或资产集合。 该系统包括三个基本模块：用于输入资产信息的数据输入模块; 一个“网关”模块，用于检查输入数据的准确性，并根据需要进行纠正; 以及交易模块，允许用户以各种方式列出其资产，并执行各种操作，例如将资产出售给其他用户或以其他方式处置，购买额外资产等。

公开(公告)号：US20070278624A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11839891

申请日：2007-08-16

申请人： Brent Anderson ,  Andres Bryant ,  Jeffrey Gambino ,  Anthony Stamper

发明人： Brent Anderson ,  Andres Bryant ,  Jeffrey Gambino ,  Anthony Stamper

IPC分类号： H01L23/60

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A structure. The structure includes a substrate. A first dielectric layer is on and in direct mechanical contact with the substrate. A first hard mask is on the first dielectric layer. A first and second trench is within the first dielectric layer and the first hard mask. The second trench is wider than the first trench. A first conformal liner is on sidewalls of the first and second trenches. The first conformal liner is in direct physical contact with the substrate, the first dielectric layer, and the first hard mask A first conductive material that includes copper fills the first and second trenches. A planar surface of the first conductive material is coplanar with a top surface of the first conformal liner and a top surface of the first hard mask.

摘要翻译： 一个结构。 该结构包括基底。 第一电介质层与衬底直接机械接触。 第一硬掩模在第一介电层上。 第一和第二沟槽在第一介电层和第一硬掩模内。 第二沟槽比第一沟槽宽。 第一保形衬套位于第一和第二沟槽的侧壁上。 第一共形衬垫与衬底，第一介电层和第一硬掩模直接物理接触。包括铜的第一导电材料填充第一和第二沟槽。 第一导电材料的平坦表面与第一共形衬垫的顶表面和第一硬掩模的顶表面共面。

公开(公告)号：US20060286778A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11160365

申请日：2005-06-21

申请人： Brent Anderson ,  John Ellis-Monaghan ,  Alain Loiseau ,  Kirk Peterson

发明人： Brent Anderson ,  John Ellis-Monaghan ,  Alain Loiseau ,  Kirk Peterson

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8252

摘要： Disclosed is a method of manufacturing dual orientation wafers. A trench is formed in a multi-layer wafer to a silicon substrate with a first crystalline orientation. The trench is filled with a silicon material (e.g., amorphous silicon or polysilicon trench). Isolation structures are formed to isolate the silicon material in the trench from a semiconductor layer with a second crystalline orientation. Additional isolation structures are formed within the silicon material in the trench and within the semiconductor layer. A patterned amorphization process is performed on the silicon material in the trench and followed by a recrystallization anneal such that the silicon material in the trench recrystallizes with the same crystalline orientation as the silicon substrate. The resulting structure is a semiconductor wafer with isolated semiconductor areas on the same plane having different crystalline orientations as well as isolated sections within each semiconductor area for device formation.

摘要翻译： 公开了制造双取向晶片的方法。 在多层晶片中形成具有第一晶体取向的硅衬底的沟槽。 沟槽填充有硅材料（例如，非晶硅或多晶硅沟槽）。 形成隔离结构以将沟槽中的硅材料与具有第二晶体取向的半导体层隔离。 另外的隔离结构形成在沟槽内和半导体层内的硅材料内。 对沟槽中的硅材料进行图案化非晶化处理，然后进行再结晶退火，使得沟槽中的硅材料以与硅衬底相同的结晶取向重结晶。 所得到的结构是在具有不同晶体取向的同一平面上的隔离半导体区域以及用于器件形成的每个半导体区域内的隔离部分的半导体晶片。

公开(公告)号：US20060131328A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11092384

申请日：2005-03-29

申请人： Brent Anderson

发明人： Brent Anderson

IPC分类号： B65D35/28

CPC分类号： B65D81/2023 ,  B65D33/2508 ,  B65D77/225 ,  B65D81/2038

摘要： The present invention provides a one way valve having a valve body, a wall, a fluid inlet, and a fluid outlet. The valve has a plunger which is moveable with respect to the valve body from a first position to a second position. The valve also has a diaphragm positioned in the valve body for movement between a third position and a fourth position when the plunger is in the first position. When the diaphragm is in the third position the fluid outlet is closed and when the diaphragm is in the fourth position the fluid outlet is open.

摘要翻译： 本发明提供一种具有阀体，壁，流体入口和流体出口的单向阀。 该阀具有可从第一位置到第二位置相对于阀体移动的柱塞。 阀还具有位于阀体中的隔膜，用于当柱塞处于第一位置时在第三位置和第四位置之间移动。 当隔膜处于第三位置时，流体出口关闭，当隔膜处于第四位置时，流体出口打开。

公开(公告)号：US20060057835A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10711394

申请日：2004-09-16

申请人： Brent Anderson ,  Andres Bryant ,  Jeffrey Gambino ,  Anthony Stamper

发明人： Brent Anderson ,  Andres Bryant ,  Jeffrey Gambino ,  Anthony Stamper

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Air-gap insulated interconnection structures and methods of fabricating the structures, the methods including: forming a dielectric layer on a substrate; forming a capping layer on a top surface of the dielectric layer; forming a trench through the capping layer, the trench extending toward said substrate and into but not through, the dielectric layer; forming a sacrificial layer on opposing sidewalls of the trench; filling the trench with a electrical conductor; and removing a portion of the sacrificial layer from between the electrical conductor and the dielectric layer to form air-gaps.

摘要翻译： 气隙绝缘互连结构及其制造方法，包括：在基板上形成电介质层; 在所述电介质层的顶表面上形成覆盖层; 通过所述覆盖层形成沟槽，所述沟槽朝向所述衬底延伸并且穿过所述电介质层; 在沟槽的相对侧壁上形成牺牲层; 用电导体填充沟槽; 以及从所述电导体和所述电介质层之间移除所述牺牲层的一部分以形成气隙。

公开(公告)号：US07552907B2

公开(公告)日：2009-06-30

申请号：US12080134

申请日：2008-04-01

申请人： Brent Anderson

发明人： Brent Anderson

IPC分类号： F16K31/44

CPC分类号： B65D81/2038

摘要： The present invention provides a container assembly having: (1) a flexible wall defining fluid tight chamber; (2) a valve body attached to the flexible; (3) a plunger associated with the valve body and moveable with respect to the valve body from a first position to a second position; and (4) a diaphragm positioned in the valve body for opening and closing the valve.

摘要翻译： 本发明提供了一种容器组件，其具有：（1）限定流体密封室的柔性壁; （2）安装在柔性件上的阀体; （3）与所述阀体相关联并且能够相对于所述阀体从第一位置移动到第二位置的柱塞; 和（4）位于阀体中的用于打开和关闭阀的隔膜。

公开(公告)号：US20080199110A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11207563

申请日：2005-08-19

申请人： Brent Anderson ,  Howard W. Schwan

发明人： Brent Anderson ,  Howard W. Schwan

IPC分类号： B65D30/10 ,  B65D30/02 ,  B29C63/48

CPC分类号： B32B38/06 ,  B32B37/08 ,  B32B37/12 ,  B32B2311/00 ,  B32B2317/12 ,  B32B2398/00 ,  B32B2439/46 ,  B65D31/02 ,  B65D2231/001 ,  Y10T156/1023

摘要： The present invention provides a method for treating a surface of a layered polymeric structure. The method includes the steps of: (1) providing a film having a layered structure formed by adhering first and second non-molten polymeric sheets in an overlap and texturing a surface of the first or second non-molten sheets with a chill roll to form fluid pathways on a surface of the film; (2) attaching an access member to the film; and (3) forming the film into a container having a peripheral seal defining a chamber, and having the fluid pathways facing the chamber and having the fitment providing access to the chamber.

摘要翻译： 本发明提供了一种处理层状聚合物结构的表面的方法。 该方法包括以下步骤：（1）提供具有层叠结构的薄膜，该薄膜通过将第一和第二非熔融聚合物薄片以重叠的方式粘合而形成，并使第一或第二非熔融薄片的表面具有冷却辊以形成 膜表面上的流体路径; （2）将访问构件附接到所述胶片; 和（3）将膜形成为具有限定腔室的周边密封件的容器，并且具有面向腔室的流体通道并且具有提供通向腔室的通路的容器。

公开(公告)号：US20080096384A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11839767

申请日：2007-08-16

申请人： Brent Anderson ,  Andres Bryant ,  Jeffrey Gambino ,  Anthony Stamper

发明人： Brent Anderson ,  Andres Bryant ,  Jeffrey Gambino ,  Anthony Stamper

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a semiconductor device. A first dielectric layer is deposited on and in direct mechanical contact with the substrate. A first hard mask is deposited on the first dielectric layer. A first and second trench is formed within the first dielectric layer and the first hard mask. The second trench is wider than the first trench. A first conformal liner is deposited over the first hard mask and within the first and second trenches, a portion of which is removed, leaving a remaining portion of the first conformal liner in direct physical contact with the substrate, the first dielectric layer, and the first hard mask, and not on the first hard mask. Copper is deposited over the first conformal liner to overfill fill the first and second trenches and is planarized to remove an excess thereof to form a planar surface of the copper.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法。 第一电介质层沉积在衬底上并与衬底直接机械接触。 第一硬掩模沉积在第一介电层上。 第一和第二沟槽形成在第一介电层和第一硬掩模内。 第二沟槽比第一沟槽宽。 第一保形衬垫沉积在第一硬掩模之上并且在第一和第二沟槽内，其一部分被去除，留下第一保形衬垫的剩余部分与衬底，第一介电层和 第一个硬面罩，而不是在第一个硬面罩。 铜沉积在第一保形衬垫上以过满填充第一和第二沟槽，并被平坦化以除去其过量以形成铜的平坦表面。

公开(公告)号：US20080083760A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11870552

申请日：2007-10-11

申请人： Brent Anderson ,  Russ Stanziale ,  Louis Foreman ,  Ian Kovacevich ,  Daniel Bizzell

发明人： Brent Anderson ,  Russ Stanziale ,  Louis Foreman ,  Ian Kovacevich ,  Daniel Bizzell

IPC分类号： B65D85/00

CPC分类号： B65D1/36 ,  B65D21/0222 ,  B65D43/0222 ,  B65D85/36 ,  B65D2543/00027 ,  B65D2543/00092 ,  B65D2543/00296 ,  B65D2543/00361 ,  B65D2543/00407 ,  B65D2543/00537 ,  B65D2543/00657 ,  B65D2543/00685 ,  B65D2543/00759 ,  B65D2543/00796

摘要： A serving tray assembly includes a serving platter and a receptacle platter. The serving platter has a central aperture extending there through and a serving area defined between the central aperture and a perimeter thereof. The receptacle platter has a bottom and a peripheral wall extending from the bottom at a perimeter thereof. The serving platter and the receptacle platter are releasably coupled to one another.

摘要翻译： 服务托盘组件包括服务盘和插座盘。 服务盘具有一个中心孔，该中心孔延伸穿过该中心孔，该中心孔位于该中心孔及其周边之间。 插座盘具有底部和从其底部在其周边延伸的周壁。 服务盘和插座盘彼此可释放地联接。