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    Production process of structured material
    91.
    发明授权
    Production process of structured material 有权
    结构材料的生产工艺

    公开(公告)号：US07771791B2

    公开(公告)日：2010-08-10

    申请号：US11468009

    申请日：2006-08-29

    申请人： Miki Ueda ,  Shigeru Ichihara ,  Toru Den

    发明人： Miki Ueda ,  Shigeru Ichihara ,  Toru Den

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： G11B5/74 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B5/746 ,  G11B5/82 ,  G11B5/855

    摘要： Disclosed herein is a process for producing a structured material, comprising the steps of forming a film on a substrate, forming a plurality of holes in a first region of the film, forming a plurality of holes composed of a hole wall member different from a hole wall member of the holes contained in the first region in a second region other than the first region, filling the holes in the first and second regions with the same material, and modifying the material in at least one region of the first and second regions by a heat treatment.

    摘要翻译： 本文公开了一种制造结构材料的方法，包括以下步骤：在基材上形成膜，在所述膜的第一区域中形成多个孔，形成多个由不同于孔的孔壁构件构成的孔 包含在第一区域中的除了第一区域之外的第二区域中的孔的壁构件，用相同的材​​料填充第一和第二区域中的孔，并且通过以下方式修改第一和第二区域的至少一个区域中的材料： 热处理。

    OXYNITRIDE SEMICONDUCTOR
    92.
    发明申请
    OXYNITRIDE SEMICONDUCTOR 有权
    氧化硅半导体

    公开(公告)号：US20100109002A1

    公开(公告)日：2010-05-06

    申请号：US12532185

    申请日：2008-04-23

    申请人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Masatoshi Watanabe ,  Toru Den

    发明人： Naho Itagaki ,  Tatsuya Iwasaki ,  Masatoshi Watanabe ,  Toru Den

    IPC分类号： H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/247

    摘要： Provided is an oxynitride semiconductor comprising a metal oxynitride. The metal oxynitride contains Zn and at least one element selected from the group consisting of In, Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W, and Al. The metal oxynitride has an atomic composition ratio of N, N/(N+O), of 7 atomic percent or more to 80 atomic percent or less.

    摘要翻译： 提供了包含金属氮氧化物的氧氮化物半导体。 金属氮氧化物含有Zn和选自In，Ga，Sn，Mg，Si，Ge，Y，Ti，Mo，W和Al中的至少一种元素。 金属氮氧化物的原子组成比为N，N /（N + O），为7原子％以上且在80原子％以下。

    FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    93.
    发明申请
    FIELD-EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
    场效应晶体管

    公开(公告)号：US20090189153A1

    公开(公告)日：2009-07-30

    申请号：US12064302

    申请日：2006-09-05

    申请人： Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den ,  Naho Itagaki

    发明人： Tatsuya Iwasaki ,  Toru Den ,  Naho Itagaki

    IPC分类号： H01L29/12

    CPC分类号： H01L29/26 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869

    摘要： Disclosed herein is a field-effect transistor comprising a channel comprised of an oxide semiconductor material including In and Zn. The atomic compositional ratio expressed by In/(In+Zn) is not less than 35 atomic % and not more than 55 atomic %. Ga is not included in the oxide semiconductor material or the atomic compositional ratio expressed by Ga/(In+Zn+Ga) is set to be 30 atomic % or lower when Ga is included therein. The transistor has improved S-value and field-effect mobility.

    摘要翻译： 本文公开了一种场效应晶体管，其包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道。 In /（In + Zn）表示的原子组成比为35原子％以上55原子％以下。 Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包含Ga时，由Ga /（In + Zn + Ga）表示的原子组成比设定为30原子％以下。 晶体管具有改善的S值和场效应迁移率。

    PROCESS OF PRODUCTION OF PATTERNED STRUCTURE
    94.
    发明申请
    PROCESS OF PRODUCTION OF PATTERNED STRUCTURE 有权
    生产图案结构的过程

    公开(公告)号：US20080023880A1

    公开(公告)日：2008-01-31

    申请号：US11773739

    申请日：2007-07-05

    申请人： Aya Imada ,  Toru Den

    发明人： Aya Imada ,  Toru Den

    IPC分类号： B28B11/08

    CPC分类号： B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  Y10S977/887

    摘要： A process for producing a patterned structure comprises imprinting a first pattern by pressing a stamper having a projection-depression configuration on the surface against an imprint-work layer, and imprinting a second pattern by displacing relatively the stamper from the position of the first pattern to another position on the imprint-work layer and then pressing the stamper against the imprint-work layer.

    摘要翻译： 用于制造图案化结构的方法包括：通过将表面上的具有突起 - 凹陷构造的压模压靠在压印工作层上来压印第一图案，并且通过相对地将压模从第一图案的位置移位到第一图案的方式来压印第二图案 在压印工作层上的另一位置，然后将压模压靠在压印工作层上。

    METHOD OF PRODUCING MOLD HAVING UNEVEN STRUCTURE, MOLD FOR OPTICAL ELEMENT, AND OPTICAL ELEMENT
    95.
    发明申请
    METHOD OF PRODUCING MOLD HAVING UNEVEN STRUCTURE, MOLD FOR OPTICAL ELEMENT, AND OPTICAL ELEMENT 有权
    生产具有未来结构的模具的方法，光学元件和光学元件的模具

    公开(公告)号：US20070229942A1

    公开(公告)日：2007-10-04

    申请号：US11686512

    申请日：2007-03-15

    申请人： Ryoko HORIE ,  Yasuhiro MATSUO ,  Nobuhiro YASUI ,  Toru Den

    发明人： Ryoko HORIE ,  Yasuhiro MATSUO ,  Nobuhiro YASUI ,  Toru Den

    IPC分类号： G06K7/10

    CPC分类号： B29C45/372 ,  B29D11/00009 ,  B29D11/00326 ,  Y10T428/12396

    摘要： A method of producing a mold having an uneven structure and a mold for an optical element are provided. The method includes forming on a nickel substrate a mixed film using nickel and a material which phase separates from nickel simultaneously, the mixed film including a plurality of cylinders including nickel as a component thereof and a matrix region including the material which phase separates from nickel as a component thereof and surrounding the plurality of cylinders; and removing the matrix portion from the mixed film by etching to give a mold including nickel or a nickel alloy. The uneven structure is disposed in plurality on the substrate, and a pitch of the uneven structure is within a range of 30 nm or more and 500 nm or less and a depth of the uneven structure is within a range of 100 nm or more.

    摘要翻译： 提供一种制造具有不平坦结构的模具的方法和用于光学元件的模具。 所述方法包括在镍基板上形成使用镍和与镍同时分离的材料的混合膜，所述混合膜包括多个包含镍作为其组分的圆筒，以及包括与镍分相的材料的基体区域 其组件并围绕所述多个气缸; 并通过蚀刻从混合膜中除去基体部分，得到包括镍或镍合金的模具。 不均匀结构多个地设置在基板上，不平坦结构的间距在30nm以上且500nm以下的范围内，凹凸结构的深度在100nm以上的范围内。

    Process for producing magnetic recording medium
    96.
    发明申请
    Process for producing magnetic recording medium 有权
    磁记录介质的制造方法

    公开(公告)号：US20060280862A1

    公开(公告)日：2006-12-14

    申请号：US11448076

    申请日：2006-06-07

    申请人： Nobuhiro Yasui ,  Toru Den

    发明人： Nobuhiro Yasui ,  Toru Den

    IPC分类号： B05D5/12

    CPC分类号： G11B5/84 ,  G11B5/85

    摘要： A magnetic recording medium is provided which is contaminated less and improved in magnetic properties. The process for producing a magnetic recording medium having a recording layer constituted of magnetic granule portions dispersed in a nonmagnetic matrix portion comprises a first step of forming, on a base body, a nonmagnetic matrix portion, and Cu or Ag granule portions dispersed therein by a gas-phase deposition method, a second step of laminating magnetic granule portions on the Cu or Ag granule portions and laminating an additional nonmagnetic matrix portion on the nonmagnetic matrix portion formed in the first step, and a third step of heat-treating the laminate.

    摘要翻译： 提供磁性记录介质，其被污染较少并且磁性能得到改善。 制造具有由分散在非磁矩阵部分的磁性颗粒部分构成的记录层的磁记录介质的方法包括在基体上形成非磁矩阵部分和在其中分散有Cu或Ag颗粒部分的第一步骤 气相沉积方法，在Cu或Ag颗粒部分上层压磁性颗粒部分并在另一非磁性基体部分层叠另一非磁性基体部分的第二步骤，以及第三步骤对第一步骤进行热处理。

    Structure, magnetic recording medium, and method of producing the same
    97.
    发明申请
    Structure, magnetic recording medium, and method of producing the same 失效
    结构，磁记录介质及其制造方法

    公开(公告)号：US20060213426A1

    公开(公告)日：2006-09-28

    申请号：US11386755

    申请日：2006-03-23

    申请人： Nobuhiro Yasui ,  Ryoko Horie ,  Toru Den

    发明人： Nobuhiro Yasui ,  Ryoko Horie ,  Toru Den

    IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B9/00 ,  C30B17/00 ,  C30B21/02 ,  C30B28/06

    CPC分类号： G11B5/667 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/855

    摘要： To provide a filmy structure of a nanometer size having a phase-separated structure effective for the case where a compound can be formed between two kinds of materials. A structure constituted by a first member containing a compound between an element A except both Si and Ge and SinGe1-n (where 0≦n≦1) and a second member containing one of the element A and SinGe1-n (where 0≦n≦1), in which one of the first member and the second member is a columnar member, formed on a substrate, whose side face is surrounded by the other member, the ratio Dl/Ds of an average diameter Dl in the major axis direction to an average diameter Ds in the minor axis direction of a transverse sectional shape of the columnar member is less than 5, and the element A is one of Li, Na, Mg, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, and B.

    摘要翻译： 为了提供具有相分离结构的纳米尺寸的薄膜结构，对于在两种材料之间可以形成化合物的情况是有效的。 由除了Si和Ge之外的元素A和Si（Si）1-n（其中0 <= n <1）之间的元素A之间的化合物的第一元件构成的结构， 以及包含元素A和Si N 1-n N（其中0 <= n <= 1）之一的第二元件，其中第一元件和 第二构件是形成在基板上的柱状构件，其侧面被另一构件包围，长轴方向上的平均直径D1的比D1 / Ds相对于短轴方向的平均直径Ds 柱状构件的截面形状小于5，元素A为Li，Na，Mg，K，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Rb，Sr ，Y，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Pd，Cs，Ba，La，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho ，Er，Tm，Yb，Lu和B.