公开(公告)号：US20120125764A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13296786

申请日：2011-11-15

申请人： Hiroyuki FUKUSHIMA

发明人： Hiroyuki FUKUSHIMA

IPC分类号： C23C14/46 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/0052 ,  C23C14/3442 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/3488 ,  H01L39/2435 ,  H01L39/2461

摘要： A method for producing an oxide thin film, including depositing sputtered particles from a metallic deposition source on a deposition area under the condition of a sputtering energy density of 9.5 W/cm2 to 20 W/cm2 according to a magnetron sputtering method to form the oxide thin film, while irradiating an ion beam from an oblique direction with respect to the deposition area.

摘要翻译： 一种氧化物薄膜的制造方法，其特征在于，在溅射能量密度为9.5W / cm 2〜20W / cm 2的条件下，根据磁控溅射法在金属沉积源上在溅射区域上沉积溅射粒子，形成氧化物膜 同时相对于沉积区域从倾斜方向照射离子束。