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    Methods for fabricating device features having small dimensions
    108.
    发明授权
    Methods for fabricating device features having small dimensions 有权
    制造具有小尺寸的器件特征的方法

    公开(公告)号：US07601645B2

    公开(公告)日：2009-10-13

    申请号：US11872399

    申请日：2007-10-15

    申请人： Doug H. Lee ,  Andreas Knorr

    发明人： Doug H. Lee ,  Andreas Knorr

    IPC分类号： H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0274

    摘要： Methods for fabricating devices having small feature sizes are provided. In an exemplary embodiment, a method comprises forming a patterned first mask layer overlying a subject material layer and isotropically etching the patterned first mask layer. A second masking layer is deposited overlying the patterned first mask layer and the isotropically-etched patterned first mask layer is exposed. The isotropically-etched patterned first mask layer is removed and the subject material layer is etched to form a feature therein.

    摘要翻译： 提供了具有小特征尺寸的装置的制造方法。 在示例性实施例中，一种方法包括形成覆盖主体材料层的图案化的第一掩模层，并且各向同性地蚀刻图案化的第一掩模层。 沉积覆盖图案化的第一掩模层的第二掩模层，并暴露各向同性蚀刻的图案化的第一掩模层。 去除各向同性蚀刻的图案化的第一掩模层，并蚀刻主体材料层以在其中形成特征。

    METHOD FOR TREATING A WAFER EDGE
    109.
    发明申请
    METHOD FOR TREATING A WAFER EDGE 审中-公开
    用于处理波峰的方法

    公开(公告)号：US20090004865A1

    公开(公告)日：2009-01-01

    申请号：US11770792

    申请日：2007-06-29

    申请人： Bernd E. E. Kastenmeier ,  Andreas Knorr

    发明人： Bernd E. E. Kastenmeier ,  Andreas Knorr

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086

    摘要： A method for treating an edge portion of a wafer with a plasma or select chemical formulation in order to enhance adhesion characteristics and inhibit delamination of a layer of material from the wafer surface only on the edge portion that is being treated. Alternatively, the method may be utilized to effectuate a cleaning of an edge portion of a wafer.

    摘要翻译： 一种用等离子体或选择的化学配方处理晶片的边缘部分的方法，以便仅在待处理的边缘部分上增强粘附特性并且抑制材料层从晶片表面的分层。 或者，该方法可用于实现晶片边缘部分的清洁。