公开(公告)号：US20060134872A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11014937

申请日：2004-12-17

申请人： Michael Hattendorf ,  Jack Hwang ,  Anand Murthy ,  Andrew Westmeyer

发明人： Michael Hattendorf ,  Jack Hwang ,  Anand Murthy ,  Andrew Westmeyer

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66628 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7842

摘要： Some embodiments of the present invention include providing carbon doped regions and raised source/drain regions to provide tensile stress in NMOS transistor channels.

公开(公告)号：US20060046399A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10925566

申请日：2004-08-25

申请人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask ,  Robert Chau ,  Mark Bohr ,  Anand Murthy

发明人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask ,  Robert Chau ,  Mark Bohr ,  Anand Murthy

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： A gate structure may be utilized as a mask to form source and drain regions. Then the gate structure may be removed to form a gap and spacers may be formed in the gap to define a trench. In the process of forming a trench into the substrate, a portion of the source drain region is removed. Then the substrate is filled back up with an epitaxial material and a new gate structure is formed thereover. As a result, more abrupt source drain junctions may be achieved.

摘要翻译： 栅极结构可以用作掩模以形成源区和漏区。 然后可以去除栅极结构以形成间隙，并且可以在间隙中形成间隔物以限定沟槽。 在将沟槽形成衬底的过程中，去除源极漏极区的一部分。 然后用外延材料填充衬底，并在其上形成新的栅极结构。 结果，可以实现更突然的源极漏极结。

公开(公告)号：US20050087801A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10692696

申请日：2003-10-24

申请人： Nick Lindert ,  Anand Murthy ,  Justin Brask

发明人： Nick Lindert ,  Anand Murthy ,  Justin Brask

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/66628 ,  H01L29/66636

摘要： An epitaxially deposited source/drain extension may be formed for a metal oxide semiconductor field effect transistor. A sacrificial layer may be formed and etched away to undercut under the gate electrode. Then a source/drain extension of epitaxial silicon may be deposited to extend under the edges of the gate electrode. As a result, the extent by which the source/drain extension extends under the gate may be controlled by controlling the etching of the sacrificial material. Its thickness and depth may be controlled by controlling the deposition process. Moreover, the characteristics of the source/drain extension may be controlled independently of those of the subsequently formed deep or heavily doped source/drain junction.

摘要翻译： 可以为金属氧化物半导体场效应晶体管形成外延沉积的源极/漏极延伸。 可以形成牺牲层并蚀刻掉在栅电极下方的底切。 然后，可以沉积外延硅的源极/漏极延伸部，以在栅电极的边缘下延伸。 结果，可以通过控制牺牲材料的蚀刻来控制源极/漏极延伸在栅极下延伸的程度。 其厚度和深度可以通过控制沉积过程来控制。 此外，可以独立于后续形成的深度或重掺杂源极/漏极结的特性来控制源极/漏极延伸的特性。