公开(公告)号：US4637830A

公开(公告)日：1987-01-20

申请号：US669413

申请日：1984-11-08

申请人： Ross M. W. Dyer ,  Edward Nowak

发明人： Ross M. W. Dyer ,  Edward Nowak

IPC分类号： A01N37/40 ,  A01N39/02 ,  A01N39/04 ,  A01N37/34 ,  A01N25/00

CPC分类号： A01N37/40 ,  A01N39/02 ,  A01N39/04

摘要： Aqueous herbicidal concentrates of the normally water insoluble alkanoic acid esters of ioxynil and bromoxynil are prepared by dissolving the esters in an aqueous solution of at least a threefold excess of a salt of herbicidal chlorobenzoic or chlorophenoxyalkanoic acids.

摘要翻译： 通常将水不溶性的炔基和溴苯腈的烷酸酯的水性除草浓缩物通过将酯溶解在至少三倍过量的除草氯苯甲酸或氯代苯氧基烷酸的盐的水溶液中来制备。

公开(公告)号：US08979044B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13074803

申请日：2011-03-29

申请人： Kenneth G. Seidl ,  Edward Nowak ,  Michael Burwell ,  Paul Li ,  Paul Stangl

发明人： Kenneth G. Seidl ,  Edward Nowak ,  Michael Burwell ,  Paul Li ,  Paul Stangl

IPC分类号： A47B96/06 ,  F16M11/24 ,  H01F7/02 ,  F21V21/096

CPC分类号： F16M11/24 ,  F21V21/096 ,  H01F7/0252

摘要： The invention provides compositions and methods for holding systems, devices, apparatuses, or portions thereof in a retracted, extended, or intermediate configuration. In particular, the invention provides permanent magnets and/or magnetizable materials configured to hold systems, devices, apparatuses, or portions thereof in retracted, extended, and/or intermediate configurations.

摘要翻译： 本发明提供了用于将系统，装置，装置或其部分保持在缩回的，延伸的或中间的构造中的组合物和方法。 特别地，本发明提供了永久磁铁和/或可磁化材料，其构造成将系统，装置，装置或其部分保持在缩回的，延伸的和/或中间的构造中。

公开(公告)号：USD662066S1

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US29401217

申请日：2011-09-08

申请人： Kenneth G. Seidl ,  Edward Nowak ,  Paul Li

设计人： Kenneth G. Seidl ,  Edward Nowak ,  Paul Li

公开(公告)号：US20080103708A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11549165

申请日：2006-10-13

申请人： Takeshi Inoue ,  James D. Warnock ,  Douglas H. Bradley ,  Noah Zamdmer ,  Dennis Cox ,  Edward Nowak

发明人： Takeshi Inoue ,  James D. Warnock ,  Douglas H. Bradley ,  Noah Zamdmer ,  Dennis Cox ,  Edward Nowak

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/40

CPC分类号： G06F17/5036 ,  G01R31/3008 ,  G01R31/31721

摘要： Methods and apparatus provide for estimating leakage power as a function of delay times. Delay times and leakage power values may be measured for a test circuit of a given circuit design. A statistical sampling of the measurements may be obtained for the test circuit. The delay data and leakage power data may be correlated to express and estimate leakage power as a function of delay distribution. The test circuit may include a proposed circuit that is simulated, and the method and apparatus also may provide for: creating a schematic design of the test circuit, having, for example, defined poly gate lengths, on-chip devices, and power sources; incorporating a delay chain into the schematic design to get delay distribution data; and utilizing the schematic design, wherein the utilitzation may be a simulation.

摘要翻译： 方法和装置提供了估计泄漏功率作为延迟时间的函数。 对于给定电路设计的测试电路，可以测量延迟时间和漏电功率值。 测试电路可以获得测量的统计采样。 可以将延迟数据和泄漏功率数据相关联以表示和估计作为延迟分布的函数的泄漏功率。 测试电路可以包括被仿真的所提出的电路，并且该方法和装置还可以提供：创建测试电路的示意性设计，具有例如限定的多栅极长度，片上器件和电源; 将延迟链结合到原理图设计中以获得延迟分布数据; 并且利用示意图设计，其中该功能可以是模拟。

公开(公告)号：US20080099795A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11969339

申请日：2008-01-04

申请人： Kerry Bernstein ,  Edward Nowak ,  BethAnn Rainey

发明人： Kerry Bernstein ,  Edward Nowak ,  BethAnn Rainey

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66795

摘要： A drive strength tunable FinFET, a method of drive strength tuning a FinFET, a drive strength ratio tuned FinFET circuit and a method of drive strength tuning a FinFET, wherein the FinFET has either at least one perpendicular and at least one angled fin or has at least one double-gated fin and one split-gated fin.

摘要翻译： 驱动强度可调谐FinFET，FinFET的驱动强度调谐方法，驱动强度比调谐FinFET电路和FinFET的驱动强度调谐方法，其中FinFET具有至少一个垂直和至少一个成角度的鳍或具有 最少一个双门翅和一个分闸门。

公开(公告)号：US20080091007A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11999545

申请日：2007-12-06

申请人： Victoria Ayers ,  Edward Nowak

发明人： Victoria Ayers ,  Edward Nowak

IPC分类号： C07C59/08 ,  C07C59/06 ,  C07C59/245 ,  C07C59/265 ,  C07H3/06

CPC分类号： C08L1/28 ,  A61K9/4816 ,  C08J5/18 ,  C08J2301/28 ,  C08K5/0016 ,  C08K5/09 ,  C08L1/284

摘要： A hydroxypropyl methyl cellulose film comprises hydroxypropyl methyl cellulose plasticised with a plasticiser comprising a fruit acid or a salt or a fruit acid, preferably lactic acid. The film is safe for human consumption and finds use as a wall material of an ingestible delivery capsule, e.g. containing a dose of a pharmaceutical preparation.

摘要翻译： 羟丙基甲基纤维素膜包括用包含果酸或盐或果酸，优选乳酸的增塑剂增塑的羟丙基甲基纤维素。 该片对于人类消费是安全的，并且被用作可摄取递送胶囊的壁材料，例如， 含有一定剂量的药物制剂。

公开(公告)号：US20080087968A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11955579

申请日：2007-12-13

申请人： Edward Nowak

发明人： Edward Nowak

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7856

摘要： Disclosed herein are improved fin-type field effect transistor (FinFET) structures and the associated methods of manufacturing the structures. In one embodiment FinFET drive current is optimized by configuring the FinFET asymmetrically to decrease fin resistance between the gate and the source region and to decrease capacitance between the gate and the drain region. In another embodiment device destruction at high voltages is prevented by ballasting the FinFET. Specifically, resistance is optimized in the fin between the gate and both the source and drain regions (e.g., by increasing fin length, by blocking source/drain implant from the fin, and by blocking silicide formation on the top surface of the fin) so that the FinFET is operable at a predetermined maximum voltage.

摘要翻译： 本文公开了改进的鳍式场效应晶体管（FinFET）结构以及相关的制造结构的方法。 在一个实施例中，通过非限制地配置FinFET来优化FinFET驱动电流，以减小栅极和源极区域之间的鳍电阻并降低栅极和漏极区域之间的电容。 在另一个实施例中，通过对FinFET进行镇流器来防止在高电压下的破坏。 具体来说，在栅极和源极和漏极区域之间的鳍片（例如，通过增加鳍片长度，通过阻挡来自鳍片的源极/漏极注入以及通过阻挡鳍片的顶部表面上的硅化物）来优化电阻），因此 FinFET可在预定的最大电压下工作。

公开(公告)号：US20070242497A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11402400

申请日：2006-04-12

申请人： Rajiv Joshi ,  Keunwoo Kim ,  Edward Nowak ,  Richard Williams

发明人： Rajiv Joshi ,  Keunwoo Kim ,  Edward Nowak ,  Richard Williams

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/412

摘要： The present invention provides dynamic control of back gate bias on pull-up pFETs in a FinFET SRAM cell. A method according to the present invention includes providing a bias voltage to a back gate of at least one transistor in the SRAM cell, and dynamically controlling the bias voltage based on an operational mode (e.g., Read, Half-Select, Write, Standby) of the SRAM cell.

摘要翻译： 本发明提供对FinFET SRAM单元中的上拉pFET的背栅极偏置的动态控制。 根据本发明的方法包括向SRAM单元中的至少一个晶体管的背栅提供偏置电压，并且基于操作模式（例如，读取，半选择，写入，待机）动态地控制偏置电压， 的SRAM单元。

公开(公告)号：US20070184099A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US10590038

申请日：2005-02-18

申请人： Edward Nowak

发明人： Edward Nowak

IPC分类号： A61K9/48 ,  A61K9/24

CPC分类号： A61K9/006 ,  A61K9/7007

摘要： Non gelatin film materials e.g. films of modified cellulose materials find use as dosage forms. Substances are incorporated into the film matrix and films thus prepared may be administered really, or otherwise internally, or epidermally. The administable form may comprise a matrix which contains at least one water soluble polymer in the form of a film, in addition to at least one active ingredient, to produce a therapeutic, organoleptic or cosmetic effect.

摘要翻译： 非明胶膜材料 改性纤维素材料的薄膜可用作剂型。 物质被并入到膜基质中，并且由此制备的膜可以真正地或以其他方式在内部或在表皮上施用。 施用形式可以包含除了至少一种活性成分之外还含有至少一种薄膜形式的水溶性聚合物以产生治疗，感官或美容效果的基质。

公开(公告)号：US20070108534A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11164214

申请日：2005-11-15

申请人： Edward Nowak

发明人： Edward Nowak

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/66143

摘要： Disclosed is a silicon-on-insulator-based Schottky barrier diode with a low forward voltage that can be manufactured according to standard SOI process flow. An active silicon island is formed using an SOI wafer. One area of the island is heavily-doped with an n-type or p-type dopant, one area is lightly-doped with the same dopant, and an isolation structure is formed on the top surface above a junction between the two areas. A metal silicide region contacts the lightly-doped side of the island forming a Schottky barrier. Another discrete metal silicide region contacts the heavily-doped area of the island forming an electrode to the Schottky barrier (i.e., a Schottky barrier contact). The two metal silicide regions are isolated from each other by the isolation structure. Contacts to each of the discrete metal silicide regions allow a forward and/or a reverse bias to be applied to the Schottky barrier.