公开(公告)号：US20050081631A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10970067

申请日：2004-10-20

申请人： Marc Weinberg ,  Anthony Kourepenis ,  William Sawyer ,  Jeffrey Borenstein ,  James Connelly ,  Amy Duwel ,  Christopher Lento ,  James Cousens

发明人： Marc Weinberg ,  Anthony Kourepenis ,  William Sawyer ,  Jeffrey Borenstein ,  James Connelly ,  Amy Duwel ,  Christopher Lento ,  James Cousens

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/5719 ,  H01L21/683 ,  G01P15/08

CPC分类号： H01L21/6835 ,  G01C19/5719 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025

摘要： A method for reducing errors in a tuning fork gyroscope includes determining a first distance, gt, between an upper sense plate and a proof mass and a second distance, gb, between a lower sense plate and the proof mass. The method further includes applying a first voltage, Vt, to the upper sense plate and a second voltage, Vb, to the lower sense plate, wherein the ratio of the first voltage and the second voltage is a function of the first distance and the second distance.

摘要翻译： 一种用于减少音叉陀螺仪中的误差的方法包括确定上感测板和检测质量之间的第一距离g i，以及第二距离g b， 在下感测板和检测质量之间。 所述方法还包括向所述下感测板施加第一电压V sub至所述上感测板，并将第二电压V SUB施加到所述下感测板，其中， 第一电压和第二电压是第一距离和第二距离的函数。

公开(公告)号：USD605757S1

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US29256720

申请日：2006-03-24

申请人： Robert William Sawyer

设计人： Robert William Sawyer

公开(公告)号：US20080003779A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11857720

申请日：2007-09-19

申请人： William Sawyer

发明人： William Sawyer

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： B81B7/0048 ,  B81B2203/0307

摘要： A method for producing Microelectromechanical Systems (MEMS) and related devices using Silicon-On-Insulator (SOI) wafer includes providing an SOI wafer, performing a mesa etch to at least partially define the MEMS device, bonding the SOI wafer to an interposer by direct boding, removing the handle layer of the SOI wafer, removing the oxide layer of the SOI wafer, and further etching the device layer of the SOI wafer to define the MEMS device. A structure manufactured according to the above described processes includes an interposer comprising an SOI wafer and a MEMS device mounted on the interposer. The MEMS device comprises posts extending from a silicon plate. The MEMS device is directly mounted to the interposer by bonding the posts of the MEMS device to the device layer of the interposer.

摘要翻译： 使用绝缘体上硅（SOI）晶片制造微机电系统（MEMS）和相关器件的方法包括提供SOI晶片，执行台面蚀刻以至少部分限定MEMS器件，通过直接将SOI晶片连接到插入器 去除SOI晶片的手柄层，去除SOI晶片的氧化物层，并进一步蚀刻SOI晶片的器件层以限定MEMS器件。 根据上述工艺制造的结构包括内插器，其包括安装在插入件上的SOI晶片和MEMS器件。 MEMS器件包括从硅板延伸的柱。 MEMS器件通过将MEMS器件的柱结合到插入器的器件层而直接安装到插入器。