公开(公告)号：US06555880B2

公开(公告)日：2003-04-29

申请号：US09875187

申请日：2001-06-07

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin Kok Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Paul Michael Solomon

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin Kok Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Paul Michael Solomon

IPC分类号： H01L31119

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/41783

摘要： A semiconductor structure includes raised source and drain regions, where the raised source and drain regions are facet free and unconstrained to have a shape conforming to a same crystallographic axes with respect to each other.

摘要翻译： 半导体结构包括凸起的源极和漏极区域，其中升高的源极和漏极区域是小面自由的并且不受限制地具有与彼此相同的结晶轴的形状。

公开(公告)号：US07713837B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US12128259

申请日：2008-05-28

申请人： Kevin K. Chan ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Erin C. Jones ,  Antonio F. Saavedra, Jr. ,  Leathen Shi ,  Dinkar V. Singh

发明人： Kevin K. Chan ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Erin C. Jones ,  Antonio F. Saavedra, Jr. ,  Leathen Shi ,  Dinkar V. Singh

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76251

摘要： Described is a wet chemical surface treatment involving NH4OH that enables extremely strong direct bonding of two wafer such as semiconductors (e.g., Si) to insulators (e.g., SiO2) at low temperatures (less than or equal to 400° C.). Surface energies as high as ˜4835±675 mJ/m2 of the bonded interface have been achieved using some of these surface treatments. This value is comparable to the values reported for significantly higher processing temperatures (less than 1000° C.). Void free bonding interfaces with excellent yield and surface energies of ˜2500 mJ/m2 have also be achieved herein.

摘要翻译： 描述了涉及NH 4 OH的湿化学表面处理，其能够在低温（小于或等于400℃）下将诸如半导体（例如Si）的两个晶片极度直接结合到绝缘体（例如SiO 2）。 使用这些表面处理中的一些已经实现了接合界面的高达〜4835±675mJ / m 2的表面能。 该值与显着更高的处理温度（小于1000℃）报告的值相当。 本发明还可以实现具有优异的产率和表面能的约200mJ / m 2的无空隙结合界面。

公开(公告)号：US06444578B1

公开(公告)日：2002-09-03

申请号：US09791024

申请日：2001-02-21

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  Kevin K. Chan ,  Guy M. Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  James M. Harper ,  Christian Lavoie ,  Paul M. Solomon

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Roy Arthur Carruthers ,  Kevin K. Chan ,  Guy M. Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  James M. Harper ,  Christian Lavoie ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： The present invention relates to a method of reducing Si consumption during a self-aligned silicide process which employs a M—Si or M—Si—Ge alloy, where M is Co, Ni or CoNi and a blanket layer of Si. The present invention is particularly useful in minimizing Si consumption in shallow junction and thin silicon-on-insulator (SOI) electronic devices.

摘要翻译： 本发明涉及在采用M-Si或M-Si-Ge合金的自对准硅化物工艺中降低Si消耗的方法，其中M是Co，Ni或CoNi以及Si的覆盖层。 本发明特别可用于最大限度地减少浅结和薄绝缘体上硅（SOI）电子器件中的Si消耗。

公开(公告)号：US20080227270A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12128259

申请日：2008-05-28

申请人： Kevin K. Chan ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Erin C. Jones ,  Antonio F. Saavedra ,  Leathen Shi ,  Dinkar V. Singh

发明人： Kevin K. Chan ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Erin C. Jones ,  Antonio F. Saavedra ,  Leathen Shi ,  Dinkar V. Singh

IPC分类号： H01L21/46

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76251

摘要： Described is a wet chemical surface treatment involving NH4OH that enables extremely strong direct bonding of two wafer such as semiconductors (e.g., Si) to insulators (e.g., SiO2) at low temperatures (less than or equal to 400° C.). Surface energies as high as ˜4835±675 mJ/m2 of the bonded interface have been achieved using some of these surface treatments. This value is comparable to the values reported for significantly higher processing temperatures (less than 1000° C.). Void free bonding interfaces with excellent yield and surface energies of ˜2500 mJ/m2 have also be achieved herein.

摘要翻译： 描述了涉及NH 4 OH的湿化学表面处理，其能够使诸如半导体（例如Si）的两个晶片与绝缘体（例如，SiO 2）的极强直接接合， 在低温（小于或等于400℃）。 使用这些表面处理中的一些已经实现了键合界面的高达〜4835±675mJ / m 2的表面能。 该值与报告的显着更高的处理温度（小于1000℃）的值相当。 本文还可以实现具有优异产率和约2500mJ / m 2的表面能的无空隙键合界面。

公开(公告)号：US06716708B2

公开(公告)日：2004-04-06

申请号：US10299688

申请日：2002-11-20

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin Kok Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Paul Michael Solomon

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin Kok Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Christian Lavoie ,  Ronnen Andrew Roy ,  Paul Michael Solomon

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/41783

摘要： A method (and resultant structure) for forming a metal silicide contact on a silicon-containing region having controlled consumption of said silicon-containing region, includes implanting Ge into the silicon-containing region, forming a blanket metal-silicon mixture layer over the silicon-containing region, reacting the metal-silicon mixture with silicon at a first temperature to form a metal silicon alloy, etching unreacted portions of the metal-silicon mixture layer, forming a blanket silicon layer over the metal silicon alloy layer, annealing at a second temperature to form an alloy of metal-Si2, and selectively etching the unreacted silicon layer.

摘要翻译： 一种用于在具有所述含硅区域的受控消耗的含硅区域上形成金属硅化物接触的方法（和所得结构）包括将Ge注入含硅区域中，在硅上形成覆盖的金属 - 硅混合物层 在第一温度下使金属硅混合物与硅反应以形成金属硅合金，蚀刻金属 - 硅混合物层的未反应部分，在金属硅合金层上形成覆盖硅层，在第二温度下退火 温度以形成金属-Si2的合金，并且选择性地蚀刻未反应的硅层。

公开(公告)号：US06645861B2

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US09836197

申请日：2001-04-18

申请人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin K. Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Christian Lavoie ,  Paul Michael Solomon ,  Ying Zhang

发明人： Cyril Cabral, Jr. ,  Kevin K. Chan ,  Guy Moshe Cohen ,  Kathryn Wilder Guarini ,  Christian Lavoie ,  Paul Michael Solomon ,  Ying Zhang

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L29/6653 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method (and structure formed thereby) of forming a metal silicide contact on a non-planar silicon containing region having controlled consumption of the silicon containing region, includes forming a blanket metal layer over the silicon containing region, forming a silicon layer over the metal layer, etching anisotropically and selectively with respect to the metal the silicon layer, reacting the metal with silicon at a first temperature to form a metal silicon alloy, etching unreacted portions of the metal layer, annealing at a second temperature to form an alloy of metal-Si2, and selectively etching the unreacted silicon layer.

摘要翻译： 在具有含硅区域的受控消耗的非平面含硅区域上形成金属硅化物接触的方法（以及由此形成的结构）包括在含硅区域上形成覆盖金属层，在金属上形成硅层 层，相对于金属的硅层各向异性地选择性地蚀刻，在第一温度下使金属与硅反应以形成金属硅合金，蚀刻金属层的未反应部分，在第二温度退火以形成金属合金 -Si2，并且选择性地蚀刻未反应的硅层。