公开(公告)号：US5766380A

公开(公告)日：1998-06-16

申请号：US743305

申请日：1996-11-05

申请人： Chi-Fung Lo ,  Darryl Draper

发明人： Chi-Fung Lo ,  Darryl Draper

IPC分类号： C22F1/04 ,  C23C14/34 ,  C22C21/00

CPC分类号： C22F1/04 ,  C23C14/3414

摘要： A method of fabricating an alloy sputtering target having fine precipitates of the second phase material and small, randomly oriented and uniform grains. The new method includes solution treatment to minimize second-phase precipitate size, cryo-deformation to prevent the formation of cubic structures and recrystallization to generate fine uniform grain sizes having a random orientation.

摘要翻译： 一种制造具有第二相材料的微细沉淀物和小的随机取向和均匀晶粒的合金溅射靶的方法。 新方法包括固溶处理以使第二相沉淀物尺寸最小化，低温变形以防止立方结构的形成和重结晶以产生具有随机取向的精细均匀晶粒尺寸。

公开(公告)号：US20080149477A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11644816

申请日：2006-12-22

申请人： Chi-Fung Lo ,  Darryl Draper

发明人： Chi-Fung Lo ,  Darryl Draper

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F3/14 ,  B22F7/08 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

摘要： Methods for manufacturing sputtering target assemblies and assemblies thereof are provided, particularly targets made of powders. Powders are adhered to a backing plate by use of a vacuum hot press, the powder preferably contacted by non-planar surfaces, and is compressed with at least about 95% density and substantially simultaneously diffusion-bonded to the backing plate.

摘要翻译： 提供制造溅射靶组件及其组件的方法，特别是由粉末制成的靶。 粉末通过使用真空热压机粘附到背板上，粉末优选地与非平面表面接触，并且以至少约95％的密度压缩并基本上同时地扩散粘合到背板上。

公开(公告)号：US20120228131A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13482482

申请日：2012-05-29

申请人： Chi-Fung Lo ,  Darryl Draper

发明人： Chi-Fung Lo ,  Darryl Draper

IPC分类号： C23C14/34 ,  B30B13/00 ,  C23C14/14

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F3/14 ,  B22F7/08 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

摘要： Methods for manufacturing sputtering target assemblies and assemblies thereof are provided, particularly targets made of powders. Powders are adhered to a backing plate by use of a vacuum hot press, the powder preferably contacted by non-planar surfaces, and is compressed with at least about 95% density and substantially simultaneously diffusion-bonded to the backing plate.

摘要翻译： 提供制造溅射靶组件及其组件的方法，特别是由粉末制成的靶。 粉末通过使用真空热压机粘附到背板上，粉末优选地与非平面表面接触，并且以至少约95％的密度压缩并基本上同时地扩散粘合到背板上。

公开(公告)号：US20100140084A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12330996

申请日：2008-12-09

申请人： Chi-Fung Lo ,  Darryl Draper ,  Paul Gilman

发明人： Chi-Fung Lo ,  Darryl Draper ,  Paul Gilman

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22F3/24

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F7/08 ,  B22F2998/10 ,  B22F3/10 ,  B22F3/18 ,  B22F7/062

摘要： A method of manufacturing a sputter target is provided which comprises mixing aluminum and at least one other metallic powder to form a powder blend, compressing said powder blend under significant force to achieve a pressed blank having a packing density of at least 50% of the theoretical density, heating the blank at a temperature less then the temperature which would form greater than an average of 25% inter-metallic phases in the blank under the conditions employed, rolling the blank to obtain at least 95% of the theoretical thickness of the blank, and bonding the blank to a suitable substrate. Also provided is a sputter target made from this method.

摘要翻译： 提供一种制造溅射靶的方法，其包括将铝和至少一种其它金属粉末混合以形成粉末共混物，在显着的力下压缩所述粉末共混物以获得压片坯料，所述压制坯料的堆积密度为理论值的至少50％ 密度，在低于在所用条件下在坯料中形成大于平均25％金属间相的温度的温度加热坯料，轧制坯料以获得坯料的理论厚度的至少95％ ，并将坯料粘合到合适的基底上。 还提供了由该方法制成的溅射靶。

公开(公告)号：US20080236738A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11731106

申请日：2007-03-30

申请人： Chi-Fung Lo ,  Darryl draper

发明人： Chi-Fung Lo ,  Darryl draper

IPC分类号： C23C14/00 ,  B32B38/00

CPC分类号： C23C14/3407

摘要： Methods for manufacturing sputtering target assemblies by bonding target materials to backing plates using metals and alloys in powder form to achieve substantially 100% bonding at temperatures achieved in a vacuum hot press.

摘要翻译： 通过使用粉末形式的金属和合金将目标材料粘合到背板上来制造溅射靶组件的方法，以在真空热压机中实现的温度实现基本上100％的粘合。

公开(公告)号：US5896553A

公开(公告)日：1999-04-20

申请号：US630155

申请日：1996-04-10

申请人： Chi-Fung Lo

发明人： Chi-Fung Lo

IPC分类号： C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  C23C14/34 ,  B22F3/12

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04

摘要： A single phase W-Ti sputter target and a method of manufacturing the target are disclosed. The target is produced by mixing powders of tungsten and titanium and subjecting the mixed powders to a pressing operation for a time, temperature and pressure sufficient to achieve a mutual solid solution of W and Ti, forming single .beta.(Ti,W) phase. The single phase sputtering target emits much less particulate during sputtering than conventional multiphase W-Ti targets of comparable density and composition.

摘要翻译： 公开了单相W-Ti溅射靶及其制造方法。 目标是通过混合钨和钛的粉末并使混合粉末经受压制操作达到足以实现W和Ti的相互固溶体形成单一β（Ti，W）相的时间，温度和压力。 单相溅射靶在溅射过程中发射的颗粒少于常规的具有相当密度和组成的多相W-Ti靶。

公开(公告)号：US06582641B1

公开(公告)日：2003-06-24

申请号：US08295593

申请日：1994-08-25

申请人： Chi-Fung Lo ,  John Turn

发明人： Chi-Fung Lo ,  John Turn

IPC分类号： B29C6700

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/645 ,  Y10S425/812

摘要： An apparatus and process for making metal oxide sputtering targets from volatile and thermally unstable metal oxide powder by hot-pressing the metal oxide powder in a graphite die assembly having a ceramic barrier sleeve disposed therein to isolate the metal oxide powder from the graphite die assembly components.

摘要翻译： 一种用于通过在其中设置有陶瓷阻挡套筒的石墨模具组件中热压金属氧化物粉末来从挥发性和热不稳定的金属氧化物粉末制造金属氧化物溅射靶的装置和方法，以将金属氧化物粉末与石墨模头组件部件 。

公开(公告)号：US5656216A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：US295594

申请日：1994-08-25

申请人： Chi-Fung Lo ,  John Turn ,  David P. Strauss

发明人： Chi-Fung Lo ,  John Turn ,  David P. Strauss

IPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34 ,  B22F3/15 ,  C04B35/453

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/645 ,  C23C14/3414 ,  Y10S264/36

摘要： An apparatus and process for making metal oxide sputtering targets from volatile and thermally unstable metal oxide powder by enveloping the metal oxide powder in at least one layer of a barrier material while the powder is hot-pressed using a graphite die assembly.

摘要翻译： 一种用于通过在使用石墨模头组件对粉末进行热压的同时将金属氧化物粉末包封在至少一层阻隔材料中的方法来从挥发性和热不稳定的金属氧化物粉末制造金属氧化物溅射靶的装置和方法。

公开(公告)号：US06299831B1

公开(公告)日：2001-10-09

申请号：US09353503

申请日：1999-07-14

申请人： Chi-Fung Lo

发明人： Chi-Fung Lo

IPC分类号： B22F312

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F2998/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F3/14 ,  B22F3/1216 ,  B22F3/15

摘要： A method is provided for fabricating Cu/Cr sputter targets having a density of at least about 90% of theoretical density and an oxygen content of less than about 1000 ppm. According to the principles of the present invention, Cu and Cr powders, each having particles in the size range of about 20 &mgr;m to about 150 &mgr;m and having oxygen contents preferably less than about 1200 ppm and 600 ppm, respectively, are blended and pressed by hot pressing. A low-oxygen content, high-density Cu/Cr target is thereby achieved for the sputtering of thin films having a defect generation of about 0%.

摘要翻译： 提供了一种用于制造密度为理论密度的至少约90％，氧含量小于约1000ppm的Cu / Cr溅射靶的方法。 根据本发明的原理，将分别具有大约20μm至大约150μm的粒子并且具有优选小于约1200ppm和600ppm的氧含量的颗粒的Cu和Cr粉末分别混合并压制 热压。 因此，对于具有约0％的缺陷产生的薄膜的溅射，由此实现了低氧含量，高密度Cu / Cr靶。