公开(公告)号：US08421181B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12840791

申请日：2010-07-21

申请人： Frederick G. Anderson ,  Jenifer E. Lary ,  Robert M. Rassel ,  Mark E. Stidham

发明人： Frederick G. Anderson ,  Jenifer E. Lary ,  Robert M. Rassel ,  Mark E. Stidham

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66143

摘要： A Schottky barrier diode comprises a first-type substrate, a second-type well isolation region on the first-type substrate, and a first-type well region on the second-type well isolation region. With embodiments herein a feature referred to as a perimeter capacitance well junction ring is on the second-type well isolation region. A second-type well region is on the second-type well isolation region. The perimeter capacitance well junction ring is positioned between and separates the first-type well region and the second-type well region. A second-type contact region is on the second-type well region, and a first-type contact region contacts the inner portion of the first-type well region. The inner portion of the first-type well region is positioned within the center of the first-type contact region. Additionally, a first ohmic metallic layer is on the first-type contact region and a second ohmic metallic layer is on the first-type well region. The first ohmic metallic layer contacts the second ohmic metallic layer at a junction that makes up the Schottky barrier of the Schottky barrier diode.

摘要翻译： 肖特基势垒二极管包括第一类型衬底，第一类型衬底上的第二类型阱隔离区域和第二类型阱隔离区域上的第一类型阱区域。 在这里的实施例中，被称为周边电容阱接合环的特征在第二类型的隔离区域上。 第二类型井区域位于第二类型井隔离区域上。 周边电容阱接合环位于第一类型阱区域和第二类型阱区域之间并分离。 第二类型接触区域位于第二类型阱区域上，并且第一类型接触区域接触第一类型阱区域的内部部分。 第一类型阱区域的内部位于第一类型接触区域的中心内。 此外，第一欧姆金属层位于第一类型接触区域上，第二欧姆金属层位于第一类型阱区域上。 第一欧姆金属层在构成肖特基势垒二极管的肖特基势垒的结处接触第二欧姆金属层。

公开(公告)号：US08384140B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12181341

申请日：2008-07-29

申请人： Timothy W. Kemerer ,  Jenifer E. Lary ,  James S. Nakos ,  Steven M. Shank

发明人： Timothy W. Kemerer ,  Jenifer E. Lary ,  James S. Nakos ,  Steven M. Shank

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L29/945

摘要： A dual contact trench capacitor and design structure for a dual contact trench capacitor is provided. The structure includes a first plate extending from a trench and isolated from a wafer body, and a second plate extending from the trench and isolated from the wafer body and the first plate.

摘要翻译： 提供双接触沟槽电容器和双接触沟槽电容器的设计结构。 该结构包括从沟槽延伸并与晶片本体隔离的第一板和从沟槽延伸并与晶片体和第一板分离的第二板。

公开(公告)号：US07759189B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US12181338

申请日：2008-07-29

申请人： Timothy W. Kemerer ,  Jenifer E. Lary ,  James S. Nakos ,  Steven M. Shank

发明人： Timothy W. Kemerer ,  Jenifer E. Lary ,  James S. Nakos ,  Steven M. Shank

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/90

摘要： A method of manufacturing a dual contact trench capacitor is provided. The method includes a first plate extending from a trench and isolated from a wafer body, and forming a second plate extending from the trench and isolated from the wafer body and the first plate.

摘要翻译： 提供一种制造双接触沟槽电容器的方法。 该方法包括从沟槽延伸并从晶片本体隔离的第一板，以及形成从沟槽延伸并与晶片本体和第一板隔离的第二板。