公开(公告)号：US08428094B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12865841

申请日：2008-12-18

Applicant: Hans Lindberg ,  Stefan Illek

Inventor： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

IPC: H01S3/091 ,  H01S5/00 ,  H01S3/09

CPC classification number: H01S5/18375 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/141 ,  H01S5/4031

Abstract: A surface-emitting semiconductor laser is described, with a semiconductor chip (1), which has a substrate (2), a DBR-mirror (3) applied to the substrate (2) and an epitaxial layer sequence (4) applied to the DBR mirror (3), said layer sequence comprising a radiation-emitting active layer (5), and with an external resonator mirror (9) arranged outside the semiconductor chip (1). The DBR mirror (3) and the substrate (2) are partially transmissive for the radiation (6) emitted by the active layer (5) and the back (14) of the substrate (2) remote from the active layer (5) is reflective to the emitted radiation (6).

Abstract translation: 使用半导体芯片（1）来描述表面发射半导体激光器，该半导体芯片（1）具有衬底（2），施加到衬底（2）的DBR镜（3）和施加到衬底的外延层序列（4） DBR镜（3），所述层序列包括辐射发射有源层（5），以及布置在半导体芯片（1）外部的外部谐振器反射镜（9）。 对于由有源层（5）发射的辐射（6）和远离有源层（5）的衬底（2）的背面（14），DBR反射镜（3）和衬底（2）是部分透射的 反射到发射的辐射（6）。

公开(公告)号：US20110122911A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12865841

申请日：2008-12-18

Applicant: Hans Lindberg ,  Stefan Illek

Inventor： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

IPC: H01S5/187

CPC classification number: H01S5/18375 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/141 ,  H01S5/4031

Abstract: A surface-emitting semiconductor laser is described, with a semiconductor chip (1), which has a substrate (2), a DBR-mirror (3) applied to the substrate (2) and an epitaxial layer sequence (4) applied to the DBR mirror (3), said layer sequence comprising a radiation-emitting active layer (5), and with an external resonator mirror (9) arranged outside the semiconductor chip (1). The DBR mirror (3) and the substrate (2) are partially transmissive for the radiation (6) emitted by the active layer (5) and the back (14) of the substrate (2) remote from the active layer (5) is reflective to the emitted radiation (6).

Abstract translation: 使用半导体芯片（1）来描述表面发射半导体激光器，该半导体芯片（1）具有衬底（2），施加到衬底（2）的DBR镜（3）和施加到衬底的外延层序列（4） DBR镜（3），所述层序列包括辐射发射有源层（5），以及布置在半导体芯片（1）外部的外部谐振器反射镜（9）。 对于由有源层（5）发射的辐射（6）和远离有源层（5）的衬底（2）的背面（14），DBR反射镜（3）和衬底（2）是部分透射的 反射到发射的辐射（6）。

公开(公告)号：US07756188B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US12208814

申请日：2008-09-11

Applicant: Hans Lindberg ,  Stefan Illek

Inventor： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

IPC: H01S3/08

CPC classification number: H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/183 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4056

Abstract: A semiconductor laser device (5) comprising at least one semiconductor laser chip (7) is provided, wherein the semiconductor laser chip (7) contains an active layer that emits electromagnetic radiation. Further, at least one corner reflector (1) is formed in the semiconductor laser chip (7). The corner reflector (1) has a first and a second reflective surface (14, 15), wherein the first and the second reflective surface (14, 15) are arranged at an angle of less than 90 degrees with respect to one another. This results in an improved emission characteristic of the radiation emitted by the semiconductor laser device (5).

Abstract translation: 提供了包括至少一个半导体激光器芯片（7）的半导体激光器件（5），其中半导体激光器芯片（7）包含发射电磁辐射的有源层。 此外，在半导体激光芯片（7）中形成至少一个角部反射器（1）。 角部反射器（1）具有第一和第二反射表面（14,15），其中第一和第二反射表面（14,15）相对于彼此以小于90度的角度布置。 这导致半导体激光装置（5）发射的辐射的发射特性得到改善。

公开(公告)号：USD348891S

公开(公告)日：1994-07-19

申请号：US914143

申请日：1992-07-17

Applicant: Lars Markusson ,  Hans Lindberg ,  Lars-Gunnar Wallstrom

Designer： Lars Markusson ,  Hans Lindberg ,  Lars-Gunnar Wallstrom

公开(公告)号：USD340464S

公开(公告)日：1993-10-19

申请号：US914142

申请日：1992-07-17

Applicant: Lars Markusson ,  Hans Lindberg ,  Lars-Gunnar Wallstrom

Designer： Lars Markusson ,  Hans Lindberg ,  Lars-Gunnar Wallstrom

公开(公告)号：US4580354A

公开(公告)日：1986-04-08

申请号：US609668

申请日：1984-05-14

Applicant: Hans Lindberg

Inventor： Hans Lindberg

IPC: F26B21/08 ,  F26B21/06

CPC classification number: F26B21/08

Abstract: For determining the relative humidity of a highly moist gas, particularly air exiting from a wood-drying apparatus, there is used a humidity sensing arrangement having a capacitive sensor, whose capacitance varies with changes in the relative humidity of gas to which it is exposed, and means for generating an output signal proportional to the prevailing capacitance of said capacitive sensor. The capacitive sensor is exposed to a heated partial flow of the highly moist gas, and the output signal of the output signal generating means is modified in correspondence with the extent to which the partial flow has been heated.

Abstract translation: 为了确定高湿气体，特别是从木材干燥设备排出的空气的相对湿度，使用具有电容传感器的湿度感测装置，其电容随着暴露于其中的气体的相对湿度的变化而变化， 以及用于产生与所述电容式传感器的主要电容成比例的输出信号的装置。 电容式传感器暴露于高湿度气体的加热部分流动，并且输出信号发生装置的输出信号根据部分流量被加热的程度而被修改。