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    Organic electroluminescent elements
    11.
    发明授权
    Organic electroluminescent elements 有权
    有机电致发光元件

    公开(公告)号：US06613458B2

    公开(公告)日：2003-09-02

    申请号：US09952215

    申请日：2001-09-13

    申请人： Shuit-Tong Lee ,  Chun-Sing Lee ,  Liang-Sun Hung ,  Bao-Xiu Mi ,  Zhi-Qiang Gao

    发明人： Shuit-Tong Lee ,  Chun-Sing Lee ,  Liang-Sun Hung ,  Bao-Xiu Mi ,  Zhi-Qiang Gao

    IPC分类号： H05B3314

    CPC分类号： C09K11/06 ,  C07C15/20 ,  C07C15/56 ,  C07C25/22 ,  C07C211/61 ,  C07C255/52 ,  C07C265/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/10 ,  C07C2603/54 ,  C07D295/02 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/50 ,  Y10S428/917

    摘要： An electroluminescent element has an anode, a cathode, and an organic layer structure between the two electrodes. The layer structure has a luminescent zone containing 1,9-perinaphtylene-10-1′-naphthylanthracene or derivatives as dopant. The luminescent material utilized as dopant has the following structure called pNNA or pNNA derivatives: Wherein: R1, R2, R3, R4 are individual substituents or a group of substituents, and they may be identical or different. Each substituent is individually selected from the following groups consisting of: H, alkyl (—R), halogen (—X), aryl (—Ar), alkenyl (RCH═CH—), allyl(CH2═CHCH2—), cyano (NC—), isocyano (CN—), amino (H2N—), tertiary amino (R2N—or Ar1Ar2N—), amide (RCONR—), nitro (N2O—), acyl (RCO—), carboxyl (—CO2H), alkoxyl (RO—), alkylsulfonyl (RSO2—), hydroxy (HO—) and single or fused aromatic heterocyclic rings.

    摘要翻译： 电致发光元件在两个电极之间具有阳极，阴极和有机层结构。 该层结构具有包含1,9-围烷基-10-1'-萘基蒽或其衍生物作为掺杂剂的发光区。 用作掺杂剂的发光材料具有称为pNNA或pNNA衍生物的以下结构：其中：R1，R2，R3，R4是各自的取代基或一组取代基，它们可以相同或不同。 每个取代基分别选自：H，烷基（-R），卤素（-X），芳基（-Ar），烯基（RCH = CH-），烯丙基（CH 2 = CHCH 2 - ），氰基（ NC-），异氰基（CN-），氨基（H2N-），叔氨基（R2N-或Ar1Ar2N-），酰胺（RCONR-），硝基（N2O-），酰基（RCO-），羧基（-CO2H） 烷氧基（RO-），烷基磺酰基（RSO2-），羟基（HO-）和单或稠合芳族杂环。

    Low-voltage organic light-emitting device
    14.
    发明授权
    Low-voltage organic light-emitting device 有权
    低电压有机发光装置

    公开(公告)号：US06483236B1

    公开(公告)日：2002-11-19

    申请号：US09577778

    申请日：2000-05-24

    申请人： Liang-Sun Hung

    发明人： Liang-Sun Hung

    IPC分类号： H01J162

    CPC分类号： H01L51/5012 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081

    摘要： A low-voltage organic light-emitting device has a light-transmissive hole-injecting electrode on a light-transmissive substrate, and formed over the hole-injecting electrode, in sequence, an organic hole-transporting layer, an organic light-emitting layer, a bi-layer interfacial structure, an electron-transporting layer having an electron affinity higher than an electron affinity of the light-emitting layer, and an electron-injecting electrode. The bi-layer interfacial structure provides effective electron transport from the electron-transporting layer to the light-emitting layer.

    摘要翻译： 低电压有机发光装置在透光性基板上具有透光性空穴注入电极，依次形成在空穴注入电极上，有机空穴传输层，有机发光层 ，双层界面结构，具有高于发光层的电子亲和力的电子亲和力的电子传输层和电子注入电极。 双层界面结构提供从电子传输层到发光层的有效电子传输。

    Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices
    15.
    发明授权
    Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices 有权
    减少有机发光装置中的环境光反射

    公开(公告)号：US06429451B1

    公开(公告)日：2002-08-06

    申请号：US09577092

    申请日：2000-05-24

    申请人： Liang-Sun Hung ,  Joseph K. Madathil

    发明人： Liang-Sun Hung ,  Joseph K. Madathil

    IPC分类号： H01L5100

    CPC分类号： H01L51/5281 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5284

    摘要： An organic light-emitting device capable of reducing ambient-light reflection from a cathode includes a light-transmissive substrate, a light-transmissive anode, an organic hole-transporting layer, and an organic electron transporting layer. A reflection-reducing structure disposed between the electron-transporting layer and a light-reflective cathode is capable of providing electron injection into the electron-transporting layer and of substantially reducing reflection of ambient-light entering the device.

    摘要翻译： 能够减少阴极的环境光反射的有机发光装置包括透光性基板，透光性阳极，有机空穴传输层和有机电子传输层。 设置在电子传输层和光反射阴极之间的反射减少结构能够向电子传输层提供电子注入，并且基本上减少进入该器件的环境光的反射。

    Metal impurity neutralization within semiconductors by fluorination
    16.
    发明授权
    Metal impurity neutralization within semiconductors by fluorination 失效
    通过氟化在半导体中金属杂质中和

    公开(公告)号：US5966623A

    公开(公告)日：1999-10-12

    申请号：US639543

    申请日：1996-04-29

    申请人： Rajinder P. Khosla ,  Liang-Sun Hung

    发明人： Rajinder P. Khosla ,  Liang-Sun Hung

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/425

    CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/3221

    摘要： Fluorination can be used to neutralize transition metal impurities in Si. Fluorine is incorporated into the near-surface region of Si by implantation or annealing in a fluorine containing ambient. Thermal treatments at appropriate temperatures are used to initiate the interdiffusion and reaction between fluorine and metal contaminants. The impurities readily react with fluorine to form a compound or complex, thus significantly reducing the number of mid-gap impurities.

    摘要翻译： 氟化可用于中和Si中的过渡金属杂质。 通过在含氟环境中进行注入或退火将氟掺入Si的近表面区域。 使用适当温度的热处理来引发氟和金属污染物之间的相互扩散和反应。 这些杂质容易与氟反应形成化合物或络合物，从而显着减少中间间隙杂质的数量。