公开(公告)号：US20140110717A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：US13848281

申请日：2013-03-21

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Xianyu WENXU ,  Yeon-hee KIM ,  Chang-youl MOON ,  Yong-young PARK

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/2003

Abstract: A structure includes a silicon substrate, a plurality of silicon rods on the silicon substrate, a silicon layer on the plurality of silicon rods, and a GaN substrate on the silicon layer.

Abstract translation: 一种结构包括硅衬底，硅衬底上的多个硅棒，多个硅棒上的硅层，以及硅层上的GaN衬底。