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    Field-Effect-Transistor Multiplexing/Demultiplexing Architectures and Methods of Forming The Same
    12.
    发明申请
    Field-Effect-Transistor Multiplexing/Demultiplexing Architectures and Methods of Forming The Same 有权
    场效应晶体管复用/解复用架构及其形成方法

    公开(公告)号：US20070241413A1

    公开(公告)日：2007-10-18

    申请号：US11765374

    申请日：2007-06-19

    申请人： Xiaofeng Yang ,  Pavel Komilovich

    发明人： Xiaofeng Yang ,  Pavel Komilovich

    IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1203

    摘要： This disclosure relates to field-effect-transistor (FET) multiplexing/demultiplexing architectures and methods for fabricating them. One of these FET multiplexing/demultiplexing architectures enables decoding of an array of tightly pitched conductive structures. Another enables efficient decoding of various types of conductive-structure arrays, tightly pitched or otherwise. Also, processes for forming FET multiplexing/demultiplexing architectures are disclosed that use alignment-independent processing steps. One of these processes uses one, low-accuracy imprinting step and further alignment-independent processing steps.

    摘要翻译： 本公开涉及场效应晶体管（FET）复用/解复用架构及其制造方法。 这些FET多路复用/多路分解结构之一使得能够对紧密调节的导电结构阵列进行解码。 另一种能够有效地解码各种类型的导电结构阵列，紧密地倾斜或以其它方式。 此外，公开了用于形成FET多路复用/多路分解结构的处理，其使用与取向无关的处理步骤。 这些过程之一使用一个低精度压印步骤和进一步的取向非依赖性处理步骤。

    Field-effect-transistor multiplexing/demultiplexing architectures and methods of forming the same
    14.
    发明申请
    Field-effect-transistor multiplexing/demultiplexing architectures and methods of forming the same 有权
    场效应晶体管复用/解复用架构及其形成方法

    公开(公告)号：US20050245014A1

    公开(公告)日：2005-11-03

    申请号：US10835659

    申请日：2004-04-30

    申请人： Xiaofeng Yang ,  Pavel Komilovich

    发明人： Xiaofeng Yang ,  Pavel Komilovich

    IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H04L12/56

    CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1203

    摘要： This disclosure relates to field-effect-transistor (FET) multiplexing/demultiplexing architectures and methods for fabricating them. One of these FET multiplexing/demultiplexing architectures enables decoding of an array of tightly pitched conductive structures. Another enables efficient decoding of various types of conductive-structure arrays, tightly pitched or otherwise. Also, processes for forming FET multiplexing/demultiplexing architectures are disclosed that use alignment-independent processing steps. One of these processes uses one, low-accuracy imprinting step and further alignment-independent processing steps.

    摘要翻译： 本公开涉及场效应晶体管（FET）复用/解复用架构及其制造方法。 这些FET多路复用/多路分解结构之一使得能够对紧密调节的导电结构阵列进行解码。 另一种能够有效地解码各种类型的导电结构阵列，紧密地倾斜或以其它方式。 此外，公开了用于形成FET多路复用/多路分解结构的处理，其使用与取向无关的处理步骤。 这些过程中的一个使用一个低精度压印步骤和进一步的对准非依赖性处理步骤。

    Thermally efficient drop generator
    18.
    发明申请
    Thermally efficient drop generator 审中-公开
    热效液滴发生器

    公开(公告)号：US20060081239A1

    公开(公告)日：2006-04-20

    申请号：US11070915

    申请日：2005-03-02

    申请人： Rodney Alley ,  Xiaofeng Yang ,  Kenneth Trueba

    发明人： Rodney Alley ,  Xiaofeng Yang ,  Kenneth Trueba

    IPC分类号： A61M11/00 ,  B05B17/06

    CPC分类号： B41J2/14129 ,  A61M15/00 ,  A61M15/025

    摘要： A drop ejection device for use in a handheld inhaler is fabricated with a thin passivation layer and thin or no metal anti-cavitation layers above underlying heat transducers to provide protection for the heat transducers. A control system energizes selected heat transducers to heat fluid in the chambers, vaporizing the fluid, which is ejected through the orifices in small droplets.

    摘要翻译： 在手持式吸入器中使用的液滴喷射装置用薄的钝化层制成，并且薄的或没有金属防空穴层位于热传感器下方，以为热传感器提供保护。 控制系统激励所选择的热传感器以加热腔室中的流体，汽化流体，其以小液滴喷射通过孔口。

    Wheatstone bridge scheme for sensor
    20.
    发明授权
    Wheatstone bridge scheme for sensor 有权
    惠斯通电桥传感器方案

    公开(公告)号：US07009268B2

    公开(公告)日：2006-03-07

    申请号：US10828334

    申请日：2004-04-21

    申请人： Xiaofeng Yang ,  Kevin Peters

    发明人： Xiaofeng Yang ,  Kevin Peters

    IPC分类号： H01L31/058 ,  H01L21/00

    CPC分类号： G01R17/105 ,  B82Y15/00

    摘要： A Wheatstone bridge circuit for a sensor has: first and second sensor elements which respond to a stimulus generated when the sensor is exposed to a sample to be measured, the first and second sensor elements comprising first and second elongated n type nano width regions formed in a suitable substrate; third and fourth sensor elements which respond to the stimulus generated when the sensor is exposed to the sample to be measured, comprising third and fourth elongated p type nano width regions formed in the substrate; and interconnections which interconnect the first and second sensor elements with the third and fourth sensor elements so that the first and second sensor elements are separated from and connected to the third and fourth sensor elements in a manner to form a Wheatstone bridge configuration.

    摘要翻译： 用于传感器的惠斯通电桥电路具有：第一和第二传感器元件，其响应于当传感器暴露于要测量的样品时产生的刺激，第一和第二传感器元件包括形成在第一和第二细长n型纳米宽度区域 合适的基材; 响应于当传感器暴露于要测量的样品时产生的刺激的第三和第四传感器元件，包括形成在衬底中的第三和第四细长p型纳米宽度区域; 以及将第一和第二传感器元件与第三和第四传感器元件互连的互连，使得第一和第二传感器元件以形成惠斯登电桥配置的方式与第三传感器元件和第四传感器元件分离并连接到第三和第四传感器元件。