公开(公告)号：US20060054183A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US11096986

申请日：2005-04-01

申请人： Thomas Nowak ,  Li-Qun Xia ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Brian Hopper ,  Yuri Trachuk ,  Ganesh Balasubramanian ,  Daemian Raj

发明人： Thomas Nowak ,  Li-Qun Xia ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Brian Hopper ,  Yuri Trachuk ,  Ganesh Balasubramanian ,  Daemian Raj

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： H01J37/32357 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J2237/335

摘要： A method and apparatus for cleaning a semiconductor manufacturing chamber comprising introducing a heteroatomic fluorine containing gas to a remote plasma source, disassociating the heteroatomic fluorine containing gas, forming diatomic fluorine, transporting gas from the remote plasma source into a processing region of the chamber, and ionizing the diatomic fluorine with an in situ plasma.

摘要翻译： 一种用于清洁半导体制造室的方法和设备，包括将杂原子含氟气体引入远程等离子体源，使含杂原子的氟化物气体分离，形成双原子氟，将气体从远程等离子体源输送到室的处理区域;以及 用原位血浆电离双原子氟。

公开(公告)号：US08753989B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US13365229

申请日：2012-02-02

申请人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835

摘要： High tensile stress in a deposited layer, such as a silicon nitride layer, may be achieved utilizing one or more techniques employed either alone or in combination. In one embodiment, a silicon nitride film having high tensile stress may be formed by depositing the silicon nitride film in the presence of a porogen. The deposited silicon nitride film may be exposed to at least one treatment selected from a plasma or ultraviolet radiation to liberate the porogen. The silicon nitride film may be densified such that a pore resulting from liberation of the porogen is reduced in size, and Si—N bonds in the silicon nitride film are strained to impart a tensile stress in the silicon nitride film. In another embodiment, tensile stress in a silicon nitride film may be enhanced by depositing a silicon nitride film in the presence of a nitrogen-containing plasma at a temperature of less than about 400° C., and exposing the deposited silicon nitride film to ultraviolet radiation.

摘要翻译： 沉积层（例如氮化硅层）中的高拉伸应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来实现。 在一个实施例中，可以通过在致孔剂的存在下沉积氮化硅膜来形成具有高拉伸应力的氮化硅膜。 沉积的氮化硅膜可以暴露于选自等离子体或紫外线辐射的至少一种处理以释放致孔剂。 可以使氮化硅膜致密化，使致孔剂释放产生的孔尺寸减小，并且氮化硅膜中的Si-N键变形以在氮化硅膜中产生拉伸应力。 在另一个实施例中，可以通过在低于约400℃的温度下在含氮等离子体的存在下沉积氮化硅膜来增强氮化硅膜中的拉伸应力，并将沉积的氮化硅膜暴露于紫外线 辐射。

公开(公告)号：US20060269692A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11398146

申请日：2006-04-05

申请人： Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H05H1/24 ,  B05D3/00

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3185

摘要： Compressive stress in a film of a semiconductor device may be controlled utilizing one or more techniques, employed alone or in combination. A first set of embodiments increase silicon nitride compressive stress by adding hydrogen to the deposition chemistry, and reduce defects in a device fabricated with a high compressive stress silicon nitride film formed in the presence of hydrogen gas. A silicon nitride film may comprise an initiation layer formed in the absence of a hydrogen gas flow, underlying a high stress nitride layer formed in the presence of a hydrogen gas flow. A silicon nitride film formed in accordance with an embodiment of the present invention may exhibit a compressive stress of 2.8 GPa or higher.

摘要翻译： 半导体器件的膜中的压缩应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来控制。 第一组实施例通过向沉积化学品加入氢而增加氮化硅压缩应力，并且减少在氢气存在下形成的高压缩应力氮化硅膜制造的器件中的缺陷。 氮化硅膜可以包括在不存在氢气流的情况下形成的起始层，位于在氢气流的存在下形成的高应力氮化物层的下面。 根据本发明的实施方案形成的氮化硅膜可以表现出2.8GPa或更高的压缩应力。

公开(公告)号：US20120196452A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13365229

申请日：2012-02-02

申请人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835

摘要： High tensile stress in a deposited layer, such as a silicon nitride layer, may be achieved utilizing one or more techniques employed either alone or in combination. In one embodiment, a silicon nitride film having high tensile stress may be formed by depositing the silicon nitride film in the presence of a porogen. The deposited silicon nitride film may be exposed to at least one treatment selected from a plasma or ultraviolet radiation to liberate the porogen. The silicon nitride film may be densified such that a pore resulting from liberation of the porogen is reduced in size, and Si—N bonds in the silicon nitride film are strained to impart a tensile stress in the silicon nitride film. In another embodiment, tensile stress in a silicon nitride film may be enhanced by depositing a silicon nitride film in the presence of a nitrogen-containing plasma at a temperature of less than about 400° C., and exposing the deposited silicon nitride film to ultraviolet radiation.

摘要翻译： 沉积层（例如氮化硅层）中的高拉伸应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来实现。 在一个实施例中，可以通过在致孔剂的存在下沉积氮化硅膜来形成具有高拉伸应力的氮化硅膜。 沉积的氮化硅膜可以暴露于选自等离子体或紫外线辐射的至少一种处理以释放致孔剂。 可以使氮化硅膜致密化，使致孔剂释放产生的孔尺寸减小，并且氮化硅膜中的Si-N键变形以在氮化硅膜中产生拉伸应力。 在另一个实施例中，可以通过在低于约400℃的温度下在含氮等离子体的存在下沉积氮化硅膜来增强氮化硅膜中的拉伸应力，并将沉积的氮化硅膜暴露于紫外线 辐射。

公开(公告)号：US08129290B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US11400275

申请日：2006-04-07

申请人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Michael S. Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835

摘要： High tensile stress in a deposited layer such as silicon nitride, may be achieved utilizing one or more techniques, employed alone or in combination. High tensile stress may be achieved by forming a silicon-containing layer on a surface by exposing the surface to a silicon-containing precursor gas in the absence of a plasma, forming silicon nitride by exposing said silicon-containing layer to a nitrogen-containing plasma, and then repeating these steps to increase a thickness of the silicon nitride created thereby. High tensile stress may also be achieved by exposing a surface to a silicon-containing precursor gas in a first nitrogen-containing plasma, treating the material with a second nitrogen-containing plasma, and then repeating these steps to increase a thickness of the silicon nitride formed thereby. In another embodiment, tensile film stress is enhanced by deposition with porogens that are liberated upon subsequent exposure to UV radiation or plasma treatment.

摘要翻译： 沉积层如氮化硅中的高拉伸应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来实现。 可以通过在不存在等离子体的情况下将表面暴露于含硅前体气体而在表面上形成含硅层来形成高拉伸应力，通过将含硅层暴露于含氮等离子体而形成氮化硅 ，然后重复这些步骤以增加由此产生的氮化硅的厚度。 也可以通过在第一含氮等离子体中将表面暴露于含硅前体气体，用第二含氮等离子体处理该材料，然后重复这些步骤以增加氮化硅的厚度来实现高拉伸应力 由此形成。 在另一个实施方案中，拉伸膜应力通过在随后暴露于UV辐射或等离子体处理时释放的孔原子沉积而增强。

公开(公告)号：US07732342B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11398146

申请日：2006-04-05

申请人： Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Isabelita Rolfox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Vladimir Zubkov ,  Mei-Yee Shek ,  Isabelita Rolfox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3185

摘要： Compressive stress in a film of a semiconductor device may be controlled utilizing one or more techniques, employed alone or in combination. A first set of embodiments increase silicon nitride compressive stress by adding hydrogen to the deposition chemistry, and reduce defects in a device fabricated with a high compressive stress silicon nitride film formed in the presence of hydrogen gas. A silicon nitride film may comprise an initiation layer formed in the absence of a hydrogen gas flow, underlying a high stress nitride layer formed in the presence of a hydrogen gas flow. A silicon nitride film formed in accordance with an embodiment of the present invention may exhibit a compressive stress of 2.8 GPa or higher.

摘要翻译： 半导体器件的膜中的压缩应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来控制。 第一组实施例通过向沉积化学品加入氢而增加氮化硅压缩应力，并且减少在氢气存在下形成的高压缩应力氮化硅膜制造的器件中的缺陷。 氮化硅膜可以包括在不存在氢气流的情况下形成的起始层，位于在氢气流的存在下形成的高应力氮化物层的下面。 根据本发明的实施方案形成的氮化硅膜可以表现出2.8GPa或更高的压缩应力。

公开(公告)号：US20060269693A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11400275

申请日：2006-04-07

申请人： Mihaela Balseanu ,  Michael Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

发明人： Mihaela Balseanu ,  Michael Cox ,  Li-Qun Xia ,  Mei-Yee Shek ,  Jia Lee ,  Vladimir Zubkov ,  Tzu-Fang Huang ,  Rongping Wang ,  Isabelita Roflox ,  Hichem M'Saad

IPC分类号： H05H1/24 ,  B05D3/00

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835

摘要： High tensile stress in a deposited layer such as silicon nitride, may be achieved utilizing one or more techniques, employed alone or in combination. High tensile stress may be achieved by forming a silicon-containing layer on a surface by exposing the surface to a silicon-containing precursor gas in the absence of a plasma, forming silicon nitride by exposing said silicon-containing layer to a nitrogen-containing plasma, and then repeating these steps to increase a thickness of the silicon nitride created thereby. High tensile stress may also be achieved by exposing a surface to a silicon-containing precursor gas in a first nitrogen-containing plasma, treating the material with a second nitrogen-containing plasma, and then repeating these steps to increase a thickness of the silicon nitride formed thereby. In another embodiment, tensile film stress is enhanced by deposition with porogens that are liberated upon subsequent exposure to UV radiation or plasma treatment.

摘要翻译： 沉积层如氮化硅中的高拉伸应力可以利用单独使用或组合使用的一种或多种技术来实现。 可以通过在不存在等离子体的情况下将表面暴露于含硅前体气体而在表面上形成含硅层来形成高拉伸应力，通过将含硅层暴露于含氮等离子体而形成氮化硅 ，然后重复这些步骤以增加由此产生的氮化硅的厚度。 也可以通过在第一含氮等离子体中将表面暴露于含硅前体气体，用第二含氮等离子体处理该材料，然后重复这些步骤以增加氮化硅的厚度来实现高拉伸应力 由此形成。 在另一个实施方案中，拉伸膜应力通过在随后暴露于UV辐射或等离子体处理时释放的孔原子沉积而增强。

公开(公告)号：US07816205B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12256119

申请日：2008-10-22

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A flash memory device and method of forming a flash memory device are provided. The flash memory device includes a silicon nitride layer having a compositional gradient in which the ratio of silicon to nitrogen varies through the thickness of the layer. The silicon nitride layer having a compositional gradient of silicon and nitrogen provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供一种形成闪速存储器件的闪速存储器件和方法。 闪速存储器件包括具有组成梯度的氮化硅层，其中硅与氮的比例通过该层的厚度而变化。 具有硅和氮的组成梯度的氮化硅层提供了非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保留时间的增加。

公开(公告)号：US08501568B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12256173

申请日：2008-10-22

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L21/326 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/00 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A methods of forming a flash memory device are provided. The flash memory device comprises a silicon dioxide layer on a substrate and a silicon nitride layer that is formed on the silicon dioxide layer. The properties of the silicon nitride layer can be modified by any of: exposing the silicon nitride layer to ultraviolet radiation, exposing the silicon nitride layer to an electron beam, and by plasma treating the silicon nitride layer. A dielectric material is deposited on the silicon nitride layer and a conductive date is formed over the dielectric material. The flash memory device with modified silicon nitride layer provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供了形成闪速存储器件的方法。 闪存器件包括在衬底上的二氧化硅层和形成在二氧化硅层上的氮化硅层。 氮化硅层的性质可以通过以下任何方式改变：将氮化硅层暴露于紫外线辐射，将氮化硅层暴露于电子束，以及通过等离子体处理氮化硅层。 介电材料沉积在氮化硅层上，并且在电介质材料上形成导电日期。 具有改进的氮化硅层的闪速存储器件提供了非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保持时间的增加。

公开(公告)号：US20100096687A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12255617

申请日：2008-10-21

申请人： Mihaela BALSEANU ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela BALSEANU ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A flash memory device and methods of forming a flash memory device are provided. The flash memory device includes a doped silicon nitride layer having a dopant comprising carbon, boron or oxygen. The doped silicon nitride layer generates a higher number and higher concentration of nitrogen and silicon dangling bonds in the layer and provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供闪速存储器件和形成闪存器件的方法。 闪速存储器件包括具有包含碳，硼或氧的掺杂剂的掺杂氮化硅层。 掺杂的氮化硅层在该层中产生更高数量和更高浓度的氮和硅悬挂键，并且提供了非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保留时间的增加。