公开(公告)号：US20050067937A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10857912

申请日：2004-06-02

申请人： Jyh-Rong Sheu ,  Ching-Hsun Chao ,  Liang-You Jiang ,  Yu-Yang Chang ,  Cheng-Chung Lee

发明人： Jyh-Rong Sheu ,  Ching-Hsun Chao ,  Liang-You Jiang ,  Yu-Yang Chang ,  Cheng-Chung Lee

IPC分类号： H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01J1/02 ,  H01J9/04 ,  H01J9/12 ,  H01J19/06

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

摘要： A method for fabricating a carbon nanotube field emitter array is disclosed, which has the steps of (a) providing a substrate; (b) forming a cathode layer having a first pattern on the substrate; (c) forming an opaque insulating layer having a second pattern on the substrate, wherein a predetermined part of the cathode layer is exposed; (d) forming a gate layer having the second pattern on the opaque insulating layer; (e) forming a carbon nanotube layer on the entire top surface of the substrate; and (f) exposing the carbon nanotube layer to a light beam coming from the backside of the substrate.

摘要翻译： 公开了一种用于制造碳纳米管场发射极阵列的方法，其具有以下步骤：（a）提供衬底; （b）在基板上形成具有第一图案的阴极层; （c）在所述基板上形成具有第二图案的不透明绝缘层，其中暴露所述阴极层的预定部分; （d）在不透明绝缘层上形成具有第二图案的栅极层; （e）在所述基板的整个顶表面上形成碳纳米管层; 和（f）将碳纳米管层暴露于来自衬底背面的光束。

公开(公告)号：US06769945B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10228343

申请日：2002-08-24

申请人： Yu-Yang Chang ,  Hua-Chi Cheng ,  Jyh-Rong Sheu ,  Ching-Hsun Chao ,  Kuang-Chung Chen

发明人： Yu-Yang Chang ,  Hua-Chi Cheng ,  Jyh-Rong Sheu ,  Ching-Hsun Chao ,  Kuang-Chung Chen

IPC分类号： H01J902

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J9/185 ,  H01J2201/30469

摘要： A triode structure of a field emission display is manufactured with thick-film technology. The triode structure includes a cathode electrode layer that comprises a metallic catalyst. Isomeric carbon emitters can be grown on the cathode electrode layer by CVD process at a low temperature because of the metallic catalyst. Instead of mixing the metallic catalyst in the cathode electrode layer, a metallic catalyst layer can be formed on the cathode electrode layer to facilitate the growth of the isomeric carbon emitters. The combination of thick film technology and low temperature CVD process provide a low cost method for fabricating a large area field emission display with isomeric carbon emitters.

摘要翻译： 利用厚膜技术制造场致发射显示器的三极管结构。 三极管结构包括包含金属催化剂的阴极电极层。 由于金属催化剂，异氰酸碳发生器可以通过CVD工艺在低温下在阴极电极层上生长。 代替在阴极电极层中混合金属催化剂，可以在阴极电极层上形成金属催化剂层，以促进异构碳发射体的生长。 厚膜技术和低温CVD工艺的组合提供了用于制造具有异构碳排放器的大面积场致发射显示器的低成本方法。