公开(公告)号：US06882007B2

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：US10387256

申请日：2003-03-11

申请人： Erhard Landgraf ,  Richard Johannes Luyken ,  Christian Pacha ,  Thomas Schulz

发明人： Erhard Landgraf ,  Richard Johannes Luyken ,  Christian Pacha ,  Thomas Schulz

IPC分类号： H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11 ,  H01L27/1104

摘要： The invention relates to an SRAM memory cell, a memory cell arrangement and a method for fabricating a memory cell arrangement. The SRAM memory cell has six vertical transistors, of which four are connected up as flip-flip transistors and two are connected up as switching transistors, four of the vertical transistors being arranged at corners of the rectangular base area.

摘要翻译： 本发明涉及SRAM存储单元，存储单元布置和用于制造存储单元布置的方法。 SRAM存储单元具有六个垂直晶体管，其中四个连接作为翻盖晶体管，两个连接成开关晶体管，四个垂直晶体管布置在矩形基底区域的拐角处。

公开(公告)号：US07718475B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11786822

申请日：2007-04-13

申请人： Matthias Goldbach ,  Erhard Landgraf ,  Michael Stadtmueller ,  Moritz Haupt ,  Sven Schmidbauer ,  Tobias Mono ,  Jorg Radecker

发明人： Matthias Goldbach ,  Erhard Landgraf ,  Michael Stadtmueller ,  Moritz Haupt ,  Sven Schmidbauer ,  Tobias Mono ,  Jorg Radecker

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7845

摘要： The present invention relates to a transistor comprising a gate channel area and a gate stack having mechanical stress arranged on the gate channel area.

摘要翻译： 本发明涉及一种晶体管，其包括栅极沟道区和具有布置在栅极沟道区上的机械应力的栅极叠层。

公开(公告)号：US20090057678A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US11848416

申请日：2007-08-31

申请人： Matthias Goldbach ,  Erhard Landgraf ,  Lars Dreeskornfeld

发明人： Matthias Goldbach ,  Erhard Landgraf ,  Lars Dreeskornfeld

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of forming an integrated circuit, the method including forming at least one patterned gate stack on a substrate including a substrate surface; forming an amorphous substrate region in the substrate by implanting a first material in the substrate; and implanting a getter material to form a getter region within the amorphous substrate region; forming doped implant regions extending from the substrate surface in to the substrate by implanting a second material; and thermally recrystallizing the amorphous substrate region.

摘要翻译： 一种形成集成电路的方法，所述方法包括在包括衬底表面的衬底上形成至少一个图案化栅叠层; 通过在衬底中注入第一材料在衬底中形成非晶衬底区域; 以及植入吸气材料以在所述非晶衬底区域内形成吸气剂区域; 通过注入第二材料形成从衬底表面延伸到衬底的掺杂注入区; 并且使非晶衬底区域热重结晶。

公开(公告)号：US20080251815A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US11786822

申请日：2007-04-13

申请人： Matthias Goldbach ,  Erhard Landgraf ,  Michael Stadtmueller ,  Moritz Haupt ,  Sven Schmidbauer ,  Tobias Mono ,  Jorg Radecker

发明人： Matthias Goldbach ,  Erhard Landgraf ,  Michael Stadtmueller ,  Moritz Haupt ,  Sven Schmidbauer ,  Tobias Mono ,  Jorg Radecker

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7845

摘要： The present invention relates to a transistor comprising a gate channel area and a gate stack having mechanical stress arranged on the gate channel area.

摘要翻译： 本发明涉及一种晶体管，其包括栅极沟道区和具有布置在栅极沟道区上的机械应力的栅极叠层。