公开(公告)号：US20140001040A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US14018606

申请日：2013-09-05

Applicant: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： Kazuyoshi INOUE ,  Koki YANO ,  Futoshi UTSUNO

IPC: C23C14/08

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: A sputtering target containing oxides of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), which includes a compound shown by ZnGa2O4 and a compound shown by InGaZnO4.

Abstract translation: 包含铟（In），镓（Ga）和锌（Zn）的氧化物的溅射靶，其包含ZnGa 2 O 4所示的化合物和InGaZnO 4所示的化合物。

公开(公告)号：US20130313548A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：US13862568

申请日：2013-04-15

Applicant: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： Koki YANO ,  Hirokazu KAWASHIMA ,  Kazuyoshi INOUE ,  Shigekazu TOMAI ,  Masashi KASAMI

IPC: H01L29/26

CPC classification number: H01L29/263 ,  C23C14/086 ,  H01L29/7869

Abstract: A field effect transistor including a semiconductor layer including a composite oxide which contains In, Zn, and one or more elements X selected from the group consisting of Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y and lanthanoids in the following atomic ratios (1) to (3): In/(In+Zn)=0.2 to 0.8  (1) In/(In+X)=0.29 to 0.99  (2) Zn/(X+Zn)=0.29 to 0.99  (3).

公开(公告)号：US20130285053A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13926402

申请日：2013-06-25

Applicant: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

Inventor： Hirokazu KAWASHIMA ,  Koki YANO ,  Futoshi UTSUNO ,  Kazuyoshi INOUE

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/31507

Abstract: Disclosed is a sputtering target that can suppress the occurrence of anomalous discharge in the formation of an oxide semiconductor film by sputtering method and can continuously and stably form a film. Also disclosed is an oxide for a sputtering target that has a rare earth oxide C-type crystal structure and has a surface free from white spots (a poor appearance such as concaves and convexes formed on the surface of the sputtering target). Further disclosed is an oxide sintered compact that has a bixbyite structure and contains indium oxide, gallium oxide, and zinc oxide. The composition amounts (atomic %) of indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn) fall within a composition range satisfying the following formula: In/(In+Ga+Zn)

Abstract translation: 公开了一种溅射靶，其可以通过溅射法抑制氧化物半导体膜形成中的异常放电的发生，并且可以连续且稳定地形成膜。 还公开了具有稀土氧化物C型晶体结构并具有没有白点的表面（在溅射靶的表面上形成的凹凸等差的外观）的溅射靶的氧化物。 进一步公开了具有双相结构并含有氧化铟，氧化镓和氧化锌的氧化物烧结体。 铟（In），镓（Ga）和锌（Zn）的组成量（原子％）落在满足下式的组成范围内：In /（In + Ga + Zn）<0.75