公开(公告)号：US06811960B2

公开(公告)日：2004-11-02

申请号：US10436742

申请日：2003-05-12

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0758 ,  C07F7/1804 ,  C08F30/08 ,  C08F232/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y02P20/55 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  C08F2222/1013

摘要： The present invention provides photoresist monomers, photoresist polymers derived from the same, processes for producing such photoresist polymers, photoresist compositions comprising such polymers, and processes for producing a photoresist pattern using such photoresist compositions. In particular, photoresist monomers of the present invention comprise a moiety of Formula 4: where R1, R2, R3 and R4 are those defined herein. Photoresist polymers of the present invention have a relatively high etching resistance, and therefore are useful in a thin resist process and a bilayer photoresist process. Moreover, photoresist polymers of the present invention have a high contrast ratio between an exposed region and a non-exposed region.

摘要翻译： 本发明提供光致抗蚀剂单体，由其衍生的光致抗蚀剂聚合物，用于制备这种光致抗蚀剂聚合物的方法，包含这种聚合物的光致抗蚀剂组合物，以及使用这种光致抗蚀剂组合物制备光 特别地，本发明的光致抗蚀剂单体包含式4的部分：其中R 1，R 2，R 3和R 4是本文定义的那些。 本发明的光致抗蚀剂聚合物具有相对高的抗蚀刻性，因此可用于薄抗蚀剂工艺和双层光刻胶工艺。 此外，本发明的光致抗蚀剂聚合物在曝光区域和非曝光区域之间具有高对比度。

公开(公告)号：US06589707B2

公开(公告)日：2003-07-08

申请号：US09788181

申请日：2001-02-15

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0758 ,  C07F7/1804 ,  C08F30/08 ,  C08F232/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y02P20/55 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  C08F222/06 ,  C08F232/08 ,  C08F2222/1013

摘要： The present invention provides photoresist monomers, photoresist polymers derived from the same, processes for producing such photoresist polymers, photoresist compositions comprising such polymers, and processes for producing a photoresist pattern using such photoresist compositions. In particular, photoresist monomers of the present invention comprise a moiety of Formula 4: where R1, R2, R3 and R4 are those defined herein. Photoresist polymers of the present invention have a relatively high etching resistance, and therefore are useful in a thin resist process and a bilayer photoresist process. Moreover, photoresist polymers of the present invention have a high contrast ratio between an exposed region and a non-exposed region.

摘要翻译： 本发明提供光致抗蚀剂单体，由其衍生的光致抗蚀剂聚合物，用于制备这种光致抗蚀剂聚合物的方法，包含这种聚合物的光致抗蚀剂组合物，以及使用这种光致抗蚀剂组合物制备光 特别地，本发明的光致抗蚀剂单体包含式4的部分：其中R 1，R 2，R 3和R 4是本文定义的那些。 本发明的光致抗蚀剂聚合物具有相对高的抗蚀刻性，因此可用于薄抗蚀剂工艺和双层光刻胶工艺。 此外，本发明的光致抗蚀剂聚合物在曝光区域和非曝光区域之间具有高对比度。

公开(公告)号：US06200731B1

公开(公告)日：2001-03-13

申请号：US09465112

申请日：1999-12-16

申请人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03C173

CPC分类号： C07D519/00 ,  C07C69/753 ,  Y10S430/115

摘要： The present invention discloses a cross-linking monomer for a photoresist polymer represented by following Chemical Formula 1: wherein, V represents CH2, CH2CH2, oxygen or sulfur; Y is selected from the group consisting of straight or branched C1-10 alkyl, oxygen, and straight or branched C1-10 ether; R′ and R″ individually represent H or CH3; i is a number of 1 to 5; and n is a number of 0 to 3; and a process for preparing a photoresist copolymer comprising the same.

摘要翻译： 本发明公开了由以下化学式1表示的光致抗蚀剂聚合物交联单体：<化学式1>其中V表示CH 2，CH 2 CH 2，氧或硫; Y选自直链或支链C 1-10烷基，氧和直链或支链C1-10醚; R'和R“分别表示H或CH 3; 我是1到5的数字; n为0〜3的数; 以及制备包含该光致抗蚀剂的光致抗蚀剂共聚物的方法。

公开(公告)号：US06770415B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US09884313

申请日：2001-06-19

申请人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： G03F7/265 ,  C08F8/00 ,  C08F8/14 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  C08F232/04 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/38 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111 ,  C08F2220/281 ,  C08F220/06 ,  C08F222/14 ,  C08F222/1006

摘要： A photoresist polymer for a top-surface imaging process by silylation (TIPS), and a photoresist composition comprising the same. The protecting group of the present photoresist polymer is selectively protected in an exposed region, and thus a hydroxyl group is generated. The hydroxyl group reacts with the silylation agent to cause a silylation process. Accordingly, when the photoresist film is dry-developed, the exposed region only remains to form a negative pattern. In addition, the present photoresist composition has excellent adhesiveness to a substrate, thus preventing a pattern collapse in forming a minute pattern. As a result, the present photoresist composition is suitable for a lithography process using light sources such as ArF (193 nm), VUV (157 nm) and EUV (13 nm).

摘要翻译： 用于通过甲硅烷基化（TIPS）的顶表面成像方法的光致抗蚀剂聚合物和包含该光致抗蚀剂的光致抗蚀剂组合物。 本发明的光致抗蚀剂聚合物的保护基被选择性地保护在暴露区域中，因此产生羟基。 羟基与甲硅烷基化剂反应以引起甲硅烷基化过程。 因此，当干涉显影光致抗蚀剂膜时，曝光区域仅保留以形成负图形。 此外，本发明的光致抗蚀剂组合物对基材的粘附性优异，从而防止形成微小图案的图案塌陷。 结果，本光致抗蚀剂组合物适用于使用诸如ArF（193nm），VUV（157nm）和EUV（13nm）的光源的光刻工艺。

公开(公告)号：US06699644B1

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：US09651443

申请日：2000-08-30

申请人： Geun Su Lee ,  Hyeong Soo Kim ,  Jin Soo Kim ,  Cha Won Koh ,  Sung Eun Hong ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Hyeong Soo Kim ,  Jin Soo Kim ,  Cha Won Koh ,  Sung Eun Hong ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/168 ,  Y10S430/151

摘要： The present invention provides a method for reducing or eliminating a poor pattern formation on a photoresist film by contacting the photoresist film with an alkaline solution prior to its exposure to light. Methods of the present invention significantly reduce or prevent T-topping and top-loss.

摘要翻译： 本发明提供一种减少或消除在光致抗蚀剂膜上形成不良图案的方法，其通过在曝光之前使光致抗蚀剂膜与碱性溶液接触。 本发明的方法显着地减少或防止T顶部和顶部损失。

公开(公告)号：US06692891B2

公开(公告)日：2004-02-17

申请号：US09879325

申请日：2001-06-12

申请人： Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/117 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/124 ,  Y10S430/126

摘要： The present invention relates to a photoresist composition containing a photo radical generator, more specifically, to a photoresist composition which comprises (a) photoresist resin, (b) a photoacid generator, (c) an organic solvent and (d) a photo radical generator. The present photoresist composition reduces or prevents a sloping pattern formation due to a higher concentration of acid in the upper portion of the photoresist relative to the lower portion of the photoresist.

摘要翻译： 本发明涉及含有光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物，更具体地说，涉及光致抗蚀剂组合物，其包含（a）光致抗蚀剂树脂，（b）光酸产生剂，（c）有机溶剂和（d）光自由基发生剂 。 由于光致抗蚀剂上部相对于光致抗蚀剂的下部较高浓度的酸，本发明的光致抗蚀剂组合物减少或防止形成倾斜图案。

公开(公告)号：US06465147B1

公开(公告)日：2002-10-15

申请号：US09468984

申请日：1999-12-21

申请人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03C173

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： The present invention relates to a cross-linker for a photoresist polymer, and a process for forming a negative photoresist pattern by using the same. Preferred cross-linkers according to the invention comprise compounds having two or more aldehyde groups, such as glutaric dialdehyde, 1,4-cyclohexane dicarboxaldehyde, or the like. Further, a photoresist composition is disclosed, which comprises (i) a cross-linker as described above, (ii) a photoresist copolymer comprising a hydroxyl-containing alicyclic monomer, (iii) a photoacid generator and (iv) an organic solvent, as well as a process for forming a photoresist pattern using such photoresist composition.

摘要翻译： 本发明涉及光致抗蚀剂聚合物的交联剂，以及通过使用该光致抗蚀剂聚合物形成负性光致抗蚀剂图案的方法。 根据本发明的优选的交联剂包含具有两个或多个醛基的化合物，例如戊二醛，1,4-环己烷二甲醛等。此外，公开了光致抗蚀剂组合物，其包含（i）交联剂 如上所述，（ii）包含含羟基的脂环族单体，（iii）光酸产生剂和（iv）有机溶剂）的光致抗蚀剂共聚物以及使用这种光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。

公开(公告)号：US06426171B1

公开(公告)日：2002-07-30

申请号：US09627714

申请日：2000-07-28

申请人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

发明人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： C07D295/088 ,  G03F7/0395

摘要： The present invention provides novel bicyclic photoresist monomers, and photoresist copolymer derived from the same. The bicyclic photoresist monomers of the present invention are represented by the formula: where m, n, R, V and B are those defined herein. The photoresist composition comprising the photoresist copolymer of the present invention has excellent etching resistance and heat resistance, and remarkably enhanced PED stability (post exposure delay stability).

摘要翻译： 本发明提供了新的双环光致抗蚀剂单体和衍生自其的光致抗蚀剂共聚物。 本发明的双环光致抗蚀剂单体由下式表示：其中m，n，R，V和B是本文定义的那些。 包含本发明的光致抗蚀剂共聚物的光致抗蚀剂组合物具有优异的耐蚀刻性和耐热性，并且显着提高PED稳定性（曝光后延迟稳定性）。

公开(公告)号：US06399272B1

公开(公告)日：2002-06-04

申请号：US09595434

申请日：2000-06-15

申请人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

发明人： Geun Su Lee ,  Cha Won Koh ,  Jae Chang Jung ,  Min Ho Jung ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： B03F7004

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045

摘要： The present invention relates to a phenylenediamine derivative of the formula: where B and B′ are defined herein. The phenylenediamine derivatives of the present invention are useful as an additive in a photoresist composition. For example, it has been found that photoresist. compositions comprising the phenylenediamine derivative of the present invention have a high energy latitude margin, an improved contrast value, and enhanced post exposure delay stability.

摘要翻译： 本发明涉及下式的苯二胺衍生物：其中B和B'在本文中定义。 本发明的苯二胺衍生物可用作光致抗蚀剂组合物中的添加剂。 例如，已经发现光致抗蚀剂。 包含本发明的苯二胺衍生物的组合物具有高能量纬度裕度，改善的对比度值和增强的后曝光延迟稳定性。

公开(公告)号：US06368770B1

公开(公告)日：2002-04-09

申请号：US09621125

申请日：2000-07-21

申请人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

发明人： Min Ho Jung ,  Jae Chang Jung ,  Geun Su Lee ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/039 ,  C07C69/753 ,  C08F32/08 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/122

摘要： The present invention provides a novel photoresist monomer, photoresist copolymer derived from the same, and the photoresist composition comprising the same. In particular, the present invention provides a photoresist monomer of the formula: wherein, A, A′, X, m and n are those defined herein. The photoresist composition of the present invention has an excellent etching and heat resistance, and enhances the resolution and profile of the photoresist film.

摘要翻译： 本发明提供了一种新型光致抗蚀剂单体，衍生自其的光致抗蚀剂共聚物和包含该光致抗蚀剂的光致抗蚀剂组合物。 特别地，本发明提供下式的光致抗蚀剂单体：其中A，A'，X，m和n是本文定义的那些。 本发明的光致抗蚀剂组合物具有优异的蚀刻和耐热性，并且提高了光致抗蚀剂膜的分辨率和轮廓。