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    Adsorption based material removal process
    21.
    发明授权
    Adsorption based material removal process 有权
    基于吸附材料去除工艺

    公开(公告)号：US07416989B1

    公开(公告)日：2008-08-26

    申请号：US11479812

    申请日：2006-06-30

    申请人： Xinye Liu ,  Joshua Collins ,  Kaihan A. Ashtiani

    发明人： Xinye Liu ,  Joshua Collins ,  Kaihan A. Ashtiani

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6708

    摘要： Methods for accurate and conformal removal of atomic layers of materials make use of the self-limiting nature of adsorption of at least one reactant on the substrate surface. In certain embodiments, a first reactant is introduced to the substrate in step (a) and is adsorbed on the substrate surface until the surface is partially or fully saturated. A second reactant is then added in step (b), reacting with the adsorbed layer of the first reactant to form an etchant. The amount of an etchant, and, consequently, the amount of etched material is limited by the amount of adsorbed first reactant. By repeating steps (a) and (b), controlled atomic-scale etching of material is achieved. These methods may be used in interconnect pre-clean applications, gate dielectric processing, manufacturing of memory devices, or any other applications where removal of one or multiple atomic layers of material is desired.

    摘要翻译： 用于精确和共形去除材料原子层的方法利用在衬底表面上吸附至少一种反应物的自限性质。 在某些实施方案中，在步骤（a）中将第一反应物引入基质中，并且被吸附在基底表面上直到表面部分或完全饱和。 然后在步骤（b）中加入第二反应物，与第一反应物的吸附层反应形成蚀刻剂。 蚀刻剂的量以及因此的蚀刻材料的量受到第一反应物吸附量的限制。 通过重复步骤（a）和（b），实现了材料的受控原子尺度蚀刻。 这些方法可以用于互连预清洁应用，栅介质处理，存储器件的制造，或者期望去除一个或多个原子层材料的任何其它应用。

    Methods for growing low-resistivity tungsten film
    22.
    发明申请
    Methods for growing low-resistivity tungsten film 有权
    生长低电阻率钨膜的方法

    公开(公告)号：US20080124926A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US11265531

    申请日：2005-11-01

    申请人： Lana Hiului Chan ,  Panya Wongsenakhum ,  Joshua Collins

    发明人： Lana Hiului Chan ,  Panya Wongsenakhum ,  Joshua Collins

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876

    摘要： Improved methods for depositing low resistivity tungsten films are provided. The methods involve depositing a tungsten nucleation layer on a substrate and then depositing a tungsten bulk layer over the tungsten nucleation layer to form the tungsten film. The methods provide precise control of the nucleation layer thickness and improved step coverage. According to various embodiments, the methods involve controlling thickness and/or improving step coverage by exposing the substrate to pulse nucleation layer (PNL) cycles at low temperature. Also in some embodiments, the methods may improve resistivity by using a high temperature PNL cycle of a boron-containing species and a tungsten-containing precursor to finish forming the tungsten nucleation layer.

    摘要翻译： 提供了用于沉积低电阻率钨膜的改进方法。 所述方法包括在衬底上沉积钨成核层，然后在钨成核层上沉积钨体层以形成钨膜。 这些方法提供了成核层厚度的精确控制和改进的台阶覆盖。 根据各种实施例，所述方法包括通过在低温下将衬底暴露于脉冲成核层（PNL）循环来控制厚度和/或改善步骤覆盖。 同样在一些实施方案中，该方法可以通过使用含硼物质和含钨前体的高温PNL循环来完成形成钨成核层而提高电阻率。

    System to manage and store backup and recovery meta data
    23.
    发明申请
    System to manage and store backup and recovery meta data 有权
    系统管理和存储备份和恢复元数据

    公开(公告)号：US20070061385A1

    公开(公告)日：2007-03-15

    申请号：US10555603

    申请日：2004-05-06

    申请人： Richard Clark ,  Satish Chandrasekaran ,  Joshua Collins

    发明人： Richard Clark ,  Satish Chandrasekaran ,  Joshua Collins

    IPC分类号： G06F17/30

    CPC分类号： G06F11/1464 ,  G06F11/1448 ,  G06F11/1458 ,  Y10S707/99933

    摘要： A system to manage backup and recovery meta data. A database (54) including a schema (70) having a file table (72), a backup table (74), and a link table (76) stores the backup and recovery meta data. A computerized console portal system (30) then accepts instruction regarding the meta data from a computerized administrator system (24).

    摘要翻译： 管理备份和恢复元数据的系统。 包括具有文件表（72）的模式（70），备份表（74）和链接表（76）的数据库（54）存储备份和恢复元数据。 计算机化的控制台门户系统（30）然后接受来自计算机化管理员系统（24）的关于元数据的指令。

    Dual mode compressor with automatic compression ratio adjustment for adapting to multiple operating conditions
    25.
    发明申请
    Dual mode compressor with automatic compression ratio adjustment for adapting to multiple operating conditions 有权
    双模式压缩机，具有自动压缩比调节功能，可适应多种操作条件

    公开(公告)号：US20060201171A1

    公开(公告)日：2006-09-14

    申请号：US11077518

    申请日：2005-03-10

    申请人： Reuven Unger ,  Joshua Collins

    发明人： Reuven Unger ,  Joshua Collins

    IPC分类号： F25B7/00 ,  F25B41/00 ,  F25B49/00 ,  F25B39/02 ,  F25B1/10

    CPC分类号： F25B1/02 ,  F25B1/10 ,  F25B2400/073 ,  F25B2400/075 ,  F25B2600/0261 ,  F25B2600/2507 ,  F25B2700/1933 ,  F25B2700/21151

    摘要： An apparatus and method for compressing gas refrigerant using two different compressors operated alternatively in a series or parallel mode for obtaining two different compression ratios and thereby provide efficient operation for both a relatively lower suction pressure and a relatively higher suction pressure. This system avoids an unbalanced mass flow rate when the compressors are operated in series by unloading a downstream one of the compressors. When operated in the series mode, refrigerant is bypassed back to a suction inlet of the downstream compressor during a portion of a compression stroke of the downstream compressor for equalizing the mass flow rate through the two compressors.

    摘要翻译： 使用两个不同的压缩机压缩气体制冷剂的装置和方法，所述压缩机以串联或并联模式交替操作，以获得两个不同的压缩比，从而为相对较低的吸入压力和相对较高的吸入压力提供有效的操作。 当压缩机通过卸载下游压缩机之一来串联操作时，该系统避免了不平衡的质量流量。 当在串联模式下操作时，在下游压缩机的压缩行程的一部分期间，制冷剂被旁路回到下游压缩机的吸入口，以均衡通过两个压缩机的质量流量。