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    Internal reactor method for chemical vapor deposition
    6.
    发明授权
    Internal reactor method for chemical vapor deposition 失效
    用于化学气相沉积的内部反应器方法

    公开(公告)号：US4957780A

    公开(公告)日：1990-09-18

    申请号：US407980

    申请日：1989-09-15

    申请人： Vinod K. Sarin ,  Charles D'Angelo ,  Helen E. Rebenne

    发明人： Vinod K. Sarin ,  Charles D'Angelo ,  Helen E. Rebenne

    IPC分类号： C23C16/40

    CPC分类号： C23C16/403 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405

    摘要： A chemical vapor deposition process in which an internal reactor is disposed within a chemical vapor deposition reactor including means for enclosing a reaction chamber and means for heating the reaction chamber. The position at which the internal reactor is disposed relative to the heating means is selected to provide control of the temperature within the internal reactor. At least two solid precursor materials are placed in the internal reactor and are contacted with at least one precursor gas, reactive with the solid precursor materials to produce at least two reactant gases. These gases are directed to the reaction chamber to react with one or more additional reactants.

    摘要翻译： 一种化学气相沉积工艺，其中内部反应器设置在化学气相沉积反应器内，包括用于封闭反应室的装置和用于加热反应室的装置。 选择内部反应器相对于加热装置设置的位置以提供内部反应器内的温度的控制。 将至少两种固体前体材料放置在内部反应器中并与至少一种与固体前体材料反应以产生至少两种反应气体的前体气体接触。 这些气体被引导到反应室以与一种或多种另外的反应物反应。

    Internal reactor for chemical vapor deposition
    7.
    发明授权
    Internal reactor for chemical vapor deposition 失效
    用于化学气相沉积的内部反应器

    公开(公告)号：US4890574A

    公开(公告)日：1990-01-02

    申请号：US206400

    申请日：1988-06-14

    申请人： Vinod K. Sarin ,  Charles D'Angelo ,  Helen E. Rebenne

    发明人： Vinod K. Sarin ,  Charles D'Angelo ,  Helen E. Rebenne

    IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403

    摘要： A CVD apparatus including an internal reactor for in-situ generation of source gases for the CVD reaction. The internal reactor comprises a shell for containing solid precursor material, inlet and outlet means for a precursor gas and the gaseous product respectively, and preferably gas distribution means and means for preventing entrainment of the solid precursor in the gas flow. The internal reactor is positioned within the CVD reactor to provide the optimum temperature for the reaction taking place within the internal reactor.

    摘要翻译： 一种CVD设备，包括用于原位产生用于CVD反应的源气体的内部反应器。 内部反应器包括用于容纳固体前体材料的壳体，分别用于前体气体和气体产物的入口和出口装置，优选地，气体分配装置和用于防止固体前体在气流中夹带的装置。 内部反应器位于CVD反应器内，以提供在内部反应器内进行的反应的最佳温度。

    Methods of chemical vapor deposition (CVD) of tungsten films on patterned wafer substrates
    8.
    发明授权
    Methods of chemical vapor deposition (CVD) of tungsten films on patterned wafer substrates 失效
    在图案化晶片基板上的钨膜的化学气相沉积（CVD）方法

    公开(公告)号：US5434110A

    公开(公告)日：1995-07-18

    申请号：US898492

    申请日：1992-06-15

    申请人： Robert F. Foster ,  Helen E. Rebenne

    发明人： Robert F. Foster ,  Helen E. Rebenne

    IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/48 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

    CPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879

    摘要： Methods of chemical vapor deposition (CVD) are disclosed wherein high quality films are deposited on patterned wafer substrates. In the methods, a patterned wafer is rotated about an axis thereof in a CVD reaction chamber and reactant gases are directed into the reaction chamber and toward the patterned wafer substrate in a direction generally perpendicular to the plane of rotation of the wafer. The reaction chamber is maintained at a suitable pressure and the wafer is heated to a suitable temperature whereby a high quality film is deposited by CVD on the patterned wafer substrate. The process is applicable to deposit elemental films, compound films, alloy films and solid solution films, and is particularly advantageous in that high film deposition rates and high reactant conversion rates are achieved.

    摘要翻译： 公开了化学气相沉积（CVD）的方法，其中高质量的膜沉积在图案化的晶片基底上。 在这些方法中，在CVD反应室中，图案化晶片围绕其轴线转动，并且反应气体在大致垂直于晶片旋转平面的方向上被引导到反应室并朝向图案化的晶片基板。 将反应室保持在合适的压力下，并将晶片加热至合适的温度，由此通过CVD在图案化的晶片基底上沉积高质量的膜。 该方法适用于沉积元素膜，复合膜，合金膜和固溶体膜，并且特别有利的是获得高的膜沉积速率和高的反应物转化率。

    Rotating susceptor semiconductor wafer processing cluster tool module useful for tungsten CVD
    10.
    发明授权
    Rotating susceptor semiconductor wafer processing cluster tool module useful for tungsten CVD 失效
    用于钨CVD的旋转基座半导体晶圆处理集群工具模块

    公开(公告)号：US5370739A

    公开(公告)日：1994-12-06

    申请号：US899826

    申请日：1992-06-15

    申请人： Robert F. Foster ,  Helen E. Rebenne ,  Rene E. LeBlanc ,  Carl L. White ,  Rikhit Arora

    发明人： Robert F. Foster ,  Helen E. Rebenne ,  Rene E. LeBlanc ,  Carl L. White ,  Rikhit Arora

    IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/54 ,  H01L21/285 ,  H01L21/683 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  C23C16/466 ,  C23C16/54 ,  H01L21/6838

    摘要： A semiconductor wafer processing apparatus or module for a cluster tool is provided with a single wafer rotating susceptor that thins the gas boundary layer to facilitate the transfer of material to or from the wafer, in, for example, CVD for blanket or selective deposition of tungsten or titanium nitride, and degassing and annealing processes. Preferably, a downwardly facing showerhead directs a gas mixture from a cooled mixing chamber onto a rapidly rotating wafer, for example at from 500 to 1500 RPM, thinning a boundary layer for gas flowing radially outwardly from a stagnation point at the wafer center. Smoothly shaped interior reactor surfaces include baffles and plasma cleaning electrodes to minimize turbulence. Inert gases from within the rotating susceptor minimize turbulence by filling gaps in structure, prevent contamination of moving parts, conduct heat between the susceptor and the wafer, and vacuum clamp the wafer to the susceptor. A susceptor lip surrounds the wafer and is removable for cleaning, to accommodate different size wafers, and allows change of lip materials to for different processes, such as, one which will resist deposits during selective CVD, or one which scavenges unspent gases in blanket CVD. The lip smooths gas flow, reduces thermal gradients at the wafer edge.

    摘要翻译： 用于集群工具的半导体晶片处理装置或模块设置有单个晶片旋转基座，其使气体边界层变薄，以便于将材料转移到晶片或从晶片转移，例如用于覆盖或选择性沉积钨的CVD 或氮化钛，以及脱气和退火工艺。 优选地，面向下的喷头将来自冷却的混合室的气体混合物引导到快速旋转的晶片上，例如以500至1500RPM，从而在晶片中心的停滞点径向向外流动的气体的边界层变薄。 平滑形状的内部反应器表面包括挡板和等离子体清洁电极，以最小化湍流。 来自旋转基座内的惰性气体通过填充结构间隙来最小化湍流，防止运动部件的污染，在基座和晶片之间传导热量，并将晶片真空夹紧到基座。 感受体唇缘围绕晶片并且可移除以用于清洁，以适应不同尺寸的晶片，并且允许将唇缘材料改变为用于不同过程的唇缘材料，例如在选择性CVD期间将抵抗沉积物的唇缘材料，或者在毯式CVD中清除未使用气体的那些 。 唇缘平滑气流，降低了晶片边缘的热梯度。