公开(公告)号：US20100090301A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12425466

申请日：2009-04-17

申请人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

发明人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/303 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic stack having a ferromagnetic free layer, a metal oxide layer that is antiferromagnetic at a first temperature and non-magnetic at a second temperature higher than the first temperature, a ferromagnetic pinned reference layer, and a non-magnetic spacer layer between the free layer and the reference layer. During a writing process, the metal oxide layer is non-magnetic. For magnetic memory cells, such as magnetic tunnel junction cells, the metal oxide layer provides reduced switching currents.

摘要翻译： 具有铁磁自由层的磁性堆叠，在第一温度下为反铁磁性且在比第一温度高的第二温度下为非磁性的金属氧化物层，铁磁性固定基准层和非磁性间隔层之间， 层和参考层。 在写入过程中，金属氧化物层是非磁性的。 对于诸如磁性隧道结电池的磁存储器单元，金属氧化物层提供降低的开关电流。

公开(公告)号：US08426222B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US13248360

申请日：2011-09-29

申请人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

发明人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/303 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic stack having a ferromagnetic free layer, a metal oxide layer that is antiferromagnetic at a first temperature and non-magnetic at a second temperature higher than the first temperature, a ferromagnetic pinned reference layer, and a non-magnetic spacer layer between the free layer and the reference layer. During a writing process, the metal oxide layer is non-magnetic. For magnetic memory cells, such as magnetic tunnel junction cells, the metal oxide layer provides reduced switching currents.

摘要翻译： 具有铁磁自由层的磁性堆叠，在第一温度下为反铁磁性且在比第一温度高的第二温度下为非磁性的金属氧化物层，铁磁性固定基准层和非磁性间隔层之间， 层和参考层。 在写入过程中，金属氧化物层是非磁性的。 对于诸如磁性隧道结电池的磁存储器单元，金属氧化物层提供降低的开关电流。

公开(公告)号：US20120241886A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13491763

申请日：2012-06-08

申请人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

发明人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/303 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic stack having a ferromagnetic free layer, a metal oxide layer that is antiferromagnetic at a first temperature and non-magnetic at a second temperature higher than the first temperature, a ferromagnetic pinned reference layer, and a non-magnetic spacer layer between the free layer and the reference layer. During a writing process, the metal oxide layer is non-magnetic. For magnetic memory cells, such as magnetic tunnel junction cells, the metal oxide layer provides reduced switching currents.

摘要翻译： 具有铁磁自由层的磁性堆叠，在第一温度下为反铁磁性且在比第一温度高的第二温度下为非磁性的金属氧化物层，铁磁性固定基准层和非磁性间隔层之间， 层和参考层。 在写入过程中，金属氧化物层是非磁性的。 对于诸如磁性隧道结电池的磁存储器单元，金属氧化物层提供降低的开关电流。

公开(公告)号：US08217478B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12425466

申请日：2009-04-17

申请人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

发明人： Xiaohua Lou ,  Yuankai Zheng ,  Wenzhong Zhu ,  Wei Tian ,  Zheng Gao

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/303 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic stack having a ferromagnetic free layer, a metal oxide layer that is antiferromagnetic at a first temperature and non-magnetic at a second temperature higher than the first temperature, a ferromagnetic pinned reference layer, and a non-magnetic spacer layer between the free layer and the reference layer. During a writing process, the metal oxide layer is non-magnetic. For magnetic memory cells, such as magnetic tunnel junction cells, the metal oxide layer provides reduced switching currents.

摘要翻译： 具有铁磁自由层的磁性堆叠，在第一温度下为反铁磁性且在比第一温度高的第二温度下为非磁性的金属氧化物层，铁磁性固定基准层和非磁性间隔层之间， 层和参考层。 在写入过程中，金属氧化物层是非磁性的。 对于诸如磁性隧道结电池的磁存储器单元，金属氧化物层提供降低的开关电流。

公开(公告)号：US08194444B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12968441

申请日：2010-12-15

申请人： Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Xiaobin Wang ,  Zheng Gao ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wenzhong Zhu ,  Yong Lu

发明人： Yuankai Zheng ,  Yiran Chen ,  Xiaobin Wang ,  Zheng Gao ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wenzhong Zhu ,  Yong Lu

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C7/02

CPC分类号： G11C11/1673

摘要： Self-reference reading a magnetic tunnel junction data cell methods are disclosed. An illustrative method includes applying a read voltage across a magnetic tunnel junction data cell and forming a read current. The magnetic tunnel junction data cell has a first resistance state. The read voltage is sufficient to switch the magnetic tunnel junction data cell resistance. The method includes detecting the read current and determining if the read current remains constant during the applying step. If the read current remains constant during the applying step, then the first resistance state of the magnetic tunnel junction data cell is the resistance state that the read voltage was sufficient to switch the magnetic tunnel junction data cell to.

摘要翻译： 公开了自参考读取磁隧道结数据单元方法。 一种说明性方法包括在磁性隧道结数据单元上施加读取电压并形成读取电流。 磁性隧道结数据单元具有第一电阻状态。 读取电压足以切换磁性隧道结数据单元电阻。 该方法包括检测读取电流并确定在施加步骤期间读取电流是否保持恒定。 如果在施加步骤期间读取电流保持恒定，则磁性隧道结数据单元的第一电阻状态是读取电压足以将磁性隧道结数据单元切换到的电阻状态。

公开(公告)号：US20120119313A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US12947516

申请日：2010-11-16

申请人： Yuankai Zheng ,  Xiaohua Lou ,  Wei Tian ,  Zheng Gao ,  Haiwen Xi

发明人： Yuankai Zheng ,  Xiaohua Lou ,  Wei Tian ,  Zheng Gao ,  Haiwen Xi

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/30 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： An apparatus and associated method for a non-volatile memory cell with a phonon-blocking insulating layer. In accordance with various embodiments, a magnetic stack has a tunnel junction, ferromagnetic free layer, pinned layer, and an insulating layer that is constructed of an electrically and thermally insulative material that blocks phonons while allowing electrical transmission through at least one conductive feature.

摘要翻译： 一种具有声阻隔绝缘层的非易失性存储单元的装置和相关方法。 根据各种实施例，磁性堆叠具有隧道结，铁磁自由层，被钉扎层和由电绝缘材料和热绝缘材料构成的绝缘层，其阻挡声子同时允许通过至少一个导电特征的电传输。

公开(公告)号：US07940551B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US12239887

申请日：2008-09-29

申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/161

摘要： Spin-transfer torque memory having a specular insulative spacer is disclosed. The spin-transfer torque memory unit includes a free magnetic layer, a reference magnetic layer, an electrically insulating and non-magnetic tunneling barrier layer separating the free magnetic layer from the reference magnetic layer, an electrode layer, and an electrically insulating and electronically reflective layer separating the electrode layer and the free magnetic layer.

摘要翻译： 公开了具有镜面绝缘间隔物的自旋转移力矩存储器。 自旋转移转矩存储单元包括自由磁性层，参考磁性层，将自由磁性层与参考磁性层分离的电绝缘和非磁性隧道势垒层，电极层以及电绝缘和电子反射 层分离电极层和自由磁性层。

公开(公告)号：US20110049658A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12943979

申请日：2010-11-11

申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

IPC分类号： H01L27/22

CPC分类号： G11C11/161

摘要： Magnetic tunnel junctions having a specular insulative spacer are disclosed. The magnetic tunnel junction includes a free magnetic layer, a reference magnetic layer, an electrically insulating and non-magnetic tunneling barrier layer separating the free magnetic layer from the reference magnetic layer, and an electrically insulating and electronically reflective layer positioned to reflect at least a portion of electrons back into the free magnetic layer.

摘要翻译： 公开了具有镜面绝缘间隔物的磁隧道结。 磁性隧道结包括自由磁性层，参考磁性层，将自由磁性层与参考磁性层分离的电绝缘和非磁性隧道势垒层，以及电绝缘和电子反射层，其被定位成反射至少一个 部分电子返回自由磁性层。

公开(公告)号：US20100078743A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12239887

申请日：2008-09-29

申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： G11C11/161

摘要： Spin-transfer torque memory having a specular insulative spacer is disclosed. The spin-transfer torque memory unit includes a free magnetic layer, a reference magnetic layer, an electrically insulating and non-magnetic tunneling barrier layer separating the free magnetic layer from the reference magnetic layer, an electrode layer, and an electrically insulating and electronically reflective layer separating the electrode layer and the free magnetic layer.

摘要翻译： 公开了具有镜面绝缘间隔物的自旋转移力矩存储器。 自旋转移转矩存储单元包括自由磁性层，参考磁性层，将自由磁性层与参考磁性层分离的电绝缘和非磁性隧道势垒层，电极层以及电绝缘和电子反射 层分离电极层和自由磁性层。

公开(公告)号：US09030864B2

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：US13611230

申请日：2012-09-12

申请人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

发明人： Yuankai Zheng ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Wei Tian ,  Dexin Wang ,  Zheng Gao ,  Xiaobin Wang

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/161

摘要： Magnetic tunnel junctions having a specular insulative spacer are disclosed. The magnetic tunnel junction includes a free magnetic layer, a reference magnetic layer, an electrically insulating and non-magnetic tunneling barrier layer separating the free magnetic layer from the reference magnetic layer, and an electrically insulating and electronically reflective layer positioned to reflect at least a portion of electrons back into the free magnetic layer.

摘要翻译： 公开了具有镜面绝缘间隔物的磁隧道结。 磁性隧道结包括自由磁性层，参考磁性层，将自由磁性层与参考磁性层分离的电绝缘和非磁性隧道势垒层，以及电绝缘和电子反射层，其被定位成反射至少一个 部分电子返回自由磁性层。