公开(公告)号：US20130236945A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13701333

申请日：2011-06-07

Applicant: In-Young Song ,  Hun-Taek Kim ,  Bong-Yong Lee ,  Mahn-Hoon Park ,  Ho-Soon Lee ,  Yun Jung Lim ,  Ji-Hye Lee ,  Seo Yeon Son ,  Min-Sun Kim

Inventor： In-Young Song ,  Hun-Taek Kim ,  Bong-Yong Lee ,  Mahn-Hoon Park ,  Ho-Soon Lee ,  Yun Jung Lim ,  Ji-Hye Lee ,  Seo Yeon Son ,  Min-Sun Kim

IPC: C12N9/64

CPC classification number: C12N9/6437 ,  C07K14/79 ,  C07K2319/00 ,  C07K2319/31 ,  C07K2319/50 ,  C12Y304/21021

Abstract: A fusion protein comprising factor VII (FVII) and transferrin according to the present invention has an improved specific activity of FVII compared to existing FVII fusion proteins comprising other fusion partners than transferrin, and thus can be effectively used in a therapy using FVII.

Abstract translation: 根据本发明的包含因子VII（FVII）和转铁蛋白的融合蛋白与包含与转铁蛋白相比的其它融合伴侣的现有FVII融合蛋白相比具有改善的FVII比活性，因此可以有效地用于使用FVII的治疗。

公开(公告)号：US20130137661A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13511065

申请日：2010-11-19

Applicant: Seon Mi Kim ,  Min Hee Lee ,  Jae Sun Kim ,  Hoe Chul Jung ,  So Young Lee ,  Soo Min Lee ,  Eun Jeong Kim ,  Eui Sun Park ,  Sung Hoon Park ,  Bong Yong Lee ,  Key An Um

Inventor： Seon Mi Kim ,  Min Hee Lee ,  Jae Sun Kim ,  Hoe Chul Jung ,  So Young Lee ,  Soo Min Lee ,  Eun Jeong Kim ,  Eui Sun Park ,  Sung Hoon Park ,  Bong Yong Lee ,  Key An Um

IPC: C07D239/545 ,  C07D405/12 ,  C07D401/04 ,  C07D403/04 ,  C07D401/14 ,  C07D491/048 ,  C07D253/075 ,  C07D213/74 ,  C07D413/12 ,  C07D409/12 ,  C07D417/12 ,  C07D403/12 ,  C07D487/04 ,  C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  C07F9/6558 ,  C07D403/06 ,  C07D401/12

CPC classification number: C07D239/545 ,  A61K31/506 ,  C07D213/74 ,  C07D239/46 ,  C07D253/075 ,  C07D401/04 ,  C07D401/12 ,  C07D401/14 ,  C07D403/04 ,  C07D403/06 ,  C07D403/12 ,  C07D405/12 ,  C07D405/14 ,  C07D409/12 ,  C07D409/14 ,  C07D413/12 ,  C07D417/12 ,  C07D487/04 ,  C07D491/048 ,  C07F9/65583 ,  C07F9/65586

Abstract: Disclosed are compounds useful as gonadotrophin-releasing hormone (“GnRH”) receptor antagonist.

Abstract translation: 公开了可用作促性腺激素释放激素（“GnRH”）受体拮抗剂的化合物。

公开(公告)号：US20130058169A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13548506

申请日：2012-07-13

Applicant: Bong-Yong Lee ,  Jung-In Han ,  Hae-Bum Lee ,  Sang-Eun Lee ,  Jung-Ro Ahn ,  Kyung-Jun Shin ,  Tae-Hyun Yoon

Inventor： Bong-Yong Lee ,  Jung-In Han ,  Hae-Bum Lee ,  Sang-Eun Lee ,  Jung-Ro Ahn ,  Kyung-Jun Shin ,  Tae-Hyun Yoon

IPC: G11C16/28 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/06 ,  G11C16/28

Abstract: In a non-volatile memory system, a plurality of main memory cells for storing data is arranged in a data cell array and a plurality of reference memory cells is arranged in a reference cell array. The reference cell array includes first reference word lines connected to first reference memory cells and extending, second reference word lines connected to second reference memory cells and extending alternately with the first reference word lines, reference bit lines to which the first and the second reference memory cells are alternately connected in a line and a combined cell having a pair of the first and second reference memory cells and generating a reference signal for processing the data. The first and the second reference memory cells have different cell characteristics. The stability of the reference signal is improved irrespective of the differentiation of the first and the second reference memory cells.

Abstract translation: 在非易失性存储器系统中，用于存储数据的多个主存储单元被布置在数据单元阵列中，并且多个参考存储单元被布置在参考单元阵列中。 参考单元阵列包括连接到第一参考存储器单元的第一参考字线和连接到第二参考存储器单元并与第一参考字线交替延伸的第二参考字线，第一和第二参考存储器 单元交替地连接在一行中，并且组合单元具有一对第一和第二参考存储单元，并产生用于处理数据的参考信号。 第一和第二参考存储单元具有不同的单元特性。 无论第一和第二参考存储单元的区别如何，参考信号的稳定性得到改善。

公开(公告)号：US07876632B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US12000208

申请日：2007-12-11

Applicant: Bong-Yong Lee ,  Heon-Kyu Lee ,  Kwang-Soo Kim ,  Sang-Youl Kwon

Inventor： Bong-Yong Lee ,  Heon-Kyu Lee ,  Kwang-Soo Kim ,  Sang-Youl Kwon

IPC: G11C7/00

CPC classification number: G11C29/808 ,  G11C29/846

Abstract: A semiconductor memory device includes a main cell array region, a first redundancy cell array region and a first dummy cell array region that are formed at one side of the main cell array region, and a second redundancy cell array region and a second dummy cell array region that are formed at the other side of the main cell array region. The first redundancy cell array region includes a first redundancy bitline, and the first dummy cell array region includes first dummy bitlines. The second redundancy cell array region includes a second redundancy bitline, and the second dummy cell array region includes second dummy bitlines. The first and second redundancy cell array regions are disposed closer to the main cell array region than the first and second dummy cell array regions.

Abstract translation: 半导体存储器件包括形成在主单元阵列区域的一侧的主单元阵列区域，第一冗余单元阵列区域和第一虚设单元阵列区域，以及第二冗余单元阵列区域和第二虚设单元阵列 区域，其形成在主单元阵列区域的另一侧。 第一冗余单元阵列区域包括第一冗余位线，并且第一虚设单元阵列区域包括第一虚拟位线。 第二冗余单元阵列区域包括第二冗余位线，并且第二虚设单元阵列区域包括第二虚拟位线。 第一和第二冗余单元阵列区域比第一和第二虚设单元阵列区域更靠近主单元阵列区域设置。