公开(公告)号：US06858116B2

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：US10297232

申请日：2001-05-23

申请人： Takeo Okabe ,  Yasuhiro Yamakoshi ,  Hirohito Miyashita

发明人： Takeo Okabe ,  Yasuhiro Yamakoshi ,  Hirohito Miyashita

IPC分类号： C23C4/00 ,  C23C4/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  H01J37/34

CPC分类号： C23C4/00 ,  C23C4/02 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3435

摘要： A sputtering target producing few particles, a backing plate or a sputtering apparatus, and a sputtering method producing few particles. An arc-spraying coating film and a plasma-spraying coating film over the former are formed on the sputtering target, a backing plate, or another surface in the sputtering apparatus, where an unwanted film might be formed. Thus a deposit is prevent from separating/flying from the target, backing plate, or another surface where an unwanted film might be formed in the sputtering apparatus.

摘要翻译： 产生少量颗粒的溅射靶，背板或溅射装置，以及几乎不产生颗粒的溅射方法。 在溅射靶，背板或溅射装置中可能形成不需要的膜的另一表面上形成有在前者上的电弧喷涂涂层膜和等离子体喷镀涂膜。 因此，防止沉积物从靶材，背板或在溅射装置中可能形成不想要的膜的另一表面分离/飞散。

公开(公告)号：US06723183B2

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US09980946

申请日：2001-12-05

申请人： Kunihiro Oda ,  Hirohito Miyashita

发明人： Kunihiro Oda ,  Hirohito Miyashita

IPC分类号： C22C2700

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/517 ,  Y10S148/158

摘要： The present invention relates to a non-brittle silicide target for forming a gate oxide film made of MSi0.8-1.2 (M: Zr, Hf), and provides a non-brittle silicide target suitable for forming a ZrO2.SiO2 film or HfO2.SiO2 film that can be used as a high dielectric gate insulating film having properties to substitute an SiO2 film.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于形成由MSi0.8-1.2（M：Zr，Hf）制成的栅极氧化膜的非脆性硅化物靶，并提供适用于形成ZrO 2·SiO 2膜或HfO 2的非脆性硅化物靶 可以用作具有代替SiO2膜的性能的高介电栅极绝缘膜的SiO 2膜。

公开(公告)号：US4666667A

公开(公告)日：1987-05-19

申请号：US844237

申请日：1986-03-25

申请人： Morinori Kamio ,  Masahiro Tsuji ,  Hirohito Miyashita

发明人： Morinori Kamio ,  Masahiro Tsuji ,  Hirohito Miyashita

IPC分类号： C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  H01B1/02

CPC分类号： C22C9/02 ,  C22F1/08

摘要： A high-strength, high-conductivity copper alloy comprises, all by weight, from 0.8 to 4.0% of Sn, from more than 0.01 to 0.4% of P, from 0.05 to 1.0% of Ni, from 0.05 to 1.0% of one, two or more elements selected from Al, Hf, Be, Mo, Zn, Te, Pb, Co, Zr, and Nb, and the remainder of Cu and inevitable impurities. The impurities include not more than 0.0020% of oxygen.

摘要翻译： 高强度，高导电性铜合金全部重量含有Sn：0.8〜4.0％，P：0.01〜0.4％，Ni：0.05〜1.0％，0.05〜1.0％ 选自Al，Hf，Be，Mo，Zn，Te，Pb，Co，Zr和Nb中的两种或更多种元素，其余的Cu和不可避免的杂质。 杂质含有不大于0.0020％的氧气。