公开(公告)号：US4654112A

公开(公告)日：1987-03-31

申请号：US655004

申请日：1984-09-26

Applicant: Monte A. Douglas ,  Thomas D. Bonifield

Inventor： Monte A. Douglas ,  Thomas D. Bonifield

IPC: C03C15/00 ,  G03F7/36 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  B44C1/22 ,  C03C25/06

CPC classification number: C03C15/00 ,  G03F7/36 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  Y10S438/945

Abstract: A new process for plasma etching silicon oxides in integrated circuit structures. A chemistry comprising both oxygen and nitrogen trifluoride is used, with oxygen the dominant component. This provides excellent selectivity to silicon. This etch chemistry also erodes photoresist rapidly, so that it is typically used in combination with a hard-masking process. One particular application of this invention is in a cantilever-etch-mask contact profiling process.

Abstract translation: 集成电路结构中等离子体蚀刻氧化硅的新工艺。 使用包含氧和三氟化氮的化学，其中氧是主要成分。 这为硅提供了极好的选择性。 该蚀刻化学品也快速地侵蚀光致抗蚀剂，因此通常与硬掩模工艺结合使用。 本发明的一个具体应用是悬臂蚀刻掩模接触分析过程。