公开(公告)号：US08485707B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12813181

申请日：2010-06-10

申请人： Ki Hong Lee

发明人： Ki Hong Lee

IPC分类号： F21V7/00 ,  B60Q1/04

CPC分类号： F21S41/337 ,  F21S41/147 ,  F21S41/155

摘要： Disclosed is a headlamp assembly for a vehicle. The headlamp assembly may include an LED module arranged in a housing of the headlamp, a reflector disposed in the housing and receiving a light from the LED module, wherein the reflector has uneven parts to disperse and reflect the light in a forward direction of the reflector, and a lens arranged in the front of the reflector.

摘要翻译： 公开了一种用于车辆的前照灯组件。 前照灯组件可以包括布置在前照灯的壳体中的LED模块，设置在壳体中并接收来自LED模块的光的反射器，其中反射器具有不均匀部分，以在反射器的向前方向上分散和反射光 以及布置在反射器前部的透镜。

公开(公告)号：US20090114977A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12147177

申请日：2008-06-26

申请人： Ki Seon Park ,  Moon Sig Joo ,  Yong Top Kim ,  Jae Young Park ,  Ki Hong Lee

发明人： Ki Seon Park ,  Moon Sig Joo ,  Yong Top Kim ,  Jae Young Park ,  Ki Hong Lee

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513

摘要： Disclosed herein is a nonvolatile memory device having a charge trapping layer and a method of making the same. The nonvolatile memory device includes a substrate, a tunneling layer disposed on the substrate, a charge trapping layer disposed on the tunneling layer, a first blocking layer disposed on the charge trapping layer, a second blocking layer disposed on the first blocking layer, and a control gate electrode disposed on the second blocking layer. A first band gap between the first blocking layer and the charge trapping layer is larger than a second band gap between the second blocking layer and the charge trapping layer.

摘要翻译： 这里公开了具有电荷捕获层的非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括衬底，设置在衬底上的隧道层，设置在隧道层上的电荷俘获层，设置在电荷俘获层上的第一阻挡层，设置在第一阻挡层上的第二阻挡层，以及 设置在第二阻挡层上的控制栅电极。 第一阻挡层和电荷俘获层之间的第一带隙大于第二阻挡层和电荷俘获层之间的第二带隙。

公开(公告)号：USD658319S1

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US29373922

申请日：2011-06-08

申请人： Ki Hong Lee ,  Chi Young Kim

设计人： Ki Hong Lee ,  Chi Young Kim

公开(公告)号：US20120092926A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13272601

申请日：2011-10-13

申请人： Sung Jin WHANG ,  Kwon Hong ,  Ki Hong Lee

发明人： Sung Jin WHANG ,  Kwon Hong ,  Ki Hong Lee

IPC分类号： G11C16/06 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7889

摘要： A three dimensional non-volatile memory structure according to an aspect of this disclosure includes a plurality of interlayer dielectric layers and a plurality of control gates alternately stacked over a substrate, a channel formed to penetrate the plurality of interlayer dielectric layers and the plurality of control gates, a tunnel insulating layer formed to surround the channel, a plurality of floating gates disposed between the plurality of interlayer dielectric layers and the tunnel insulating layer, wherein the plurality of floating gates each have a thickness greater than a corresponding one of the interlayer dielectric layers, and a charge blocking layer disposed between the plurality of control gates and the plurality of floating gates.

摘要翻译： 根据本公开的一个方面的三维非易失性存储器结构包括多个层间介电层和交替层叠在衬底上的多个控制栅极，形成为穿透多个层间电介质层的沟道和多个控制 栅极，形成为围绕所述沟道的隧道绝缘层，设置在所述多个层间电介质层和所述隧道绝缘层之间的多个浮动栅极，其中所述多个浮置栅极的厚度大于所述层间电介质 层，以及设置在多个控制栅极和多个浮置栅极之间的电荷阻挡层。