公开(公告)号：US08653585B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13404047

申请日：2012-02-24

申请人： Eun-sun Youm ,  Sang-yong Park ,  Jin-taek Park ,  Yong-top Kim

发明人： Eun-sun Youm ,  Sang-yong Park ,  Jin-taek Park ,  Yong-top Kim

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

摘要： A nonvolatile memory device having a vertical structure and a method of manufacturing the same, the nonvolatile memory device including a channel region that vertically extends from a substrate; gate electrodes on the substrate, the gate electrodes being disposed along an outer side wall of the channel region and spaced apart from one another; and a channel pad that extends from one side of the channel region to an outside of the channel region, the channel pad covering a top surface of the channel region.

摘要翻译： 一种具有垂直结构的非易失性存储器件及其制造方法，所述非易失性存储器件包括从衬底垂直延伸的沟道区域; 所述栅极电极沿着所述沟道区域的外侧壁设置并且彼此间隔开; 以及沟道垫，其从所述沟道区的一侧延伸到所述沟道区的外部，所述沟道衬垫覆盖所述沟道区的顶表面。

公开(公告)号：US20110204430A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13097479

申请日：2011-04-29

申请人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

发明人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

IPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US07955960B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12052914

申请日：2008-03-21

申请人： Se Jun Kim ,  Eun Seok Choi ,  Kyoung Hwan Park ,  Hyun Seung Yoo ,  Myung Shik Lee ,  Young Ok Hong ,  Jung Ryul Ahn ,  Yong Top Kim ,  Kyung Pil Hwang ,  Won Sic Woo ,  Jae Young Park ,  Ki Hong Lee ,  Ki Seon Park ,  Moon Sig Joo

发明人： Se Jun Kim ,  Eun Seok Choi ,  Kyoung Hwan Park ,  Hyun Seung Yoo ,  Myung Shik Lee ,  Young Ok Hong ,  Jung Ryul Ahn ,  Yong Top Kim ,  Kyung Pil Hwang ,  Won Sic Woo ,  Jae Young Park ,  Ki Hong Lee ,  Ki Seon Park ,  Moon Sig Joo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US20080230830A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US12052914

申请日：2008-03-21

申请人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

发明人： Se Jun KIM ,  Eun Seok CHOI ,  Kyoung Hwan PARK ,  Hyun Seung YOO ,  Myung Shik LEE ,  Young Ok HONG ,  Jung Ryul AHN ,  Yong Top KIM ,  Kyung Pil HWANG ,  Won Sic WOO ,  Jae Young PARK ,  Ki Hong LEE ,  Ki Seon PARK ,  Moon Sig JOO

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same is provided to prevent charges stored in a charge trap layer from moving to neighboring memory cells. The method of fabricating a nonvolatile memory device, includes forming a first dielectric layer on a semiconductor substrate in which active regions are defined by isolation layers, forming a charge trap layer on the first dielectric layer, removing the first dielectric layer and the charge trap layer over the isolation layers, forming a second dielectric layer on the isolation layers including the charge trap layer, and forming a conductive layer on the second dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以防止存储在电荷陷阱层中的电荷移动到相邻存储器单元。 制造非易失性存储器件的方法包括在半导体衬底上形成第一电介质层，其中有源区由隔离层限定，在第一电介质层上形成电荷陷阱层，去除第一介电层和电荷陷阱层 在隔离层上，在包括电荷陷阱层的隔离层上形成第二电介质层，并在第二介电层上形成导电层。

公开(公告)号：US20090108332A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12163401

申请日：2008-06-27

申请人： Moon Sig Joo ,  Ki Seon Park ,  Yong Top Kim ,  Jae Young Park ,  Ki Hong Lee

发明人： Moon Sig Joo ,  Ki Seon Park ,  Yong Top Kim ,  Jae Young Park ,  Ki Hong Lee

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/513

摘要： Disclosed herein are a non-volatile memory device and a method of manufacturing the same. The non-volatile memory device includes a substrate, a tunneling layer disposed on the substrate, a charge trapping layer disposed on the tunneling layer, a blocking layer disposed on the charge trapping layer, and a control gate electrode disposed on the blocking layer. The blocking layer in contact with the charge trapping layer includes an aluminum nitride layer.

摘要翻译： 这里公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括衬底，设置在衬底上的隧穿层，设置在隧道层上的电荷俘获层，设置在电荷俘获层上的阻挡层，以及设置在阻挡层上的控制栅电极。 与电荷捕获层接触的阻挡层包括氮化铝层。

公开(公告)号：US20090004802A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11966231

申请日：2007-12-28

申请人： Moon Sig Joo ,  Seung Ho Pyi ,  Ki Seon Park ,  Heung Jae Cho ,  Yong Top Kim

发明人： Moon Sig Joo ,  Seung Ho Pyi ,  Ki Seon Park ,  Heung Jae Cho ,  Yong Top Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  Y10S438/942

摘要： A method of fabricating a non-volatile memory device having a charge trapping layer includes forming a tunneling layer, a charge trapping layer, a blocking layer and a control gate electrode layer over a substrate, forming a mask layer pattern on the control gate electrode layer, performing an etching process using the mask layer pattern as an etching mask to remove an exposed portion of the control gate electrode layer, wherein the etching process is performed as excessive etching to remove the charge trapping layer by a specified thickness, forming an insulating layer for blocking charges from moving on the control gate electrode layer and the mask layer pattern, performing anisotropic etching on the insulating layer to form an insulating layer pattern on a sidewall of the control gate electrode layer and a partial upper sidewall of the blocking layer, and performing an etching process on the blocking layer exposed by the anisotropic etching, wherein the etching process is performed as excessive etching to remove the charge trapping layer by a specified thickness.

摘要翻译： 一种制造具有电荷捕获层的非易失性存储器件的方法包括在衬底上形成隧道层，电荷俘获层，阻挡层和控制栅电极层，在控制栅电极层上形成掩模层图案 使用掩模层图案作为蚀刻掩模进行蚀刻处理以去除控制栅电极层的暴露部分，其中蚀刻工艺作为过度蚀刻进行，以将电荷捕获层除去指定厚度，形成绝缘层 用于阻止电荷在控制栅电极层和掩模层图案上移动，对绝缘层进行各向异性蚀刻，以在控制栅电极层的侧壁和阻挡层的一部分上侧壁上形成绝缘层图案，以及 对通过各向异性蚀刻暴露的阻挡层进行蚀刻处理，其中执行蚀刻处理 作为过量蚀刻以将电荷捕获层除去指定的厚度。

公开(公告)号：US07981786B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US11966231

申请日：2007-12-28

申请人： Moon Sig Joo ,  Seung Ho Pyi ,  Ki Seon Park ,  Heung Jae Cho ,  Yong Top Kim

发明人： Moon Sig Joo ,  Seung Ho Pyi ,  Ki Seon Park ,  Heung Jae Cho ,  Yong Top Kim

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  Y10S438/942

摘要： A method of fabricating a non-volatile memory device having a charge trapping layer includes forming a tunneling layer, a charge trapping layer, a blocking layer and a control gate electrode layer over a substrate, forming a mask layer pattern on the control gate electrode layer, performing an etching process using the mask layer pattern as an etching mask to remove an exposed portion of the control gate electrode layer, wherein the etching process is performed as excessive etching to remove the charge trapping layer by a specified thickness, forming an insulating layer for blocking charges from moving on the control gate electrode layer and the mask layer pattern, performing anisotropic etching on the insulating layer to form an insulating layer pattern on a sidewall of the control gate electrode layer and a partial upper sidewall of the blocking layer, and performing an etching process on the blocking layer exposed by the anisotropic etching, wherein the etching process is performed as excessive etching to remove the charge trapping layer by a specified thickness.

摘要翻译： 一种制造具有电荷捕获层的非易失性存储器件的方法包括在衬底上形成隧道层，电荷俘获层，阻挡层和控制栅电极层，在控制栅电极层上形成掩模层图案 使用掩模层图案作为蚀刻掩模进行蚀刻处理以去除控制栅电极层的暴露部分，其中蚀刻工艺作为过度蚀刻进行，以将电荷捕获层除去指定厚度，形成绝缘层 用于阻止电荷在控制栅电极层和掩模层图案上移动，对绝缘层进行各向异性蚀刻，以在控制栅电极层的侧壁和阻挡层的一部分上侧壁上形成绝缘层图案，以及 对通过各向异性蚀刻暴露的阻挡层进行蚀刻处理，其中执行蚀刻处理 作为过量蚀刻以将电荷捕获层除去指定的厚度。

公开(公告)号：US20090114977A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12147177

申请日：2008-06-26

申请人： Ki Seon Park ,  Moon Sig Joo ,  Yong Top Kim ,  Jae Young Park ,  Ki Hong Lee

发明人： Ki Seon Park ,  Moon Sig Joo ,  Yong Top Kim ,  Jae Young Park ,  Ki Hong Lee

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513

摘要： Disclosed herein is a nonvolatile memory device having a charge trapping layer and a method of making the same. The nonvolatile memory device includes a substrate, a tunneling layer disposed on the substrate, a charge trapping layer disposed on the tunneling layer, a first blocking layer disposed on the charge trapping layer, a second blocking layer disposed on the first blocking layer, and a control gate electrode disposed on the second blocking layer. A first band gap between the first blocking layer and the charge trapping layer is larger than a second band gap between the second blocking layer and the charge trapping layer.

摘要翻译： 这里公开了具有电荷捕获层的非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括衬底，设置在衬底上的隧道层，设置在隧道层上的电荷俘获层，设置在电荷俘获层上的第一阻挡层，设置在第一阻挡层上的第二阻挡层，以及 设置在第二阻挡层上的控制栅电极。 第一阻挡层和电荷俘获层之间的第一带隙大于第二阻挡层和电荷俘获层之间的第二带隙。

公开(公告)号：US20080272424A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11940647

申请日：2007-11-15

申请人： Yong Top Kim ,  Hong Seon Yang ,  Tae Yoon Kim ,  Yong Soo Kim ,  Seung Ryong Lee ,  Moon Sig Joo

发明人： Yong Top Kim ,  Hong Seon Yang ,  Tae Yoon Kim ,  Yong Soo Kim ,  Seung Ryong Lee ,  Moon Sig Joo

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/8246

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/40117

摘要： Disclosed herein is a nonvolatile memory device that includes a substrate, a tunneling layer over the substrate, a charge trapping layer over the tunneling layer, an insulating layer for improving retention characteristics over the charge trapping layer, a blocking layer over the insulating layer, and a control gate electrode over the blocking layer. Also disclosed herein is a method of making the device.

摘要翻译： 本文公开了一种非易失性存储器件，其包括衬底，衬底上的隧道层，隧道层上的电荷捕获层，用于改善电荷俘获层上的保留特性的绝缘层，绝缘层上的阻挡层，以及 阻挡层上的控制栅电极。 本文还公开了制造该装置的方法。

公开(公告)号：US20080093661A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11770683

申请日：2007-06-28

申请人： Moon Sig Joo ,  Hong Seon Yang ,  Jae Chul Om ,  Seung Ho Pyi ,  Seung Ryong Lee ,  Yong Top Kim

发明人： Moon Sig Joo ,  Hong Seon Yang ,  Jae Chul Om ,  Seung Ho Pyi ,  Seung Ryong Lee ,  Yong Top Kim

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833

摘要： A non-volatile memory device comprises a substrate, a tunneling layer over the substrate, a charge trapping layer comprising a stoichiometric silicon nitride layer and a silicon-rich silicon nitride layer over the tunneling layer, a blocking layer over the charge trapping layer, and a control gate electrode over the blocking layer.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底，衬底上的隧道层，在隧穿层上方包含化学计量氮化硅层和富硅氮化物层的电荷捕获层，电荷俘获层上的阻挡层，以及 阻挡层上的控制栅电极。